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JORGE RAMON CHIPOCO ROMERO
Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos
valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de
salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto
de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones
eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y
G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor
presentará una curva cara
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el
que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto
separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico
culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos
fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje:
Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
Las áreas de difusión se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el conductor
entre ellos es la puerta(gate).

Tipo nMOS




Tipo pMOS
Llamado también transistor de
punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por
J. Bardeen y W. Brattain. Consta
de una base de germanio,
semiconductor para entonces
mejor     conocido      que       la
combinación cobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas
que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia
que se "ve" en el colector, de ahí
el nombre de "transfer resistor".
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus
siglas en inglés, se fabrica básicamente
sobre un monocristal de Germanio, Silicio
o Arseniuro de galio, que tienen cualidades
de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y
los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma
muy controlada tres zonas, dos de las
cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes
de electrones (cargas negativas) y la zona
P de aceptadores o "huecos" (cargas
positivas). Normalmente se utilizan como
elementos             aceptadores           P
al Indio (In),Aluminio (Al) o Galio (Ga) y
donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
Los fototransistores son sensibles a
la radiación electromagnética en
frecuencias cercanas a la de
la luz visible; debido a esto su flujo
de corriente puede ser regulado
por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo
mismo que un transistor normal,
sólo que puede trabajar de 2
maneras diferentes:
Como un transistor normal con
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  • 2. Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva cara
  • 3. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p. Las áreas de difusión se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate). Tipo nMOS Tipo pMOS
  • 4. Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor".
  • 5. El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In),Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
  • 6. Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común). Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).