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FUENTE REGULADA DISCRETA COMPLETA




                      Presentado por:

                ANGELA JULIETH MORENO

               CRISTIAN CAMILO ARGUELLO




                 UNIVERSIDAD DEL CAUCA

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES

             LABORATORIO I DE ELECTRONICA

                           2012
FUENTE REGULADA DISCRETA COMPLETA




                       Presentado por:

         ANGELA JULIETH MORENO Cód.: 100611010423

        CRISTIAN CAMILO ARGUELLO Cód.: 100611010239




                        Presentado a:

                        INGENIERO

                   EDGAR MARIO GUSTIN




                 UNIVERSIDAD DEL CAUCA

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES

              LABORATORIO I DE ELECTRONICA

                            2012
FUENTE REGULADA DISCRETA COMPLETA

Cuenta con los siguientes bloques:


   * Fuente de corriente constante
   * Red de muestreo
   * Red de comparación o error
   * Elemento(s) de paso o amplificación.
   * Protecciones

Las características de la fuente a diseñar e implementar son:


   * Voltaje de salida: 9 voltios constantes
   * Corriente de carga: 400 mA.
   * Protección contra corto circuito, que incluye piloto de aviso de corto-circuito.
   * Piloto de aviso de Funcionamiento general.



1. OBJETIVOS

      Diseñar una fuente regulada, que cumpla con las especificaciones dadas por el
       usuario.

      Fortalecer los conocimientos adquiridos en el curso de Electrónica Básica sobre los
       fenómenos de rectificación, filtrado y regulación de una señal AC.

      Aplicar los conocimientos teóricos de las diversas configuraciones y aplicaciones
       de los dispositivos electrónicos.

      Adquirir destreza y habilidad para solucionar los diversos problemas que se
       presenten a través de todas las fases de diseño, con el fin de desarrollar soluciones
       que lleven al buen funcionamiento del circuito.

      Implementar el circuito teniendo en cuenta los criterios de diseño.

      Analizar los parámetros que permiten la mejor región de operación de los
       dispositivos logrando mayor estabilidad, disminuyendo los cambios que pueda
       sufrir el diseño.
2. ESPECIFICACIONES

El usuario desea una fuente de poder DC regulada, cuya regulación tenga fuente de
corriente constante, red de muestreo, red de comparación o error, elementos de paso o
amplificación, red de protección contra cortocircuito que entregue un voltaje de salida de 9
voltios con corriente de carga de 400mA. Teniendo como entrada la señal de línea que
presenta 120Vrms a 60Hz.




Para cumplir las exigencias del usuario es necesario reducir los valores de voltaje de la
señal de entrada a la fuente de poder regulada para convertirla en una señal pulsante ya sea
eliminando los semiciclos negativos o aprovechando toda la onda convirtiéndola en una
señal unipolar. Después de rectificar la señal se regula el voltaje para que la señal a la
salida presente la menor variación posible.

A continuación se presenta el diagrama de bloques, en el que se sintetizan las funciones
anteriormente descritas y se establecen los submódulos usados para el diseño de una fuente
regulada:

                    Transformador       Rectificador   Filtro Pasa     Regulador de
  Señal A.C.                                                                               Carga
                       Reductor        Onda Completa      Bajos          Voltaje


Diagrama de bloques de una fuente D.C. regulada.

2.1 Transformador de entrada: Reduce el voltaje nominal de línea 110Vrms a un nivel de
    voltaje deseado.

2.2 Circuito rectificador: Se encarga de convertir el voltaje A.C. del secundario del
    transformador a un voltaje D.C. pulsante. En este circuito la tensión de salida es una
    onda sinusoidal rectificada completa.

2.3 Filtro pasabajo: Consigue convertir el voltaje D.C. pulsante entregado por el circuito
    rectificador en un señal casi continua, lo cual se logra fundamentalmente con un
    capacitor electrolítico o polarizado. El voltaje entregado por el condensador presenta un
    pequeño rizado.
2.4 Regulador de voltaje: Su función consiste en mantener el voltaje de D.C. de salida de
    la fuente constante frente a las variaciones de la corriente de carga y del voltaje de
    línea.
2.5 Carga: Esta consiste en aparatos o circuitos que se conecta a la fuente para ser
    polarizados.



3. DISEÑO Y JUSTIFICACIÓN DEL CIRCUTO SELECCIONADO


3.1 TRANSFORMADOR DE ENTRADA: En este módulo se utilizará un transformador
    que se encarga de reducir el voltaje primario de 110 Vrms de la red a un voltaje
    secundario de valor 11 Vrms, por lo tanto este elemento presenta una razón de vueltas
    de 1:10.

   En este diseño se continuará
   trabajando con un voltaje
   pico, por ello es necesario
   multiplicar por    el voltaje
   de salida 11Vrms.

3.2 CIRCUITO RECTIFICADOR: Está constituido por un puente de diodos que se
    encarga de hacer una rectificación de onda completa con el objetivo de aprovechar los
    dos semiciclos de la señal entregada por el módulo anterior.

En este caso el voltaje de entrada es una onda
sinusoidal variable en el tiempo,         se realiza
rectificación de onda completa para evitar pérdidas
en la señal de entrada y de esta manera el proceso
de conversión de AC a DC se hace más fácil, no
se usa un rectificador de media onda porque se
estaría “perdiendo” la mitad de la señal antes de
establecer el nivel de DC deseado;         utilizar la
rectificación de onda completa mejora en un 100%
el nivel DC obtenido a partir de la entrada sinusoidal.

A pesar de que el voltaje rectificado no es un voltaje filtrado, contiene una componente DC
y una componente de rizo; una ventaja de la señal rectificada de onda completa es que
tiene menos rizo que una señal rectificada de media onda y por eso resulta mejor para
aplicar a un filtro.
3.3 FILTRO PASABAJO:

Se utiliza un filtro de capacitor simple
para generar un voltaje DC pulsante y
oscilante pero más estable. Tanto más
pequeño sea la variación AC con respecto
al nivel DC, mejor será la operación del
circuito con filtro.

3.4 REGULADOR DE VOLTAJE:

Esta es la etapa en donde el voltaje que cae en la carga RL del circuito anterior se convierte
a 9 voltios que es lo que se pide inicialmente.

Se evaluara varios elementos presentes en el circuito regulador:

3.4.1 Elemento de paso de control: Lo que se utiliza como switch que controla la
      corriente, suele ser un transistor (2N2222).
3.4.2 Fuente de Corriente: Ubicada al comienzo de la etapa de regulación, no es
      variable, su valor es fijo gracias a que existen voltajes de zener nominal.
3.4.3 Referencia de tensión: Se constituye como un diodo zener teniendo una resistencia
      Rz (Resistencia de zener).Sirve para detectar errores en la red de muestreo.

3.5 RED DE MUESTREO: Circuito de dos resistencias las cuales se usan para calcular
    voltajes a partir de la carga gracias a un divisor de voltaje.

3.6 PROTECCIÓN CONTRA SOBRECARGA: Permite que el circuito no tenga
    problemas cuando una resistencia de carga muy pequeña requiera de mucha corriente.
3.7 PROTECCIÓN CONTRA CORTO: Cuando hay un corto en la salida, 2 diodos en
    serie se polarizan inversamente y se abren, esto hace que el transistor que va a tierra
    entre en corte y se cortocircuite.

4. CALCULO DE COMPONENTES

 A continuación se presenta un análisis del circuito diseñado con los respectivos cálculos
teóricos que permiten determinar el valor de los elementos a usar:

La señal de entrada es de 120 Vrms tomados de la red eléctrica local (condición del
problema). Se utilizará un transformador cuya relación de vueltas es de 10 a 1 obteniendo
de esta forma 12 Vrms.
V 1  120Vrms
 Vo  12Vrms


 V 1 N1   120 10        120
               Vo       12Vrms
 Vo N 2   Vo   1        10

 Vp  Vrms * 2  12 * 2  16.97Vp



De acuerdo con las mallas que se presentan en el puente de diodos para los semiciclos
positivos y negativos, se encuentra el voltaje rectificado V2 con la ecuación:

         V2 = Vp–1.4 = 16.97-1.4           V2 = 15.57v

Para efectos del manejo de una alta corriente de salida, es conveniente usar un diodo zéner
de 1W. En este caso se asumió un voltaje de zéner nominal de 12 V para obtener el zéner
fácilmente en el comercio, ya que zéners de voltajes inferiores se encuentran pero con una
potencia menor y corren mayor riesgo de quemarse.




Diagrama de circuito regulador de voltaje.

En base diagrama anterior se hallan las siguientes componentes:

4.1 Selección de los diodos zener         y

El voltaje de salida se puede expresar así:

                                    Vo  VBE 4  VBE 3  VCE 2  VR                    (1)
Si los transistores son del mismo material:

                                        VBE 4  VBE 3  VBE

Entonces:                               VR  Vo  2VBE  VCE 2                                  (2)

Tomando como criterio que VCE 2 está en región activa, esto implica que VCE 2 >1v, y como
   y      son constantes escogemos un valor para             tal que VCE 2 del transistor este en
región activa,

Resumiendo se escoge un valor comercial de VR tal que:

                                                       Pot(max)Q2
                               VCE ( SAT )  VCE 2 
                                                           Io

Una buena elección es hacer:

                                                        Vo
                                         VCE 2  VR        VBE                                (3)
                                                         2

Reemplazando:

Selección del Diodo

El voltaje de entrada no regulado       se puede expresar como:

                        Vin  VZ 1  VBE1  VEC1  VBE 3  VBE 4  Vo                               (4)

Si utilizamos transistores del mismo material          VBE1  VBE 3  VBE 4  VBE entonces:

                               VEC1  (Vin  (VBE  Vo))  VZ 1                                 (5)

La escogencia de VZ1 se va a reflejar en la capacidad que va a tener la fuente para
responder ante variaciones del voltaje de entrada Vin. Esto es, si se escoge un valor para
VZ1 demasiado alto puede suceder que para un valor de Vin mínimo el término
(Vin  (VBE  Vo))  VZ 1 puede hacerse negativo, si suponemos VBE y Vo constantes. Pero
como esto no es factible que suceda pues el voltaje VCE > 0, necesariamente deberá
disminuir Vo para que la ecuación (5) se siga satisfaciendo:

De acuerdo a lo anterior deberá escogerse VZ1 tal que:            VEC1  VEC1 ( SAT )

Lo que lleva a:

                                    (Vin  (V BE  Vo ))  VZ 1  VEC1( SAT )                   (6)
La anterior desigualdad puede transformarse en igualdad para el caso en el que se tenga
Vin = Vin(min), o sea:

                              (Vin (m in)  (V BE  Vo ))  VZ 1  V EC1( SAT )

Por lo tanto:

                                   VZ 1  Vin (m in)  (VBE  Vo  V EC1( SAT ) )        (7)

Si comercialmente no es posible conseguir un valor para VZ1 que satisfaga con exactitud la
ecuación (5), deberá escogerse entonces VZ1 tal que:

                                    VZ 1  Vin (m in)  (V BE  Vo  V EC1( SAT ) )     (8)

Se tiene    =15.57 esto implica:

                               VINMAX = 15.57V + 0.5V =16.07V

                               VINMIN = 15.57V – 0.5V = 15.07V

Reemplazando en la ecuación 8




4.2 Selección de la Fuente de corriente

Una vez seleccionado VZ1, se debe escoger el valor apropiado de Io que mantenga al
transistor Q2 en su región lineal suministrando además la corriente necesaria en todo
momento al transistor amplificador Q3. Esto es:

                                                Io  I B 3 m ax  I E 2                  (9)



IE2 es la corriente requerida por el transistor Q2 para permanecer en su región lineal, previa
escogencia del voltaje VCE2. Es importante aclarar aquí que IE2 va a estar variando de
acuerdo a los requerimientos de la corriente de carga IL, entre los siguientes valores, a
saber:

                                          I E 2 m in  Io  I B 3 m ax

                      I E 2 m ax  Io   dado que: I B 3  0, I L  0, RL  
Pot (max) Q2
Esto es:                    I B 3 m ax  I E 2                                                           (10)
                                                       VCE 2

Una buena elección es hacer:

                                                   I E 2  3I B 3 m ax

                                  Io  I B 3 max  I E 2  Io  4 I B 3 max

Por lo tanto:                          Io  4 I B 3 m ax

Conociendo ILmax y suponiendo: I L m ax  I 4  I M

                                              I L m ax  ( I 4  I M )    I
                               I B 3 m ax                              L m ax
                                                     hfe 3 hfe 4        hfe 3 hfe 4

Por lo tanto:

                                                         4 I L m ax
                                               Io                                                        (11)
                                                        hfe 3 hfe 4

Conociendo que                                y tomando               hfe 3  hfe 4  100 obtenemos el valor de




Luego

                                                     VZ 1  VBE1
                                              R3                                                         (12)
                                                          Io

       4.57  0.7
R3                24k
        0.16mA

Haciendo                elegimos

Para que        trabaje en región zener

                                                        Vin  V z1
                                               I Z1                I z1 (codo)                          (13)
                                                           R5
Los diodo normalmente



Con ello podemos hallar       ya que:

                                     Vin (min)  Vz1        15.07  4.57
                            R5                                          1k
                                        I z1( codo)            10mA

4.3 Red de muestreo

Suponemos que IM >> IB2 por lo que podemos expresar IM como un divisor de voltaje
independiente del efecto de carga que pueda presentar la impedancia vista desde la base del
transistor Q2:

                                                          R2  Rp 2
                                              VM                      Vo                   (14)
                                                        R1  R2  Rp 2

Si llamamos a:

            Rp  Rp1  Rp 2                R   R1  Rp1               R  R2  Rp 2

                                                         R 
                                          VM                      Vo
                                                      R   R 

De aquí tenemos que

                                 -

De estos resultados y haciendo Rp=0 obtenemos que R´=750                        y R”=1.5k

4.4 Referencia de tensión

Se escoge I4(óptima) de tal manera que el diodo de referencia VR se encuentre en la región
de regulación o región zéner.

                                        Vo  VR 9  5.2 3.8V
                                R4                           380                       (15)
                                        I 4(optima ) 10mA 10mA

4.5 Selección de transistores

La selección de los transistores se hace con base en la potencia máxima que puede llegar a
disipar cada uno de ellos. Las potencias para cada uno de ellos serán:
Transistor Q1:

 PQ1  VCE 1 m ax  Io
                                       
PQ1  Vin (m ax)  (VZ 1  Vo  V BE )  Io                                           (16)




Transistor Q2:

 PQ 2  VCE 2 m ax  I E 2 (m ax)

VCE 2  cons tan te  Vo  2VBE  VR = 9+2x0.7- 5.2v=5.2

                                             PQ 2  (Vo  2VBE  VR )  Io            (17)



Transistor Q3:

                                                Vin max  (Vo  VBE )  I L (max)
                                       PQ3                                           (18)
                                                               hfe4

                                            15.07  (9  0.7)  400mA
                                    PQ3                               0.1w
                                                       100

Transistor Q4:

                                             PQ 4  (Vin m ax  Vo )  I L (m ax)     (19)

PQ 4  (15 .07  9)  400 mA  2.4 w

4.6 Protección contra corto

Para asegurar que los diodos se encuentren en la región de saturación suponemos una
corriente entre 10 mA ≤ I1≤ 20 mA para nuestro caso se toma como 15mA.

Con ello hallamos el valor de la resistencia que hace parte de este circuito.

Rs = (Vo - Vdiodos) /15mA=(9-1.4)/15mA=506Ω
5. CARACTERISTICAS DE LOS ELEMENTOS

      Transformador:                  Este dispositivo hace parte de los materiales del laboratorio de la
       facultad. Tiene como objetivo convertir la corriente alterna de alta tensión (110Vrms) y
       débil intensidad en otra de baja tensión y gran intensidad, o viceversa. En este caso
       buscamos un número de fases mayor y una tensión conveniente A.C. (10 Vrms) para el
       funcionamiento del rectificador.
      Diodos rectificadores: Son diodos comúnmente de Silicio cuyo voltaje de umbral es
       0.7 V, reciben el nombre de diodos rectificadores por emplearse en el proceso de
       rectificación, sus valores nominales de potencia y corriente son por lo general mucho
       más altos que los de los diodos utilizados en otras aplicaciones.
      Capacitor:              Se utilizará un condensador electrolítico porque el valor de capacitancia
       empleado el bastante alto.
      Diodo zéner: Es un diodo que regula 6.8v con capacidad máxima de manejo de
       potencia de 1 vatio.
      Transistor (TIP31): Es un transistor NPN de Silicio amplificador de potencia, estos
       operan con voltajes pequeños y pueden admitir corrientes relativamente intensas.


6. DIAGRAMA ELECTRICO TOTAL


                         TR1

                                                 BR1
    FUENTE1                                                                                                                                 Q4
              +88.8                  +88.8
                                                                                                                                            TIP31
              AC Volts               AC Volts
                                                                                                +88.8
                                                                                                 mA


                         TRAN-2P2S                        +88.8      C1                                         R3               Q3
                                                                                                                                                                                          +88.8
                                                                                                                                                                                   Amps




                                                 BRIDGE   AC Volts   2200uF   +88.8                             22.5k
                                                                                                                                 PN2222
                                                                              Volts
                                                                                       D1
                                                                                       MZD4V3                                                         R4    R1            R6
                                                                                                                                                      384                 760
                                                                                                                                                            7.5


                                                                                                        +88.8
                                                                                                        Volts
                                                                                                                                                                                                  RL
                                                                                                                                                                                                  23.1   +88.8
                                                                                                                Q1                                                                                       Volts
                                                                                                                TIP32


                                                                                                                                                                           D3
                                                                                      R5                                 +88.8                                             DIODE
                                                                                      1k                                  mA
                                                                                                                                          Q2

                                                                                                                                                                  +88.8
                                                                                                                                                                  Volts


                                                                                                                                          2N2222            R2
                                                                                                                                                            15             D4
                                                                                                                                                                           DIODE

                                                                                                                +88.8
                                                                                                                 Volts
                                                                                                                                          D2
                                                                                                                                          BZX55C5V1
7. PLAN DE PRUEBAS Y DATOS ESPERADOS
Para comprobar el funcionamiento de cada una de las etapas se utilizará como herramienta
básica de medida el Osciloscopio, debido a que es indispensable verificar formas de onda,
niveles de voltaje y de frecuencia en la respuesta de cada etapa.


       SEÑAL DE ENTRADA: Inicialmente se debe determinar la señal real que
       proporciona la red eléctrica local debido a que la señal de A.C. que en teoría
       presente 110Vrms a 60Hz es bastante inestable y depende de muchas condiciones
       externas.


       TRANSFORMADOR: Este elemento debe recibir la señal de la red y presentar en
       sus terminales de salida una señal A.C. bipolar reducida 10 veces y con igual
       frecuencia con respecto a su entrada. Corroborándose que los voltajes se aproximen
       a los valores indicados en el diseño y la forma de onda y su nivel ( onda de entrada
       y de salida ) se mantengan.


       RECTIFICADOR: Inicialmente se verificará la correcta conexión del puente de
       diodos para obtener el funcionamiento adecuado, para posteriormente realizar el
       análisis de la señal de salida la cual debe ser pulsante con rectificación de onda
       completa y un voltaje de aproximadamente 15 V.


       FILTRO: Debe responder a las necesidades del circuito. Para la función de filtraje
       que debe cumplir se ha trabajado de uso general, ya que presenta alta tolerancia de
       capacidad en un pequeño volumen.


   REGULADOR: Para este módulo inicialmente se debe dividir en submodulos para
   comprobar la correcta conexión de los elementos que los constituyen a estos mismos,
   como son la fuente de corriente, la red de muestreo, la protección contra corto y la
   referencia de tensión. Esta verificación se realizará primero con protección y luego sin
   protección contra corto circuito.
8. APLICACIONES DEL SISTEMA DISEÑADO

La fuente regulada se encarga de mantener un voltaje de salida regulado en un rango de
corrientes de carga. Conforme el voltaje de salida trata de variar, una parte de la corriente
se consume en los elementos del circuito para mantener el voltaje regulado a través de la
carga. Para cambios en la resistencia de carga se produce una variación en el voltaje
colector emisor del transistor que permite regular el voltaje suministrado a la salida.




El sistema diseñado se puede aplicar en la polarización de elementos (C.I.), o de circuitos
que necesiten un voltaje regulado constante.      Por ejemplo,     el caso de la familia de
circuitos integrados TTL que para un óptimo funcionamiento necesita una polaridad de 5
VDC, y      se podrían obtener mediante una re evaluación de dispositivos del circuito
diseñado.


Una de las aplicaciones más importante, puede ser la de aplicar este sistema           como
supresor de picos de voltaje, aprovechando las características del diodo zéner a los cambios
bruscos de voltaje.




9. LISTADO DE LOS ELEMENTOS

      1 Transformador
      1 Puente de Diodos
      1 Condensador
      2 Diodos Zener
      7 Resistências
      2 Diodos
      1 Transistores PNP
      2 Transistores NPN
10. BIBLIOGRAFIA

     CUBILLOS mariano, MOSQUERA Victor Hugo; Circuitos analógicos I.
     BOYLESTAD, Robert y NASHELSKY, Louis. Electrónica: Teoría de circuitos sexta
      edición. Editorial Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Mexico 1997.
     http://www.info-
      ab.uclm.es/labelec/Solar/elementos_del_pc/fuentes_de_alimentacion/f/f_pdf.pdf

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Pre informe 1

  • 1. FUENTE REGULADA DISCRETA COMPLETA Presentado por: ANGELA JULIETH MORENO CRISTIAN CAMILO ARGUELLO UNIVERSIDAD DEL CAUCA PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES LABORATORIO I DE ELECTRONICA 2012
  • 2. FUENTE REGULADA DISCRETA COMPLETA Presentado por: ANGELA JULIETH MORENO Cód.: 100611010423 CRISTIAN CAMILO ARGUELLO Cód.: 100611010239 Presentado a: INGENIERO EDGAR MARIO GUSTIN UNIVERSIDAD DEL CAUCA PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES LABORATORIO I DE ELECTRONICA 2012
  • 3. FUENTE REGULADA DISCRETA COMPLETA Cuenta con los siguientes bloques: * Fuente de corriente constante * Red de muestreo * Red de comparación o error * Elemento(s) de paso o amplificación. * Protecciones Las características de la fuente a diseñar e implementar son: * Voltaje de salida: 9 voltios constantes * Corriente de carga: 400 mA. * Protección contra corto circuito, que incluye piloto de aviso de corto-circuito. * Piloto de aviso de Funcionamiento general. 1. OBJETIVOS  Diseñar una fuente regulada, que cumpla con las especificaciones dadas por el usuario.  Fortalecer los conocimientos adquiridos en el curso de Electrónica Básica sobre los fenómenos de rectificación, filtrado y regulación de una señal AC.  Aplicar los conocimientos teóricos de las diversas configuraciones y aplicaciones de los dispositivos electrónicos.  Adquirir destreza y habilidad para solucionar los diversos problemas que se presenten a través de todas las fases de diseño, con el fin de desarrollar soluciones que lleven al buen funcionamiento del circuito.  Implementar el circuito teniendo en cuenta los criterios de diseño.  Analizar los parámetros que permiten la mejor región de operación de los dispositivos logrando mayor estabilidad, disminuyendo los cambios que pueda sufrir el diseño.
  • 4. 2. ESPECIFICACIONES El usuario desea una fuente de poder DC regulada, cuya regulación tenga fuente de corriente constante, red de muestreo, red de comparación o error, elementos de paso o amplificación, red de protección contra cortocircuito que entregue un voltaje de salida de 9 voltios con corriente de carga de 400mA. Teniendo como entrada la señal de línea que presenta 120Vrms a 60Hz. Para cumplir las exigencias del usuario es necesario reducir los valores de voltaje de la señal de entrada a la fuente de poder regulada para convertirla en una señal pulsante ya sea eliminando los semiciclos negativos o aprovechando toda la onda convirtiéndola en una señal unipolar. Después de rectificar la señal se regula el voltaje para que la señal a la salida presente la menor variación posible. A continuación se presenta el diagrama de bloques, en el que se sintetizan las funciones anteriormente descritas y se establecen los submódulos usados para el diseño de una fuente regulada: Transformador Rectificador Filtro Pasa Regulador de Señal A.C. Carga Reductor Onda Completa Bajos Voltaje Diagrama de bloques de una fuente D.C. regulada. 2.1 Transformador de entrada: Reduce el voltaje nominal de línea 110Vrms a un nivel de voltaje deseado. 2.2 Circuito rectificador: Se encarga de convertir el voltaje A.C. del secundario del transformador a un voltaje D.C. pulsante. En este circuito la tensión de salida es una onda sinusoidal rectificada completa. 2.3 Filtro pasabajo: Consigue convertir el voltaje D.C. pulsante entregado por el circuito rectificador en un señal casi continua, lo cual se logra fundamentalmente con un capacitor electrolítico o polarizado. El voltaje entregado por el condensador presenta un pequeño rizado.
  • 5. 2.4 Regulador de voltaje: Su función consiste en mantener el voltaje de D.C. de salida de la fuente constante frente a las variaciones de la corriente de carga y del voltaje de línea. 2.5 Carga: Esta consiste en aparatos o circuitos que se conecta a la fuente para ser polarizados. 3. DISEÑO Y JUSTIFICACIÓN DEL CIRCUTO SELECCIONADO 3.1 TRANSFORMADOR DE ENTRADA: En este módulo se utilizará un transformador que se encarga de reducir el voltaje primario de 110 Vrms de la red a un voltaje secundario de valor 11 Vrms, por lo tanto este elemento presenta una razón de vueltas de 1:10. En este diseño se continuará trabajando con un voltaje pico, por ello es necesario multiplicar por el voltaje de salida 11Vrms. 3.2 CIRCUITO RECTIFICADOR: Está constituido por un puente de diodos que se encarga de hacer una rectificación de onda completa con el objetivo de aprovechar los dos semiciclos de la señal entregada por el módulo anterior. En este caso el voltaje de entrada es una onda sinusoidal variable en el tiempo, se realiza rectificación de onda completa para evitar pérdidas en la señal de entrada y de esta manera el proceso de conversión de AC a DC se hace más fácil, no se usa un rectificador de media onda porque se estaría “perdiendo” la mitad de la señal antes de establecer el nivel de DC deseado; utilizar la rectificación de onda completa mejora en un 100% el nivel DC obtenido a partir de la entrada sinusoidal. A pesar de que el voltaje rectificado no es un voltaje filtrado, contiene una componente DC y una componente de rizo; una ventaja de la señal rectificada de onda completa es que tiene menos rizo que una señal rectificada de media onda y por eso resulta mejor para aplicar a un filtro.
  • 6. 3.3 FILTRO PASABAJO: Se utiliza un filtro de capacitor simple para generar un voltaje DC pulsante y oscilante pero más estable. Tanto más pequeño sea la variación AC con respecto al nivel DC, mejor será la operación del circuito con filtro. 3.4 REGULADOR DE VOLTAJE: Esta es la etapa en donde el voltaje que cae en la carga RL del circuito anterior se convierte a 9 voltios que es lo que se pide inicialmente. Se evaluara varios elementos presentes en el circuito regulador: 3.4.1 Elemento de paso de control: Lo que se utiliza como switch que controla la corriente, suele ser un transistor (2N2222). 3.4.2 Fuente de Corriente: Ubicada al comienzo de la etapa de regulación, no es variable, su valor es fijo gracias a que existen voltajes de zener nominal. 3.4.3 Referencia de tensión: Se constituye como un diodo zener teniendo una resistencia Rz (Resistencia de zener).Sirve para detectar errores en la red de muestreo. 3.5 RED DE MUESTREO: Circuito de dos resistencias las cuales se usan para calcular voltajes a partir de la carga gracias a un divisor de voltaje. 3.6 PROTECCIÓN CONTRA SOBRECARGA: Permite que el circuito no tenga problemas cuando una resistencia de carga muy pequeña requiera de mucha corriente. 3.7 PROTECCIÓN CONTRA CORTO: Cuando hay un corto en la salida, 2 diodos en serie se polarizan inversamente y se abren, esto hace que el transistor que va a tierra entre en corte y se cortocircuite. 4. CALCULO DE COMPONENTES A continuación se presenta un análisis del circuito diseñado con los respectivos cálculos teóricos que permiten determinar el valor de los elementos a usar: La señal de entrada es de 120 Vrms tomados de la red eléctrica local (condición del problema). Se utilizará un transformador cuya relación de vueltas es de 10 a 1 obteniendo de esta forma 12 Vrms.
  • 7. V 1  120Vrms Vo  12Vrms V 1 N1 120 10 120     Vo   12Vrms Vo N 2 Vo 1 10 Vp  Vrms * 2  12 * 2  16.97Vp De acuerdo con las mallas que se presentan en el puente de diodos para los semiciclos positivos y negativos, se encuentra el voltaje rectificado V2 con la ecuación: V2 = Vp–1.4 = 16.97-1.4 V2 = 15.57v Para efectos del manejo de una alta corriente de salida, es conveniente usar un diodo zéner de 1W. En este caso se asumió un voltaje de zéner nominal de 12 V para obtener el zéner fácilmente en el comercio, ya que zéners de voltajes inferiores se encuentran pero con una potencia menor y corren mayor riesgo de quemarse. Diagrama de circuito regulador de voltaje. En base diagrama anterior se hallan las siguientes componentes: 4.1 Selección de los diodos zener y El voltaje de salida se puede expresar así: Vo  VBE 4  VBE 3  VCE 2  VR (1)
  • 8. Si los transistores son del mismo material: VBE 4  VBE 3  VBE Entonces: VR  Vo  2VBE  VCE 2 (2) Tomando como criterio que VCE 2 está en región activa, esto implica que VCE 2 >1v, y como y son constantes escogemos un valor para tal que VCE 2 del transistor este en región activa, Resumiendo se escoge un valor comercial de VR tal que: Pot(max)Q2 VCE ( SAT )  VCE 2  Io Una buena elección es hacer: Vo VCE 2  VR   VBE (3) 2 Reemplazando: Selección del Diodo El voltaje de entrada no regulado se puede expresar como: Vin  VZ 1  VBE1  VEC1  VBE 3  VBE 4  Vo (4) Si utilizamos transistores del mismo material VBE1  VBE 3  VBE 4  VBE entonces: VEC1  (Vin  (VBE  Vo))  VZ 1 (5) La escogencia de VZ1 se va a reflejar en la capacidad que va a tener la fuente para responder ante variaciones del voltaje de entrada Vin. Esto es, si se escoge un valor para VZ1 demasiado alto puede suceder que para un valor de Vin mínimo el término (Vin  (VBE  Vo))  VZ 1 puede hacerse negativo, si suponemos VBE y Vo constantes. Pero como esto no es factible que suceda pues el voltaje VCE > 0, necesariamente deberá disminuir Vo para que la ecuación (5) se siga satisfaciendo: De acuerdo a lo anterior deberá escogerse VZ1 tal que: VEC1  VEC1 ( SAT ) Lo que lleva a: (Vin  (V BE  Vo ))  VZ 1  VEC1( SAT ) (6)
  • 9. La anterior desigualdad puede transformarse en igualdad para el caso en el que se tenga Vin = Vin(min), o sea: (Vin (m in)  (V BE  Vo ))  VZ 1  V EC1( SAT ) Por lo tanto: VZ 1  Vin (m in)  (VBE  Vo  V EC1( SAT ) ) (7) Si comercialmente no es posible conseguir un valor para VZ1 que satisfaga con exactitud la ecuación (5), deberá escogerse entonces VZ1 tal que: VZ 1  Vin (m in)  (V BE  Vo  V EC1( SAT ) ) (8) Se tiene =15.57 esto implica: VINMAX = 15.57V + 0.5V =16.07V VINMIN = 15.57V – 0.5V = 15.07V Reemplazando en la ecuación 8 4.2 Selección de la Fuente de corriente Una vez seleccionado VZ1, se debe escoger el valor apropiado de Io que mantenga al transistor Q2 en su región lineal suministrando además la corriente necesaria en todo momento al transistor amplificador Q3. Esto es: Io  I B 3 m ax  I E 2 (9) IE2 es la corriente requerida por el transistor Q2 para permanecer en su región lineal, previa escogencia del voltaje VCE2. Es importante aclarar aquí que IE2 va a estar variando de acuerdo a los requerimientos de la corriente de carga IL, entre los siguientes valores, a saber: I E 2 m in  Io  I B 3 m ax I E 2 m ax  Io dado que: I B 3  0, I L  0, RL  
  • 10. Pot (max) Q2 Esto es: I B 3 m ax  I E 2  (10) VCE 2 Una buena elección es hacer: I E 2  3I B 3 m ax Io  I B 3 max  I E 2  Io  4 I B 3 max Por lo tanto: Io  4 I B 3 m ax Conociendo ILmax y suponiendo: I L m ax  I 4  I M I L m ax  ( I 4  I M ) I I B 3 m ax   L m ax hfe 3 hfe 4 hfe 3 hfe 4 Por lo tanto: 4 I L m ax Io  (11) hfe 3 hfe 4 Conociendo que y tomando hfe 3  hfe 4  100 obtenemos el valor de Luego VZ 1  VBE1 R3  (12) Io 4.57  0.7 R3   24k 0.16mA Haciendo elegimos Para que trabaje en región zener Vin  V z1 I Z1   I z1 (codo) (13) R5
  • 11. Los diodo normalmente Con ello podemos hallar ya que: Vin (min)  Vz1 15.07  4.57 R5    1k I z1( codo) 10mA 4.3 Red de muestreo Suponemos que IM >> IB2 por lo que podemos expresar IM como un divisor de voltaje independiente del efecto de carga que pueda presentar la impedancia vista desde la base del transistor Q2: R2  Rp 2 VM  Vo (14) R1  R2  Rp 2 Si llamamos a: Rp  Rp1  Rp 2 R   R1  Rp1 R  R2  Rp 2 R  VM  Vo R   R  De aquí tenemos que - De estos resultados y haciendo Rp=0 obtenemos que R´=750 y R”=1.5k 4.4 Referencia de tensión Se escoge I4(óptima) de tal manera que el diodo de referencia VR se encuentre en la región de regulación o región zéner. Vo  VR 9  5.2 3.8V R4     380 (15) I 4(optima ) 10mA 10mA 4.5 Selección de transistores La selección de los transistores se hace con base en la potencia máxima que puede llegar a disipar cada uno de ellos. Las potencias para cada uno de ellos serán:
  • 12. Transistor Q1: PQ1  VCE 1 m ax  Io   PQ1  Vin (m ax)  (VZ 1  Vo  V BE )  Io (16) Transistor Q2: PQ 2  VCE 2 m ax  I E 2 (m ax) VCE 2  cons tan te  Vo  2VBE  VR = 9+2x0.7- 5.2v=5.2 PQ 2  (Vo  2VBE  VR )  Io (17) Transistor Q3: Vin max  (Vo  VBE )  I L (max) PQ3  (18) hfe4 15.07  (9  0.7)  400mA PQ3   0.1w 100 Transistor Q4: PQ 4  (Vin m ax  Vo )  I L (m ax) (19) PQ 4  (15 .07  9)  400 mA  2.4 w 4.6 Protección contra corto Para asegurar que los diodos se encuentren en la región de saturación suponemos una corriente entre 10 mA ≤ I1≤ 20 mA para nuestro caso se toma como 15mA. Con ello hallamos el valor de la resistencia que hace parte de este circuito. Rs = (Vo - Vdiodos) /15mA=(9-1.4)/15mA=506Ω
  • 13. 5. CARACTERISTICAS DE LOS ELEMENTOS  Transformador: Este dispositivo hace parte de los materiales del laboratorio de la facultad. Tiene como objetivo convertir la corriente alterna de alta tensión (110Vrms) y débil intensidad en otra de baja tensión y gran intensidad, o viceversa. En este caso buscamos un número de fases mayor y una tensión conveniente A.C. (10 Vrms) para el funcionamiento del rectificador.  Diodos rectificadores: Son diodos comúnmente de Silicio cuyo voltaje de umbral es 0.7 V, reciben el nombre de diodos rectificadores por emplearse en el proceso de rectificación, sus valores nominales de potencia y corriente son por lo general mucho más altos que los de los diodos utilizados en otras aplicaciones.  Capacitor: Se utilizará un condensador electrolítico porque el valor de capacitancia empleado el bastante alto.  Diodo zéner: Es un diodo que regula 6.8v con capacidad máxima de manejo de potencia de 1 vatio.  Transistor (TIP31): Es un transistor NPN de Silicio amplificador de potencia, estos operan con voltajes pequeños y pueden admitir corrientes relativamente intensas. 6. DIAGRAMA ELECTRICO TOTAL TR1 BR1 FUENTE1 Q4 +88.8 +88.8 TIP31 AC Volts AC Volts +88.8 mA TRAN-2P2S +88.8 C1 R3 Q3 +88.8 Amps BRIDGE AC Volts 2200uF +88.8 22.5k PN2222 Volts D1 MZD4V3 R4 R1 R6 384 760 7.5 +88.8 Volts RL 23.1 +88.8 Q1 Volts TIP32 D3 R5 +88.8 DIODE 1k mA Q2 +88.8 Volts 2N2222 R2 15 D4 DIODE +88.8 Volts D2 BZX55C5V1
  • 14. 7. PLAN DE PRUEBAS Y DATOS ESPERADOS Para comprobar el funcionamiento de cada una de las etapas se utilizará como herramienta básica de medida el Osciloscopio, debido a que es indispensable verificar formas de onda, niveles de voltaje y de frecuencia en la respuesta de cada etapa. SEÑAL DE ENTRADA: Inicialmente se debe determinar la señal real que proporciona la red eléctrica local debido a que la señal de A.C. que en teoría presente 110Vrms a 60Hz es bastante inestable y depende de muchas condiciones externas. TRANSFORMADOR: Este elemento debe recibir la señal de la red y presentar en sus terminales de salida una señal A.C. bipolar reducida 10 veces y con igual frecuencia con respecto a su entrada. Corroborándose que los voltajes se aproximen a los valores indicados en el diseño y la forma de onda y su nivel ( onda de entrada y de salida ) se mantengan. RECTIFICADOR: Inicialmente se verificará la correcta conexión del puente de diodos para obtener el funcionamiento adecuado, para posteriormente realizar el análisis de la señal de salida la cual debe ser pulsante con rectificación de onda completa y un voltaje de aproximadamente 15 V. FILTRO: Debe responder a las necesidades del circuito. Para la función de filtraje que debe cumplir se ha trabajado de uso general, ya que presenta alta tolerancia de capacidad en un pequeño volumen. REGULADOR: Para este módulo inicialmente se debe dividir en submodulos para comprobar la correcta conexión de los elementos que los constituyen a estos mismos, como son la fuente de corriente, la red de muestreo, la protección contra corto y la referencia de tensión. Esta verificación se realizará primero con protección y luego sin protección contra corto circuito.
  • 15. 8. APLICACIONES DEL SISTEMA DISEÑADO La fuente regulada se encarga de mantener un voltaje de salida regulado en un rango de corrientes de carga. Conforme el voltaje de salida trata de variar, una parte de la corriente se consume en los elementos del circuito para mantener el voltaje regulado a través de la carga. Para cambios en la resistencia de carga se produce una variación en el voltaje colector emisor del transistor que permite regular el voltaje suministrado a la salida. El sistema diseñado se puede aplicar en la polarización de elementos (C.I.), o de circuitos que necesiten un voltaje regulado constante. Por ejemplo, el caso de la familia de circuitos integrados TTL que para un óptimo funcionamiento necesita una polaridad de 5 VDC, y se podrían obtener mediante una re evaluación de dispositivos del circuito diseñado. Una de las aplicaciones más importante, puede ser la de aplicar este sistema como supresor de picos de voltaje, aprovechando las características del diodo zéner a los cambios bruscos de voltaje. 9. LISTADO DE LOS ELEMENTOS  1 Transformador  1 Puente de Diodos  1 Condensador  2 Diodos Zener  7 Resistências  2 Diodos  1 Transistores PNP  2 Transistores NPN
  • 16. 10. BIBLIOGRAFIA  CUBILLOS mariano, MOSQUERA Victor Hugo; Circuitos analógicos I.  BOYLESTAD, Robert y NASHELSKY, Louis. Electrónica: Teoría de circuitos sexta edición. Editorial Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Mexico 1997.  http://www.info- ab.uclm.es/labelec/Solar/elementos_del_pc/fuentes_de_alimentacion/f/f_pdf.pdf