Fstm deust mip-e141_cee_chap_viii_l'amplificateur opérationnel

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Fstm deust mip-e141_cee_chap_viii_l'amplificateur opérationnel

  1. 1. Cours exposé FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques email : nasser_baghdad @ yahoo.fr UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE Pr . A. BAGHDAD 1
  2. 2. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 2 Contenu du programme Chapitre I : Généralités Chapitre II : Régime continu Chapitre III : Régime alternatif sinusoïdal Chapitre IV : Les quadripôles Chapitre V : Les filtres passifs Chapitre VI : Les diodes Chapitre VII : Le transistor bipolaire Chapitre VIII : L’amplificateur opérationnel Partie A Circuits électriques Partie B Circuits électroniques UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  3. 3. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 3 Chapitre VIII UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  4. 4. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 4 I. Généralités sur l’amplificateur opérationnel II. Montages à régime linéaire indépendants de la fréquence III. Montages à régime linéaire dépendants de la fréquence IV. Montages à régime non linéaire UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE Sommaire
  5. 5. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 5 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  6. 6. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 6 1°) Définition 2°) Symbole et notation 3°) Brochage 4°) Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte 5°) Schéma équivalent électrique de l ’amplificateur opérationnel 6°) Propriétés de de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte 7°) Fonction de transfert de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte 8°) Fonctionnement linéaire et non linéaire de l’amplificateur opérationnel 9°) Différents modes de fonctionnement 10°) Hypothèses simplificatrices pour un fonctionnement en linéaire UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  7. 7. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 7 ► Un amplificateur opérationnel (A.O.) est un macro-composant qui contient une vingtaine de transistors (TB ou/et TEC) intégrés sur une même puce semi-conductrice de dimension de l’ordre du mm2. ► La polarisation des transistors internes au composant AO est réalisée à l’aide de deux alimentations continues symétriques V+ = 15V et V– = - 15V. ► L’AO est aussi appelé circuit intégré linéaire (C.I.L.). ► L'amplificateur opérationnel peut être utilisé dans un grand nombre de montages pour, comme son nom l'indique, réaliser de l’amplification ou/et effectuer des opérations (mathématiques). 1°) Définition Circuit Intégré (C.I.L) UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  8. 8. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 8 Amplificateur opérationnel UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  9. 9. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 9 V+ = + 15 V : tension positive d’alimentation. V- = - 15 V : tension négative d’alimentation. e+ : borne d’entrée non inverseuse. e- : borne d’entrée inverseuse. I+ : courant d’entrée non inverseuse I- : courant d’entrée inverseuse ε = e+ - e- : tension différentielle d’entrée s : borne de sortie. 2°) Symbole et notation Européen Masse externe s V+ V- ε I- I+ e- e+ Américain e- e+ s V+ V- ε Masse externe I- I+ s = G0 . ε G0 ≈ 105 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  10. 10. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 10 ■ Le triangle « ►» est le symbole de l’amplification et rappelle qu’il s’agit d’un composant unidirectionnel ■ Le symbole « ∞ » qui se trouve à l’intérieur du schéma du composant signifie que l’on peut idéaliser la caractéristique de transfert de l’AIL. Remarque : Européen Masse externe s V+ V- ε I- I+ e- e+ Américain e- e+ s V+ V- ε Masse externe I- I+ G0 ■ G0 : amplification en tension statique en boucle ouverte (ou gain continu) (ou gain en tension différentielle statique). UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  11. 11. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 11 ► Dans le symbole simplifié de l’amplificateur opérationnel (l’alimentation n’est pas toujours représentée car elle n’intervient pas dans le calcul, mais elle est indispensable en pratique). ► L’AO ne possède pas de masse propre à lui, la masse externe sera donc ôtée du symbole. ► L’AO sera considéré tout le temps idéal, donc I+ = I- = 0, les courants des entrées seront retirés du symbole. ► On s’intéressera à l’utilisation de l’AO en fonctionnement linéaire, donc ε = 0 et e+ = e-, la tension différentielle sera donc retirée du symbole. Symbole simplifié e- e+ e- e+ s s UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  12. 12. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 12 ■ La masse des alimentations symétriques est la référence de tous les potentiels ■ Il possède 8 bornes (ou 8 broches) mais 5 bornes sont généralement utilisées : 3°) Brochage + - + - 7 4 Masse externe UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  13. 13. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 13 ■ Impédance d’entrée différentielle très élevée : ZE = RE ≥ 1 MΩ ■ Impédance de sortie très faible : ZS = RS ≤ 50 Ω ■ Gain en tension différentielle statique (ou gain continu) très élevé : G0 ≈ 105 Amplificateur réel en BO Amplificateur idéal en BO ■ Impédance d’entrée différentielle : ZE = RE ≈ ∞ ===> I- = I+ = 0 ■ Impédance de sortie : ZS = RS ≈ 0 Ω ■ Gain différentielle statique : G0 ≈ ∞ 4°) Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  14. 14. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 14 5°) Schéma équivalent électrique de l ’amplificateur opérationnel Amplificateur réel (AOR) en BO Amplificateur idéal (AOI) en BO AOI ===> I+ = I- = 0 car ZE = RE ~ ∞ ε = e+ - e- s ≈ ∞~ e- e+ ε ∞ 0 G0 (e+ - e-) s G0 ≈ ∞ ε = e+ - e- s = G0 ε~ e- e+ ε ZE ZS G0 (e+ - e-) s G0 ≈ 105 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  15. 15. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 15               dBsoitGGf TBFdispositifHzqcqf sradqcqcoupuredepulsation f f j G j Gs G c c cc 100100 100 /10 11 5 0 00     ■ La bande passante BP ou la bande d’utilisation de l’AOR va de 0 à fc. ■ Comme fc = à qcq 100 Hz alors l’AO est un dispositif TBF (de 0 à 30 kHz) ■ L’AOR en BO se comporte comme un filtre passe-bas actif du 1er ordre AO en BO est un dispositif TBF ■ L’amplification en tension (ou gain en boucle ouverte) dépend de la fréquence. 6°) Propriétés de de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte Amplificateur réel en BO )(dBG G0 (dB) = 100 dB - 20 dB/décade F.P.B. 20 dB 40 dB 60 dB 80 dB 0 dB 1 10 102 103 décade 20 dB Réponse idéale (asymptotique)  flog G f G0 Réponse réelle Réponse idéale (asymptotique) fc0 G0/√2 F.P.B UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  16. 16. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 16 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE ess e e vGvvs vee ve e            0 0  ► La fonction de transfert s = f(ε) est fournie en fonctionnement de l’AO en BO 7°) Fonction de transfert de l’AO en boucle Ouverte : s = f (ε ) Amplificateur réel en BO : G0 ≈ 105 + - ve vs ~ e- e+ AOR en BO ε s -Vsat +Vsat ε = e+ - e- Zone 3 Zone 2 Zone 1 ∆ε εm de qcq mV mm   Régime saturé Régime saturé Régime linéaire +εm -εm m m  m m  s t + Vsat ≈ V+ – (1 à 2 V) - Vsat ≈ V- + (1 à 2 V) + Vsat - Vsat VVsat 5,13
  17. 17. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 17 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE On distingue trois zones de fonctionnement : • Zone 1 : s = G0 ε • Zone 2 : s = + Vsat • Zone 3 : s = - Vsat ► Dans le domaine linéaire : 5 500 10 10.13 5,13 .2 .2      V VVss GavecGs m sat   VmVm 5 10.1313,0   VVsoitVàVV satsat 5,1321    s -Vsat +Vsat ε = e+ - e- Zone 3 Zone 2 Zone 1 ∆ε εm de qcq mV mm   Régime saturé Régime saturé Régime linéaire +εm -εm m m 
  18. 18. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 18 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE • Zone 1 se réduit à : ε = 0 e+ = e- et -Vsat < s < +Vsat FL • Zones 2 et 3 : si ε > 0 e+ > e- alors s = + Vsat FNL si ε < 0 e+ < e- alors s = - Vsat ► On constate que la tension différentielle ε est très faible aux autres tensions du circuit (de l’ordre du 1/10 du mvolt, le plus souvent) ; on pourra ainsi considérer, dans la zone linéaire, que ε = 0 (ce qui revient à un gain infini) : linéairedomaineledans VVsmaisG ss eesoit sat           5,13 0 0 0   Si ε = 0 <====> e+ = e- alors FL Amplificateur idéal en BO : G0 → ∞ temps -Vsat +Vsat s ε G0 ~ ∞ s ε = e+ - e- -Vsat +Vsat Zone 3 Zone 2
  19. 19. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 19 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE Fonctionnement non linéaire FNLε s Signal de sortie s n’a pas la même forme que celui de l’entée e ou complètement déformé Fonctionnement linéaire FLε s Signal de sortie s a la même forme que celui de l’entée e En fonctionnement linéaire, la tension à amplifier ne pourra pas être appliquée directement entre les bornes inverseuse ou/et non inverseuse : nécessité au préalable d’une boucle de rétroaction 8°) Fonctionnement linéaire et non linéaire de l’AO
  20. 20. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 20 + - ve vs e- e+ ~ AOI en BO ve + Vsat - Vsat 0 T vs temps ess e e vGvvs vee ve e            0 0  phasedeoppositionenvetv es Exemple n°1 de FNL :         satVstatiquemmen sentThéoriquem petitmoindreLe GAOI Gs :Pr : 0 0   UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  21. 21. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 21 vs         satVstatiquemmen sentThéoriquem petitmoindreLe GAOI Gs :Pr : 0 0   ess e e vGvvs vee ve e            0 0  phaseenvetv es Exemple n°2 de FNL : ve + Vsat - Vsat 0 T temps + - ve vs ~ e- e+ AOI en BO UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  22. 22. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 22 00 0 BBetGGAutrement VsVréactioncontreenAOI satsat    es e s vv ee ve ve            0 Exemple de FL : es vv  - Vsat 0 T vs = ve temps + Vsat + - ve vs ~ e- e+ AOI en CR 1 e s v v G UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  23. 23. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 23 ► Il existe 4 façons de faire fonctionner l’ AO : AO en boucle ouverte AO en réaction négative (ou en rétroaction) ( ou en contre réaction) AO en réaction positive (ou en réaction) AO en réaction positive et négative discussion ε = 0 ε = 0 ou ε ≠ 0ε ≠ 0 ε ≠ 0 FNL FNL FL FL ou FNL CR (ou RN) ====> ε = 0 <====> e+ = e- alors FL 9°) Différents modes de fonctionnement + - + - + - + - UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  24. 24. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 24 Boucle ouverte ou Réaction positive : Fonctionnement en régime saturé (ou non linéaire) Réaction négative (ou contre réaction) : Fonctionnement en régime linéaire ε = 0 e+ = e- et -Vsat < s < +Vsat si e+ > e- alors s = + Vsat si e+ < e- alors s = - Vsat La contre réaction : diminue le gain en tension et augmente la bande passante + - + - + - UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  25. 25. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 25 Résistance d’entrée infinie (AOI) ====> I+ = I- = 0 Contre réaction ====> ε = 0 <====> e+ = e- Circuit de contre réaction peut être un fil, un dipôle ou un quadripôle 10°) Hypothèses simplificatrices pour un fonctionnement en linéaire + - D + - Q + - UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  26. 26. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 26 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  27. 27. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 27 1°) Montages fondamentaux 2°) Montages particuliers UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  28. 28. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 28 Montage suiveur 1°) Montages fondamentaux 1 e s es v v Gvv + - ve vs ~ e- e+     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  29. 29. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 29 Montage amplificateur inverseur 1 2 1 2 R R v v Gv R R v e s es  + - R2 ve R1 vs~ e- e+     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  30. 30. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 30 + - R0 ve R0 vs~ e- e+ Montage inverseur 1 0 0  e s ees v v Gvv R R v     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  31. 31. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 31 Montage amplificateur non inverseur 1 2 1 2 11 R R v v Gv R R v e s es        + - R2 ve R1 vs ~ e- e+     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  32. 32. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 32 Montage sommateur  21 vvvs  + - R3 v1 R1 vs~ v2 R2 ~ e- e+     eeCR IIAOI 0 0         2 2 3 1 1 3 v R R v R R vs 0321 RRRRSi  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  33. 33. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 33 Montage sommateur non inverseur + - R4 R2 R3 R1 vs e- e+ v2 ~ v1 ~ 21 VVVs           2 1 3 1 1 4 43 21 v R R v R R RR RR vs 04321 RRRRRSi      eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  34. 34. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 34 Montage soustracteur + - R3 R4 R2 R1 vs e- e+ v2 ~ v1 ~  12 1 2 vv R R vs  04321 RRRRRSi 4231 RRetRRSi  12 vvvs           1 1 2 2 43 21 1 4 v R R v RR RR R R vs     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  35. 35. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 35 Montage intégrateur     dttv RC tv es 1 + - C ve R vs~ e- e+     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  36. 36. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 36 Montage dérivateur dt dV RCV e s  + - R ve C vs~ e- e+     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  37. 37. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 37 Montage logarithmique + - ve R vs V i diode e- e+     eeCR IIAOI 0 0         0 ln RI v uv e Ts UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  38. 38. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 38 Vd Id diodeRappel : → La tension uT est correspond à la tension thermodynamique, d'une valeur de 25 mV environ à l’ambiance. → Is correspond au courant de saturation de la diode D ou courant inverse, de qcq nA.          1T d u V satd eII → Le courant à traversant la diode est donné par la relation :        s d Td u V sd I I uValorseIIsidirectEn T d ln: UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  39. 39. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 39 Montage anti-logarithmique (ou exponentiel) diode + - ve R vs V i e- e+     eeCR IIAOI 0 0         T e ss u v IRv exp UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  40. 40. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 40 + - R R vs v2 C v1 C e+ e- Montage intégrateur différentiel         dttvtv RC tvs 12 1     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE 2°) Montages particuliers
  41. 41. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 41 gs iRv  Source de tension simple ~ vs - +R v iiRv eeete s ggs    00 vs R ig + - e- ~ e+     eeCR IIAOI 0 0  f.e.m UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  42. 42. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 42 Source de tension amélioré vs’ R1 ig + - vs R3 + -R2     eeCR IIAOI 0 0      eeCR IIAOI 0 0  gs i R RR v    2 31 ~ vs + - f.e.m UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  43. 43. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 43 + -R1 R2 R4R3 vs eg r i Source de courant → Fournit un courant i indépendant du circuit de charge (d'impédance r ici) → Montage nommé source de Howland     eeCR IIAOI 0 0  3 3241 R e iRRRRSi g  ~ i c.e.m UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  44. 44. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 44 vs v1 R2 RG + - + - R1 v2 + - R0R0 R0R0 S1 S2 Amplificateur d'instrumentation     eeCR IIAOI 0 0   21 12 1 vv R RR v G s          213 vvvs  021 RRRRSi G  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  45. 45. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 45 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  46. 46. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 46 1°) Filtre actif passe bas de 1er ordre 2°) Filtre actif passe haut de 1er ordre UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  47. 47. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 47 CRjR R H 21 2 1 1   → Gain d’un amplificateur inverseur : → Fréquence de coupure : 1 2 0 R R AH  CR fC 22 1   C j H H     1 0 Configuration n°1 1°) Filtre actif passe bas de 1er ordre Filtre à contre réaction simple ve vs + - R1 C R2     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  48. 48. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 48 CRjR R H         1 1 1 1 2 → Gain d’un amplificateur non inverseur : → Fréquence de coupure : 1 2 0 1 R R AH  CR fC 2 1  C j H H     1 0 Configuration n°2 ve vs + - C R2 R1 R Filtre à contre réaction simple     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  49. 49. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 49   CRj CRj R R H 1 1 1 2 1 → Gain d’un amplificateur inverseur : → Fréquence de coupure si : 1 2 0 R R H  CR fC 12 1   C C j j HH       1 0 Configuration n°1 2°) Filtre actif passe haut de 1er ordre ve vs + - C R2 R1 Filtre à contre réaction simple     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  50. 50. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 50   CRj CRj R R H         1 1 1 2 → Gain d’un amplificateur non inverseur : → Fréquence de coupure : 1 2 0 1 R R HA  CR fC 2 1  C C j j HH       1 0 Configuration n°2 ve vs + -C R2 R1 R Filtre à contre réaction simple     eeCR IIAOI 0 0  UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  51. 51. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 51 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  52. 52. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 52 1°) Comparateurs simples de valeur relative 2°) Comparateurs simples de valeur absolue 3°) Comparateurs à seuils ou à hystéresis (ou triggers de Scmitt) UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  53. 53. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 53 ► On distingue deux types de montages comparateurs selon les positions respectives de Ve(t) et VREF = E0 sur les entrées du comparateur. Montages comparateurs simples de valeur relative E0 Ve Vs + _ + _~ Vs + _ + _~ Comparateur non inverseur Comparateur inverseur AOI en BO AOI en BO En permutant Ve(t) et V0, on obtient E0 = 0 E0 > 0 E0 < 0 E0 Ve 1°) Comparateurs simples de valeur relative Sortie binaire Sortie binaire UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  54. 54. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 54 Montage comparateur simple non inverseur de valeur relative : Montage n°1 Montage n°2 + Montage n°3 + Ve Vs + _ ~ VREF = E0 = 0 E0 Ve Vs + _ + _~ E0 > 0 E0 Ve Vs _ + _ ~ E0 < 0 + UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  55. 55. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 55 t Vs + Vemax Ve t E0 - Vemax + Vsat         VVsVee VVsVee sate sate 00 00   seuil Montage n°1 tbasculemendeseuil Ve :0 00   Chronogrammes - Vsat Si Ve = E0 = 0 basculement + e- Ve Vs + _e+ ~ VREF = E0 = 0E0 Ve > 0 Ve < 0 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  56. 56. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 56 t Vs + Vemax Ve t E0 - Vemax Ve > E0 Ve < E0 Si Ve = E0  basculement         VVsVVee VVsVVee sate sate 0 0 0 0   seuil tbasculemendeseuilV VVe : 0 0 0   Montage n°2 Chronogrammes E0 Ve Vs + _ + _~ E0 > 0 + Vsat - Vsat UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  57. 57. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 57 Fonctions de transfert des comparateurs simples non inverseurs Vs -Vsat +Vsat 0 Ve satse satse eREFe VVEV VVEV EVVVee     0 0 0 0 0    Vs -Vsat +Vsat 0 Ve 00  EVREF 0 0 0 0 00  EVREF + e- Ve Vs + _e+ ~ VREF = E0 = 0E0 E0 Ve Vs + _ + _~ E0 > 0 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  58. 58. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 58 ► On distingue deux types de montages comparateurs selon les positions respectives de Ve(t) et VREF = E0 sur les entrées du comparateur. Montages comparateurs simples de valeur absolue E0 = 0 E0 > 0 E0 < 0 E0 Ve Vs + _+ _~ R1 R2 e- e+ Comparateur non inverseurAOI en BO Sortie binaire E0 Ve Vs + _ + _~ R1 R2 e- e+ Comparateur inverseur AOI en BO Sortie binaire 2°) Comparateurs simples de valeur absolue UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  59. 59. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 59 Montage n°1 VREF = V0 = 0E0 Ve Vs + _ ~ R1 R2 e- e+ Montage n°2 V0 > 0VE0 Ve Vs + _+ _~ R1 R2 e- e+ V0 < 0 Montage n°3 E0 Ve Vs + _ + _ ~ R1 R2 e- e+ Montage comparateur simple non inverseur de valeur absolue : UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  60. 60. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 60 Montage n°1 VREF = E0 = 0E0 Ve Vs + _ ~ R1 R2 e- e+ 0:00 0:0 21 2 21 2                  seuilee e VSeuilV RR R V eesitBasculemen RR R Veete seuileesatS seuileesatS VVVeesiVV VVVeesiVV     0 0 0eVsitBasculemen 0seuilV UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  61. 61. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 61 Montage n°2 E0 > 0E0 Ve Vs + _+ _~ R1 R2 e- e+ 0 2 1 0 2 1 21 2 21 1 0 21 2 21 1 0 :0 0:0 E R R VSeuilE R R V RR R V RR R E eesitBasculemen RR R V RR R Eeete seuilee e                                            seuileesatS seuileesatS VE R R V RR R V RR R EeesiVV VE R R V RR R V RR R EeesiVV                                 0 2 1 21 2 21 1 0 0 2 1 21 2 21 1 0 0 0 0 2 1 E R R VsitBasculemen e        0seuilV UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  62. 62. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 62 + Vemax Ve t - Vemax Ve >Vseuil Ve < Vseuil Si Ve = Vseuil  basculement Vseuil t Vs 0 2 1 V R R VVsitBasculemen seuile        seuilesatS seuilesatS VV R R VsiVV VV R R VsiVV   0 2 1 0 2 1 Chronogrammes + Vsat - Vsat UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  63. 63. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 63 seuilesatS seuilesatS VE R R VsiVV VE R R VsiVV   0 2 1 0 2 1 Vs -Vsat +Vsat 0seuilV Ve > Vseuil Ve < Vseuil Ve Fonction de transfert 0 2 1 E R R VVsitBasculemen seuile        UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  64. 64. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 64 3°) Comparateurs à seuils ou à hystérésis (Trigger de Schmitt) e2 e1 Vs + _ + _ R2 R1 ~ e1 e2 Vs + _+ _ R2 R1 ~ ► Dans le cas général, les entrées e1 et e2 du montage reçoivent d’une part le signal à comparer ve(t) et d’autre part une tension de référence VREF = E0 Trigger inverseur Trigger non inverseur UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  65. 65. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 65 Montage comparateur à hystérésis non inverseur (Trigger non inverseur) : E0 Vs + _ R2 R1 ~ E0 Vs + _ + _ R2 R1 ~ E0 Vs + _ + _ R2 R1 ~ Montage n°1 VREF = E0 = 0 Montage n°2 E0 > 0 Montage n°3 E0 < 0 Ve Ve Ve UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  66. 66. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 66 Montage n°1 VREF = E0 = 0E0 Ve Vs + _ R2 R1 ~ SatSSatBH SeeS es VVcarV R R VVseuilsLes V R R V RR R V RR R V eesitBasculemenEeet RR R V RR R Ve                                             2 1 /2/1 2 1 21 2 21 1 0 21 2 21 1 : 0 0 VH et VB (seuils de commutation de la sortie) sont les valeurs de la tension Ve qui font changer la valeur de la sortie Vs UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  67. 67. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 67 SatBSatH SeeS es V R R VetV R R VseuilsLes V R R V RR R V RR R V eesitBasculemeneet RR R V RR R Ve                                                   2 1 2 1 2 1 21 2 21 1 21 2 21 1 :2 0 00 HeesatsatS BeesatsatS VV R R V RR R V RR R VeealorsVVLorsque VV R R V RR R V RR R VeealorsVVLorsque                                             0 2 1 21 2 21 1 0 2 1 21 2 21 1 0 0 satSHe satSBe VVVVSi VVVVSi   satSHe satSBe VVVVSi VVVVSi   UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  68. 68. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 68 BeHesatS HeBesatS VVetVVsiVV VVetVVsiVV      Bsatsats ème Hsatsats èr VseuilVàVdepasseVcycle VseuilVàVdepasseVcycle ::2 ::1   Cycle d’hystérésis : Vs = f(Ve) Vs Ve VB VH + Vsat - Vsat UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  69. 69. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 69 VH VB Ve t t Vs +Vsat -Vsat BeHesatS HeBesatS VVetVVsiVV VVetVVsiVV   UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  70. 70. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 70 Montage n°2 E0 > 0 E0 Ve Vs + _ + _ R2 R1 ~ SatBH SeeS es V R R E R RR VVseuilsLes V R R E R RR V RR R V RR R VE eesitBasculemenEeet RR R V RR R Ve                                                           2 1 0 1 21 /2/1 2 1 0 1 21 21 2 21 1 0 0 21 2 21 1 : VH et VB (seuils de commutation de la sortie) sont les valeurs de la tension Ve qui font changer la valeur de la sortie Vs UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  71. 71. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 71 SatBSatH SeeS es V R R V R RR VetV R R V R RR VseuilsLes V R R V R RR V RR R V RR R VV eesitBasculemenVeet RR R V RR R Ve                                                                        2 1 0 2 21 2 1 0 2 21 2 1 0 2 21 21 2 21 1 0 0 21 2 21 1 : HsateesatsatS BsateesatsatS VV R R V R RR VV RR R V RR R VeealorsVVLorsque VV R R V R RR VV RR R V RR R VeealorsVVLorsque                                                           2 1 0 2 21 0 21 2 21 1 2 1 0 2 21 0 21 2 21 1 satSHe satSBe VVVVSi VVVVSi   0 < V0 < Vsat 0HV 0BV UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  72. 72. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 72 satSBe satSHe VVVVSi VVVVSi      Hsatsats ème Bsatsats èr VseuilVàVdepasseVcycle VseuilVàVdepasseVcycle ::2 ::1   Vs Ve VB VH + Vsat - Vsat Cycle d’hystérésis : Vs = f(Ve) BeHesatS HeBesatS VVetVVsiVV VVetVVsiVV   UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  73. 73. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 73 Fin du chapitre VIII UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
  74. 74. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 74 Fin de l’exposé de cours Module : E141 UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE

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