Ficha técnica de cinco transistores diferentes, incluye uno JFET y un MOSFET.

1.  PRESENTADO POR: HANCCO QUISPE ELAR EDGAR
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2. El transistor es un
dispositivo electrónico
semiconductor utilizado
para entregar una señal de
salida en respuesta a una
señal de entrada.1 Cumple
funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o
rectificador. El término
«transistor» es la
contracción en inglés de
transfer resistor («resistor
de transferencia»).
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4.  Este componente está formado por una delgada capa de material
semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de ésta aparecen dos
regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del
canal se sitúa un terminal. Así, tenemos un terminal de fuente o surtidor (del
inglés source) y otro de sumidero o drenador (drain). Las dos regiones P se
interconectan entre sí, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de
puerta o graduador (gate).
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5.  En las siguientes figuras,
se muestra un ejemplo de
la familia de curvas
características de surtidor
común de un transistor
JFET de canal N y el
circuito correspondiente
con el que se han obtenido
dichas curvas.
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6.  Este gráfico muestra que al aumentar el
voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para
un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la
corriente aumenta rápidamente (se
comporta como una resistencia) hasta
llegar a un punto A (voltaje de estricción),
desde donde la corriente se mantiene casi
constante hasta llegar a un punto B (entra
en la región de disrupción o ruptura), desde
donde la corriente aumenta rápidamente
hasta que el transistor se destruye.
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8.  Los transistores son semiconductores que constan de 3
terminales: emisor, colector y base. Aquí tienes imágenes de
transistores.
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 En una de ellas, puedes ver a qué patilla
corresponde cada terminal. Hay diferentes tipos
de transistores, pero en este curso sólo
estudiaremos los bipolares. Dentro de ellos,
según como sea la conexión de sus
componentes, hay dos tipos, los NPN y los
PNP. Se simbolizan de la siguiente manera:

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12.  El 2N3055 es un transistor NPN de
potencia diseñado para aplicaciones de
propósito general. Fue introducido en la
década de 1960 por la firma
estadounidense RCA usando el proceso
hometaxial para transistores de
potencia, que luego paso a una base
epitaxial en la década de 1970. Su
numeración sigue el estándar JEDEC. Es
un transistor de potencia muy utilizado
en una gran variedad de aplicaciones.
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13.  Transistor muy usado en fuentes de
alimentación y amplificadores de audio.
 Corriente máxima de colector (Ic) 15
Amperios.
 Tensión de colector a base (CBO) 100
Voltios.
 Tensión de colector a emisor (CEO) 60
Voltios.
 Tensión de emisor a base (EBO) 7 Voltios.
 Ganancia típica de la corriente directa (hfe)
45.
 Frecuencia de transición (Ft) 2.5 MHZ.
 Máxima disipación de potencia en colector
(Pd) 115 W.
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Es un transistor NPN de potencia diseñado para aplicaciones de
propósito general. Fue introducido en la década de 1960 por la firma
estadounidense RCA usando el proceso hometaxial para transistores
de potencia, que luego paso a una base epitaxial en la década de
1970. Su numeración sigue el estándar JEDEC. Es un transistor de
potencia muy utilizado en una gran variedad de aplicaciones

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17.  Número de Parte: IRF840
 Tipo de FET: MOSFET
 Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
 Disipación total del dispositivo (Pd): 125
 Tensión drenaje-fuente (Uds): 500
 Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20
 Corriente continua de drenaje (Id): 8
 Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
150
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
 Tiempo de elevación (tr):
 Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF:
1500
 Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm:
0.85
 Empaquetado / Estuche: TO220
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19.  Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o
NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos
transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o
deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están
prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos
los MOS de acumulación también conocidos como de
enriquecimiento.
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22.  Los HEMT, acrónimo del inglés
High electron mobility transistor
(Transistor de alta movilidad de
electrones), también conocidos
como HFET, acrónimo de
Heterostructure FET (FET de
Heteroestructura, que a su vez es
el acrónimo de Field Effect
Trasistor, transistor de efecto de
campo) o también MODFET,
Modulation-doped FET (Transistor
FET de dopado modulado)
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24.  Diagrama de las
estructuras de banda de
dos InAlAs y InGaAs en
el equilibrio.
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 Semiconductors in contact at
the equilibrium. A 2DEG is
formed at the interface.

25.  http://recursostic.educacion.es/secundaria/edad/4esotecnolog
ia/quincena4/4q2_contenidos_5a.htm
 http://www.steren.com.mx/catalogo/prod.asp?p=510
 http://electronica-teoriaypractica.com/transistor-2n3055/
 http://juliodelgado.galeon.com/
 http://www.unicrom.com/Tut_transistores_MOSFET.asp
 http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSF
ET.html
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