Diapositivas de Transistores de Efecto Campo

2. Transistor De Efecto Campo
Estructura De Los Transistores De Efecto De
Campo
Tipos De Transistores
Polarización De Los Transistores De Efecto
De Campo

3.  Son dispositivos semiconductores de tres terminales
muy utilizados en circuitos digitales y analógicos.

5. 1) Transistor JFET 2) Transistor MOSFET
3)Transistor MESFET

6. El MOSFET
El MOSFET (Transistor de
Efecto de campo metal-
oxido semiconductor).
 Fue ideado teóricamente
por el austrohúngaro Julius
von Edgar Lilienfeld en
1930.

7. 1. Enriquecimiento de canal N
2. Enriquecimiento de canal P
3. Empobrecimiento de canal N
4. Empobrecimiento de canal P

8. Simbología

9.  El JFET (Transistor De Efecto De
Campos De Unión).
 Los valores de entrada son
las tensiones eléctricas.
 Según el valor de entrada, la
salida del transistor presentará una
curva característica.

10.  El MESFET(Transistor de efecto de campo metal-
semiconductor) fue propuesto por Mead en 1966.
 Puede operar a frecuencias bastante altas en la
región de las microondas.
 El electrodo esta formado por una unión metal-
semiconductor .

11. Transistor MOSFET
Transistor MESFET

12.  Exige que las uniones p-n estén
inversamente polarizadas.
 La tensión de drenado debe ser
mayor que la de la fuente.
 La puerta debe tener una tensión
mas negativa que la fuente.

13.  Rango de corte
 Región Lineal
 Región de saturación
 Región de ruptura

14.  Al aplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas
negativas en la superficie del substrato .
 La tensión mínima para crear esa capa de inversión se
denomina tensión umbral.
 Los valores típicos de esta tensión son de 0.5 V a 3 V

15.  Rango de corte
 Región Lineal
 Región de saturación
 Región de ruptura