2. EL TRANSISTOR
• El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor
utilizado para entregar una señal de salida en respuesta
a una señal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El
término «transistor» es la contracción en inglés de
transfer resistor («resistor de transferencia»).
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los
aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos,
teléfonos celulares, entre otros.
3. TRANSISTOR JFET (junction Field – Effect
Transistor)
• El JFET, en español transistor de efecto de campo de juntura o
unión; es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que,
según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de
efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las
tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S
(fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del
transistor presentará una curva característica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte,
óhmica y saturación.
5. • Un JFET reúne las características más
interesantes de las válvulas electrónicas, con
las grandes ventajas de los componentes
semiconductores. Según su composición,
existen dos tipos de transistores JFET, los
JFET de canal N y los de canal P.
• En la siguiente figura, se muestra la
estructura de un transistor unipolar JFET de
canal N con su símbolo correspondiente
• Este componente está formado por una delgada capa de material
semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de ésta aparecen dos
regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos
del canal se sitúa un terminal. Así, tenemos un terminal de fuente o
surtidor (del inglés source) y otro de sumidero o drenador (drain). Las
dos regiones P se interconectan entre sí, y hacia el exterior,
constituyendo el terminal de puerta o graduador (gate).
7. TRANSISTORES MOSFET
• El transistor de efecto de campo metal-
óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés
Metal-oxide-semiconductor Field-effect
transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar señales
electrónicas. Es el transistor más
utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el
transistor de unión bipolar fue mucho
más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.
8. • El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados
surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B).
Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se
pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
• El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente
incorrecto ya que el material de la compuerta, que antes
era metálico, ahora se construye con una capa de silicio
policristalino. El aluminio fue el material por excelencia
de la compuerta hasta mediados de 1970, cuando el silicio
policristalino comenzó a dominar el mercado gracias a su
capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las
compuertas metálicas están volviendo a ganar
popularidad, dada la dificultad de incrementar la
velocidad de operación de los transistores sin utilizar
componentes metálicos en la compuerta. De manera
similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la compuerta
también se ha reemplazado por otros materiales con el
propósito de obtener canales fuertes con la aplicación de
tensiones más pequeñas.
10. FOTOTRANSISTOR
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base,
generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de
conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia
propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede
trabajar de 2 formas:
1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se utiliza
principalmente con el pin de la base sin conectar.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base como sin ella y
tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.
11. • Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas,
lápices ópticos, etc. Para comunicaciones con fibra óptica
se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. También
se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos
cuando forman parte de un sensor de proximidad.
• Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con
un LED, formando interruptores ópticos (opto - switch),
que detectan la interrupción del haz de luz por un objeto.
Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.
• Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor,
basta agregar a un transistor común un fotodiodo,
conectando en el colector del transistor el cátodo del
fotodiodo y el ánodo a la base.
12.
13. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
• Llamado también transistor de punta de contacto, fue el
primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en
1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y
el colector. La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de
"transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas)
y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W.
Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la
actualidad ha desaparecido.
14. CARACTERISTICAS DE UN TRANSISTOR DE
CONTACTO PUNTUAL
Algunas características de los transistores de contacto puntual
difieren del transistor de unión después:
La base de la ganancia de corriente de un transistor de contacto
común es de alrededor de 2 a 3, mientras que la de un de un
transistor de unión bipolar es típicamente entre 0,98 y 0,998.
Resistencia negativa diferencial.
Cuando se utiliza en el modo saturado en la lógica digital, se
enganchan en el on-estado, por lo que es necesario eliminar el
poder por un breve periodo de tiempo en cada ciclo de la máquina
que se les devuelva el estado de desconexión.
16. TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
• El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se
debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos),
y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante
baja.
• Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan
generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas
aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.