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Instituto Superior de
Engenharia de Lisboa
Discente
Daniel Ferreira
ODS- MEET
Lisboa, 16 de Julho de 2014
Índice INTRODUÇÃO
RESUMO
CARACTERÍSTICA I-V
EFICIÊNCIA ESPECTRAL
CONCLUSÕES
BIBLIOGRAFIA
2ODS
3
INTRODUÇÃO(1/4)
 O AFORS-HET é um software
Open Source que permite uma
simulação numérica de vários
parâmetros de células solares e
de dispositivos constituídos por
materiais optoelectrónicos
 Modelização e simulação 1D de
uma estrutura constituída por
vários layers semicondutores e
interfaces
 Variações de parâmetros
arbitrários (simulações de
variáveis externas que afectam o
funcionamento do dispositivo) e
variações do(s) parâmetro(s) em
estudo 4
 Diagramas de banda, estudo IV,
recombinação, mudanças de
fase, resposta espectral, etc.
 Modelização e simulação 1D de
uma estrutura constituída por
vários layers semicondutores e
interfaces
INTRODUÇÃO–CONCEITODOS(2/4)
 Uma Banda simples possui N –
estados – Apenas uma fracção
deles está ocupada
 Pergunta: Quantos estados estão
ocupados até E? Ou quantos
estados por unidade de energia?
(DOS)
 A DOS de uma estrutura
caracteriza o número de estados
por intervalo de energia por cada
nível que podem ser ocupados
por electrões;
5
INTRODUÇÃO–CONCEITODOS(3/4)
6
INTRODUÇÃO–PIN/PINIP(4/4)
 Os dispositivos são PINIP são
baseados nos dispositivos PIN.
 Os PINIP obtém a sua designação
através da camada I (região
intrínseca situada entre a camada
P e a camada N
 O PINIP pode ser representado
como um díodo, que depende to
bias (tensão) aplicada para que
conduza.
 O a-SI:H (silício amorfo
hidrogenado) é mais indicado
para aplicações de detecção de
cores em virtude da sua eficiência
de absorção nomeadamente na
zona visível do espectro 7
8
Consideraçõesiniciais
 Estudo assentou em três cores no
espectro do visível;Vermelho,
Verde e Azul (RGB – Red. Green &
Blue)
9
COR λ Escolhido[nm]
Intervalo de λ
[nm]
Azul 455 450-490
Verde
555 490-560
Vermelho
655 635-700
 Estrutura do dispositivo por
camadas
10
 Foi considerada iluminação
monocromática com uma
densidade de fluxo de fotões de
2,8E+17 1/cm2 s e uma range de
tensão entre -1 e 1V
 Cada cor representa o
comprimento de onda em estudo
 Cor azul e vermelha distinguem-
se bem
11
CaracterísticaI-V(1/4)
COR λ Escolhido[nm]
Intervalo de λ
[nm]
Azul 455 450-490
Verde
555 490-560
Vermelho
655 635-700
 O próximo teste foi alterar o
fluxo de fotões para 2,8E+20
1/cm2 s
12
CaracterísticaI-V(2/4)
 Característica IV para PINIP, fluxo
fotões de 2,8E+15 1/cm2 s
13
CaracterísticaI-V(3/4)
CaracterísticaI-V(4/4)
 Após várias tentativas…
14
15
RespostaEspectral
 Para uma melhor visualização da
resposta aumentou-se a gama de
comprimentos de onda,
“alargando-a” do visível para
uma gama que compreende
comprimentos de onda entre os
200nm e os 700nm
 Em termos das cores em estudo,
esta gama é mais próxima do
Azul e doVerde, sendo a cor
Vermelha a cor que este
dispositivo tem mais dificuldades
em identificar
16
17
Conclusões(1/2)
 O AFORS-HET possui algumas
limitações. Por exemplo, na
simulação dos três
comprimentos de onda para as
cores pretendidas, não podemos
utilizar três comprimentos de
onda com valores que não sejam
proporcionais entre si senão dá
um erro
 Uma vantagem da simulação 1D,
foi a verificação que a luz
atravessa as várias camadas
sendo fundamental que o valor
do hiato energético (Eg) das
camadas seja feito do maior para
o menor
 Em relação à resposta espectral,
podemos concluir que estudos e
experiências relativos à melhoria
dos resultados dos
comprimentos de onda do
Vermelho podem ser realizados
com materiais/espessuras
tornando este dispositivo mais
selectivo e robusto
 A DOS, com os seus parâmetros
Cb_Tail – aceitadores,VbTail –
receptores permitiu a correcção
do parâmetro chi num layer da
estrutura
18
Conclusões(2/2)
 Em relação ao dispositivo PINIP,
para detecção de cores,
 ESTRUTURA DO DISPOSITIVO
 ESPESSURA DAS CAMADAS
 INTENSIDADE DE FLUXO DE
FOTÕES
19
20
Bibliografiaesitesinteressantes
21
[1] Silício amorfo:
http://wikienergia.com/~edp/index.php?title=
Sil%C3%ADcio_amorfo [Acedido a 13 de Julho
de 2014].
[2] Silício amorfo
http://www.cgomes.uac.pt/TE/Estagio/0405/W
bQs/wqRG/Carac/nautilus/Silicio/S%EDlicio%2
0P%E1gina%20Principal_ficheiros/e01400.ht
m [Acedido a 13 de Julho de 2014].
[3] P. Louro,Y.Vygranenko, J. Martins, M.
Fernandes, M.Vieira, Colour sensitive devices
based on double p-i-n-i-p stacked photodiodes,
2007.
[4] P. Louro, Y. Vygranenko, J. Martins, M. Fernandes,
M. Vieira, Alessandro Fantoni,Image and color
recognition using amorphous silicon p–i–n
photodiodes
[5] DOS:
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/welcome.htm
[Acedido a 13-07-2014]
[6] DOS: Calculation of the density of states in 1, 2
and 3 dimensions
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter2
/pdf/ch2_4_2.pdf [Acedido a 13-07-2014]
Daniel Ferreira – 35919@alunos.isel.pt
Obrigado pela atenção!

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DISPOSITIVO PINIP - CARACTERISTICA IV / RESPOSTA ESPECTRAL

  • 1. Instituto Superior de Engenharia de Lisboa Discente Daniel Ferreira ODS- MEET Lisboa, 16 de Julho de 2014
  • 2. Índice INTRODUÇÃO RESUMO CARACTERÍSTICA I-V EFICIÊNCIA ESPECTRAL CONCLUSÕES BIBLIOGRAFIA 2ODS
  • 3. 3
  • 4. INTRODUÇÃO(1/4)  O AFORS-HET é um software Open Source que permite uma simulação numérica de vários parâmetros de células solares e de dispositivos constituídos por materiais optoelectrónicos  Modelização e simulação 1D de uma estrutura constituída por vários layers semicondutores e interfaces  Variações de parâmetros arbitrários (simulações de variáveis externas que afectam o funcionamento do dispositivo) e variações do(s) parâmetro(s) em estudo 4  Diagramas de banda, estudo IV, recombinação, mudanças de fase, resposta espectral, etc.  Modelização e simulação 1D de uma estrutura constituída por vários layers semicondutores e interfaces
  • 5. INTRODUÇÃO–CONCEITODOS(2/4)  Uma Banda simples possui N – estados – Apenas uma fracção deles está ocupada  Pergunta: Quantos estados estão ocupados até E? Ou quantos estados por unidade de energia? (DOS)  A DOS de uma estrutura caracteriza o número de estados por intervalo de energia por cada nível que podem ser ocupados por electrões; 5
  • 7. INTRODUÇÃO–PIN/PINIP(4/4)  Os dispositivos são PINIP são baseados nos dispositivos PIN.  Os PINIP obtém a sua designação através da camada I (região intrínseca situada entre a camada P e a camada N  O PINIP pode ser representado como um díodo, que depende to bias (tensão) aplicada para que conduza.  O a-SI:H (silício amorfo hidrogenado) é mais indicado para aplicações de detecção de cores em virtude da sua eficiência de absorção nomeadamente na zona visível do espectro 7
  • 8. 8
  • 9. Consideraçõesiniciais  Estudo assentou em três cores no espectro do visível;Vermelho, Verde e Azul (RGB – Red. Green & Blue) 9 COR λ Escolhido[nm] Intervalo de λ [nm] Azul 455 450-490 Verde 555 490-560 Vermelho 655 635-700  Estrutura do dispositivo por camadas
  • 10. 10
  • 11.  Foi considerada iluminação monocromática com uma densidade de fluxo de fotões de 2,8E+17 1/cm2 s e uma range de tensão entre -1 e 1V  Cada cor representa o comprimento de onda em estudo  Cor azul e vermelha distinguem- se bem 11 CaracterísticaI-V(1/4) COR λ Escolhido[nm] Intervalo de λ [nm] Azul 455 450-490 Verde 555 490-560 Vermelho 655 635-700
  • 12.  O próximo teste foi alterar o fluxo de fotões para 2,8E+20 1/cm2 s 12 CaracterísticaI-V(2/4)
  • 13.  Característica IV para PINIP, fluxo fotões de 2,8E+15 1/cm2 s 13 CaracterísticaI-V(3/4)
  • 15. 15
  • 16. RespostaEspectral  Para uma melhor visualização da resposta aumentou-se a gama de comprimentos de onda, “alargando-a” do visível para uma gama que compreende comprimentos de onda entre os 200nm e os 700nm  Em termos das cores em estudo, esta gama é mais próxima do Azul e doVerde, sendo a cor Vermelha a cor que este dispositivo tem mais dificuldades em identificar 16
  • 17. 17
  • 18. Conclusões(1/2)  O AFORS-HET possui algumas limitações. Por exemplo, na simulação dos três comprimentos de onda para as cores pretendidas, não podemos utilizar três comprimentos de onda com valores que não sejam proporcionais entre si senão dá um erro  Uma vantagem da simulação 1D, foi a verificação que a luz atravessa as várias camadas sendo fundamental que o valor do hiato energético (Eg) das camadas seja feito do maior para o menor  Em relação à resposta espectral, podemos concluir que estudos e experiências relativos à melhoria dos resultados dos comprimentos de onda do Vermelho podem ser realizados com materiais/espessuras tornando este dispositivo mais selectivo e robusto  A DOS, com os seus parâmetros Cb_Tail – aceitadores,VbTail – receptores permitiu a correcção do parâmetro chi num layer da estrutura 18
  • 19. Conclusões(2/2)  Em relação ao dispositivo PINIP, para detecção de cores,  ESTRUTURA DO DISPOSITIVO  ESPESSURA DAS CAMADAS  INTENSIDADE DE FLUXO DE FOTÕES 19
  • 20. 20
  • 21. Bibliografiaesitesinteressantes 21 [1] Silício amorfo: http://wikienergia.com/~edp/index.php?title= Sil%C3%ADcio_amorfo [Acedido a 13 de Julho de 2014]. [2] Silício amorfo http://www.cgomes.uac.pt/TE/Estagio/0405/W bQs/wqRG/Carac/nautilus/Silicio/S%EDlicio%2 0P%E1gina%20Principal_ficheiros/e01400.ht m [Acedido a 13 de Julho de 2014]. [3] P. Louro,Y.Vygranenko, J. Martins, M. Fernandes, M.Vieira, Colour sensitive devices based on double p-i-n-i-p stacked photodiodes, 2007. [4] P. Louro, Y. Vygranenko, J. Martins, M. Fernandes, M. Vieira, Alessandro Fantoni,Image and color recognition using amorphous silicon p–i–n photodiodes [5] DOS: http://ecee.colorado.edu/~bart/book/welcome.htm [Acedido a 13-07-2014] [6] DOS: Calculation of the density of states in 1, 2 and 3 dimensions http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter2 /pdf/ch2_4_2.pdf [Acedido a 13-07-2014]
  • 22. Daniel Ferreira – 35919@alunos.isel.pt Obrigado pela atenção!

Notes de l'éditeur

  1. Um DOS alto em um nível específico de energia significa que há muitos estados disponíveis para ocupação. Um DOS nulo, zero, significa que nenhum estado pode ser ocupado em um nível de energia.
  2. Quando um semicondutor é dopado do tipo N, existe uma maior concentração de electrões do que lacunas, á num semicondutor dopado do tipo P, existem mais lacunas do que electrões A possibilidade de através do depósito controlado de elementos químicos como o germânio ou o carbono alterar o seu perfil de absorção espectral, resultando em materiais com diferentes bandas proibidas assim a resposta espectral das estruturas PINIP poderem ser controladas através de vários níveis de tensão tornam o a-SI:H ideal para dispositivos optoelectrónicos que excluem o uso de filtros de cores pois o vermelho, o azul e o verde podem ser detectados selectivamente, conforme poderemos observar neste trabalho.
  3. De notar que o gap observado na tabela 2 relativo ao intervalo de comprimentos de onda do verde para o vermelho – 560-635nm – é o relativo às cores amarela e laranja. Como não são objecto de estudo não são consideradas. As espessuras dos materiais são um ponto chave neste dispositivo pois elas vão ajudar a que determinados comprimentos de onda provenientes da fonte de luz sejam absorvidos para que a separação das cores possa ser facilitada. O aSiCH foi usado para as camadas P e N, o aSiH para a camada intrínseca I (espessura de 100nm e de 400nm) e a prata (Ag) foi utilizado como “parede” para que luz não atravesse. Inicialmente existiu um problema na definição do aSiCH que levava a resultados não esperados. O debug foi feito com ajuda do gráfico da DOS no Afors-Het e o erro estava na calibração do valor de chi (afinidade electrónica) colocado face ao do aSiH (0.2).
  4. Os lambdas correspondentes às cores azul e vermelho são bem distinguidos pelo PINIP mas a cor verde não acompanha este resultado. Podemos concluir que não é possível uma distinção das três cores ideal com os parâmetros escolhidos. Consegue-se ver o nível de corrente (current density) onde existe saturação.
  5. Como podemos observar pela Figura 2, o incremento do fluxo de fotões degrada imenso a capacidade do dispositivo de detectar as cores. Outra conclusão é que mantendo a gama de tensões entre os -1 e 1 Volt, não visualizamos a saturação da corrente.
  6. A diminuição da densidade do fluxo de fotões parece melhorar ligeiramente a detecção das cores por parte do PINIP e a corrente parece saturar mais rapidamente mas mesmo assim não é suficiente para que as três cores tenham curvas separadas
  7. De notar que o gap observado na tabela 2 relativo ao intervalo de comprimentos de onda do verde para o vermelho – 560-635nm – é o relativo às cores amarela e laranja. Como não são objecto de estudo não são consideradas. As espessuras dos materiais são um ponto chave neste dispositivo pois elas vão ajudar a que determinados comprimentos de onda provenientes da fonte de luz sejam absorvidos para que a separação das cores possa ser facilitada. O aSiCH foi usado para as camadas P e N, o aSiH para a camada intrínseca I (espessura de 100nm e de 400nm) e a prata (Ag) foi utilizado como “parede” para que luz não atravesse. Inicialmente existiu um problema na definição do aSiCH que levava a resultados não esperados. O debug foi feito com ajuda do gráfico da DOS no Afors-Het e o erro estava na calibração do valor de chi (afinidade electrónica) colocado face ao do aSiH (0.2).
  8. Analisando a Figura 5, podemos observar um claro pico de resposta para comprimentos de onda na ordem dos 480 e 530nm
  9. Afinidade eletrônica é definida como a energia que seria liberada caso um elétron com energia de vácuo fosse introduzido na amostra afinidade eletrônica seja uma quantidade endotérmica. Eletronegatividade, χ(chi) De maneira geral, se um átomo tem forte tendência em adquirir elétrons, diz-se que ele é eletronegativo. Se tiver tendência a perder elétrons, diz-se que ele é eletropositivo. Tem sido definida de muitas maneiras..