LA GRAVURE DES CIRCUITS 
INTEGRES 
 Gravure chimique 
 Gravure sèche
La gravure: 
En fonction des matériaux à graver et des dessins à réaliser on 
trouve deux types de gravure : 
• Une gravur...
Gravure humide ou chimique 
La gravure chimique, se décomposer en 3 étapes : 
• Le produit chimique (réactant) se dépose p...
Gravure humide ou chimique 
Dans de très nombreuses filières technologiques, 
la gravure humide est utilisée majoritaireme...
Exemple gravure humide du silicium 
Différence de gravure en fonction 
de l'orientation du cristal de silicium
Gravure sèche ou par plasma 
La gravure par plasma est basée 
sur la génération de plasma 
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Gravure sèche ou par plasma 
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Gravure sèche ou par plasma 
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Gravure des circuits intégrés

  1. 1. LA GRAVURE DES CIRCUITS INTEGRES  Gravure chimique  Gravure sèche
  2. 2. La gravure: En fonction des matériaux à graver et des dessins à réaliser on trouve deux types de gravure : • Une gravure humique qui utilise un produit chimique. • Une gravure sèche qui utilise les plasmas Ces deux types de gravure interviennent de nombreuses fois au cours des procédés modernes. Elles permettent de graver de façon sélective, des couches ou des films afin de créer des motifs (zone actives de dispositifs, grille de transistors, pistes d'interconnexion, etc...). Nous verrons dans les opérations de photolithogravure qu'en utilisant une résine photosensible on peut protéger des zones. La gravure ne doit donc dans ce cas que concerner les zones non protégées.
  3. 3. Gravure humide ou chimique La gravure chimique, se décomposer en 3 étapes : • Le produit chimique (réactant) se dépose par diffusion sur la surface à graver. •La réaction chimique se produit à la surface. •Le produit de cette réaction est éliminé par diffusion.
  4. 4. Gravure humide ou chimique Dans de très nombreuses filières technologiques, la gravure humide est utilisée majoritairement car elle est relativement simple à mettre en oeuvre et que dans des grands bacs,un lot complet pouvant contenir jusqu'à 200 plaquettes peut être traité en une seule opération. La gravure humide présente aussi d'autres inconvénients, à savoir :  la gravure est isotropique (toutes les directions de l'espace) ce qui crée des attaques latérales notamment dans les zones protégées par la résine,  La vitesse de gravure dépend de la quantité des substrats traités, l'efficacité d'attaque diminuant après plusieurs lots,  le point de fin de gravure est difficilement contrôlé.
  5. 5. Exemple gravure humide du silicium Différence de gravure en fonction de l'orientation du cristal de silicium
  6. 6. Gravure sèche ou par plasma La gravure par plasma est basée sur la génération de plasma dans un gaz à base pression.  Composés de gravure (ions) générés dans le plasma.  transportés par diffusion sur la surface du wafer.  absorbés par la surface  La réaction chimique et l’effet physique du bombardement ionique  Résultat désorbé de la surface, et pompé
  7. 7. Gravure sèche ou par plasma On distingue deux types de gravure par plasma : •Une gravure physique. (faible vitesse et anisotropie). •Une gravure chimique (grande vitesse isotropie et bonne sélectivité).
  8. 8. Gravure sèche ou par plasma Ce type de gravure est particulièrement intéressant dans le cas où l'on veut réaliser des espaceurs de très faible dimension dans les technologies autoalignées. Ce qui peut représenter, a priori, un inconvénient, est exploité astucieusement, pour aller au-delà des limites optiques en précision des motifs , En effet, du fait que l'on contrôle parfaitement bien la croissance et donc l'épaisseur des couches, on peut créer des résidus ou espaceurs de largeur très faible, en rapport avec les épaisseurs. On peut ainsi créer des nouveaux "masques d'implantation" dont l'ouverture est par exemple de 0,2 micron plus large ou plus étroit que le préexistant. Cela sera notamment utilisé pour fabriquer des transistors submicroniques à drain doublement dopé (deux zones de dopage différents).
  9. 9. http://www.microelectronique.univ-rennes1.fr/fr/chap1b.htm https://www.enseignement.polytechnique.fr/profs/physique/Francois.Anceau/Phy568/Amp his/cours2.pdf

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