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SEMICONDUCTORES 
CURSO: FISICA ELECTRÓNICA 
AUTOR: CARLOS GUERRERO OCUPA
INTRODUCCIÓN. MATERIALES CONDUCTORES 
Todos los cuerpos o elementos químicos existentes en la 
naturaleza poseen características diferentes, agrupadas 
todas en la denominada “Tabla de Elementos Químicos”. 
Desde el punto de vista eléctrico, todos los cuerpos simples 
o compuestos formados por esos elementos se pueden 
dividir en tres amplias categorías: 
• Conductores 
• Aislantes 
• Semiconductores
MATERIALES CONDUCTORES 
• En la categoría “conductores” se encuentran agrupados 
todos los metales que en mayor o menor medida 
conducen o permiten el paso de la corriente eléctrica por 
sus cuerpos. 
• Los conductores de cobre son 
los materiales más utilizados en 
los circuitos eléctricos por la 
baja resistencia que presentan 
al paso de la corriente.
SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS" 
• Se dice que un semiconductor es “intrínseco” 
cuando se encuentra en estado puro, o sea, que 
no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro 
tipo dentro de su estructura. En ese caso, la 
cantidad de huecos que dejan los electrones en la 
banda de valencia al atravesar la banda prohibida 
será igual a la cantidad de electrones libres que 
se encuentran presentes en la banda de 
conducción.
SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS" 
• Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de 
un elemento semiconductor intrínseco, algunos de los 
enlaces covalentes se rompen y varios electrones 
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la 
atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los 
mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de 
conducción y allí funcionan como “electrones de 
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un 
átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, 
siempre que el elemento semiconductor se estimule 
con el paso de una corriente eléctrica.
SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS" 
Como se puede observar en la ilustración, en el caso de los semiconductores 
el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en 
comparación con los materiales aislantes.
SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS" 
Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta solamente por átomos 
de silicio (Si) que forman una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los 
átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de 
valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear 
así un cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se 
comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.
LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS 
• El dopaje consiste en 
sustituir algunos átomos 
de silicio por átomos de 
otros elementos. A estos 
últimos se les conoce con 
el nombre de impurezas. 
Dependiendo del tipo de 
impureza con el que se 
dope al semiconductor 
puro o intrínseco 
aparecen dos clases de 
semiconductores.(5) 
• Semiconductor tipo P 
• Semiconductor tipo N 
Sentido del movimiento de un electrón y un 
hueco en el silicio.
Caso 1 Dopado de un semiconductor 
• Impurezas de valencia 5 
(Arsénico, Antimonio, 
Fósforo). Tenemos un 
cristal de Silicio dopado con 
átomos de valencia 5 
• Los átomo de valencia 5 
tienen un electrón de más, 
así con una temperatura no 
muy elevada (a 
temperatura ambiente por 
ejemplo), el 5º electrón se 
hace electrón libre. Esto es, 
como solo se pueden tener 
8 electrones en la órbita de 
valencia, el átomo 
pentavalente suelta un 
electrón que será libre.
Caso 2 
• Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, 
Galio). Tenemos un cristal de Silicio 
dopado con átomos de valencia 3. 
• Los átomo de valencia 3 tienen un 
electrón de menos, entonces como nos 
falta un electrón tenemos un hueco. Esto 
es, ese átomo trivalente tiene 7 
electrones en la orbita de valencia. Al 
átomo de valencia 3 se le llama "átomo 
trivalente" o "Aceptor". 
• A estas impurezas se les llama 
"Impurezas Aceptoras". Hay tantos 
huecos como impurezas de valencia 3 y 
sigue habiendo huecos de generación 
térmica (muy pocos). El número de 
huecos se llama p (huecos/m3). (7)
Elementos dopantes 
• Para los semiconductores del 
Grupo IV como Silicio, 
Germanio y Carburo de silicio, 
los dopantes más comunes 
son elementos del Grupo III o 
del Grupo V. Boro, Arsénico, 
Fósforo, y ocasionalmente 
Galio, son utilizados para 
dopar al Silicio. 
Ejemplo de dopaje de Silicio por el 
Fósforo (dopaje Tipo N). En el caso del 
Fósforo, se dona un electrón
ejemplo de dopaje «tipo p» 
• El siguiente es un ejemplo 
de dopaje de Silicio por el 
Boro (P dopaje). En el caso 
del boro le falta un electrón 
y, por tanto, es donado un 
hueco de electrón.La 
cantidad de portadores 
mayoritarios será función 
directa de la cantidad de 
átomos de impurezas 
introducidos. 
En el doping tipo p, la creación de agujeros, es 
alcanzada mediante la incorporación en el 
silicio de átomos con 3 electrones de valencia, 
generalmente se utiliza boro.(9)
CONCLUSIONES 
En la producción de 
semiconductores, se 
denomina dopaje al 
proceso intencional de 
agregar impurezas en un 
semiconductor 
extremadamente puro 
(también referido como 
intrínseco) con el fin de 
cambiar sus propiedades 
eléctricas. Las impurezas 
utilizadas dependen del 
tipo de semiconductores 
a dopar. 
Un semiconductor es 
“intrínseco” cuando se 
encuentra en estado puro, o sea, 
que no contiene ninguna 
impureza, ni átomos de otro tipo 
dentro de su estructura. En ese 
caso, la cantidad de huecos que 
dejan los electrones en la banda 
de valencia al atravesar la banda 
prohibida será igual a la cantidad 
de electrones libres que se 
encuentran presentes en la 
banda de conducción
webgrafía 
• http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_s 
emiconductor_5.htm 
• http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp 
• http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema 
2/Paginas/Pagina5.htm 
• http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema 
2/Paginas/Pagina5.htm 
• http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores) 
• http://ecotecnologias.wordpress.com/tag/celdas-solares/ 
•
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SemiConductores

  • 1. SEMICONDUCTORES CURSO: FISICA ELECTRÓNICA AUTOR: CARLOS GUERRERO OCUPA
  • 2. INTRODUCCIÓN. MATERIALES CONDUCTORES Todos los cuerpos o elementos químicos existentes en la naturaleza poseen características diferentes, agrupadas todas en la denominada “Tabla de Elementos Químicos”. Desde el punto de vista eléctrico, todos los cuerpos simples o compuestos formados por esos elementos se pueden dividir en tres amplias categorías: • Conductores • Aislantes • Semiconductores
  • 3. MATERIALES CONDUCTORES • En la categoría “conductores” se encuentran agrupados todos los metales que en mayor o menor medida conducen o permiten el paso de la corriente eléctrica por sus cuerpos. • Los conductores de cobre son los materiales más utilizados en los circuitos eléctricos por la baja resistencia que presentan al paso de la corriente.
  • 4. SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS" • Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.
  • 5. SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS" • Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica.
  • 6. SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS" Como se puede observar en la ilustración, en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes.
  • 7. SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS" Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.
  • 8. LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS • El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores.(5) • Semiconductor tipo P • Semiconductor tipo N Sentido del movimiento de un electrón y un hueco en el silicio.
  • 9. Caso 1 Dopado de un semiconductor • Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 5 • Los átomo de valencia 5 tienen un electrón de más, así con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5º electrón se hace electrón libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un electrón que será libre.
  • 10. Caso 2 • Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 3. • Los átomo de valencia 3 tienen un electrón de menos, entonces como nos falta un electrón tenemos un hueco. Esto es, ese átomo trivalente tiene 7 electrones en la orbita de valencia. Al átomo de valencia 3 se le llama "átomo trivalente" o "Aceptor". • A estas impurezas se les llama "Impurezas Aceptoras". Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generación térmica (muy pocos). El número de huecos se llama p (huecos/m3). (7)
  • 11. Elementos dopantes • Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los dopantes más comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsénico, Fósforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio. Ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo (dopaje Tipo N). En el caso del Fósforo, se dona un electrón
  • 12. ejemplo de dopaje «tipo p» • El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrón y, por tanto, es donado un hueco de electrón.La cantidad de portadores mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos. En el doping tipo p, la creación de agujeros, es alcanzada mediante la incorporación en el silicio de átomos con 3 electrones de valencia, generalmente se utiliza boro.(9)
  • 13. CONCLUSIONES En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. Un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción
  • 14. webgrafía • http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_s emiconductor_5.htm • http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp • http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema 2/Paginas/Pagina5.htm • http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema 2/Paginas/Pagina5.htm • http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores) • http://ecotecnologias.wordpress.com/tag/celdas-solares/ •
  • 15. Envía la dirección de tu publicación a tu profesor. www.slideshare.net