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  • Attends toi à des questions sur la tension d’autopolarisation, sur quelles espèces sont les plus mobiles, etc
  • Expliquer que ce lot tourne sur la plate forme du Leti et vise à une intégration complète du III-V sur le silicium en 200mm (compatibilité CMOS)
  • Tiphaine a depuis refait des caracs avec beaucoup plus de puissance en sortie avec ton procédé, tu peux éventuellement reboucler avec elle.
  • La franchement je reste sur ma fin sur la SEO. Il me semble que tu peux montrer un peu plus de ce que tu as fait (car là il n’y a rien !).
    Ou alors ne pas en parler du tout.
  • Improvement of laser performance thanks to …
    Le deuxième point est redondant avec le premier non ?
    Yes
    Further caracterisations needed concerning the OES to achieve a full in-situ monitoring
  • BRAVO !
  • Là je suis quand même surpris : peut-on dire de manière certaine que c’est le process cyclique qui induit l’augmentation de la résistance série ? Les épaisseurs gravées étaient-elles les mêmes ? Les contacts + recuit éventuels identiques ?
    Si ce n’est pas le cas il faut enlever ce transparent tel que (tu peux mettre une courbe I(V) pour montrer qu’on a bien une diode, mais pas beaucoup plus
  • Présentation Stage M1

    1. 1. Confidential 1 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Avancement WADIMOS LG 29 juin 2009 1Anne-Laure Bavencove – 15 Septembre 2008 1Johan KAY - Soutenance PFE - Mars 2008 1 Florian PERARD 12/10/2009 AMELIORATION D’UN PROCEDE DEAMELIORATION D’UN PROCEDE DE GRAVURE SECHE DES COMPOSES DE LAGRAVURE SECHE DES COMPOSES DE LA FILIERE INP EN VUE DE LA REALISATIONFILIERE INP EN VUE DE LA REALISATION DE LASERS ET PHOTO-DÉTECTEURS III-VDE LASERS ET PHOTO-DÉTECTEURS III-V SUR SILICIUMSUR SILICIUM Laboratoire des Technologies pour la NanophotoniqueLaboratoire des Technologies pour la Nanophotonique
    2. 2. Confidential 2 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Plan de la présentation 1. Contexte et objectifs. 2. La gravure plasma. 3. Améliorations du procédé. 4. Réalisation de lasers rubans sur silicium. 5. Spectroscopie d’Emission Optique. 6. Conclusion and prospects.
    3. 3. Confidential 3 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Plan de la présentation 1. Contexte et objectifs. 2. La gravure plasma. 3. Améliorations du procédé. 4. Réalisation de lasers rubans sur silicium. 5. Spectroscopie d’Emission Optique. 6. Conclusion and prospects.
    4. 4. Confidential 4 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Substrat Si SiO2 Contexte et objectifs • La photonique sur Silicium Intégration « Tout Silicium » Plateforme Silicium Laser III-V driver Fonctions électroniques Fonctions optiques Laser III-V ??? Technique du Flip-Chip Technique du Collage Moléculaire • Silicium mauvais émetteur => intégration hétérogène matériau III-V. • Des véhicules de test technologiques doivent être mis en place • SOURCES D’EMISSION : lasers « rubans » = Diodes lasers semiconductrices à base d’InP sur Silicium PP ii NN Structure Laser Epitaxiée à base d’InPStructure Laser Epitaxiée à base d’InP Puits QuantiquesPuits Quantiques d’InGaAsPd’InGaAsP Vignette collée sur un substrat de SiliciumVignette collée sur un substrat de Silicium Process
    5. 5. Confidential 5 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Contexte et objectifs CMOS wafer transistorstransistors metal interconnectsmetal interconnects InP microsource Photonic layer InGaAs photodetector Optical network Objectif photonique sur Silicium : - Pouvoir augmenter débits. - Réduire consommation dispositifs. - Désengorger interconnexions métalliques.
    6. 6. Confidential 6 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Contexte et objectifs Objectifs du stage : 1. Amélioration du procédé de gravure sèche des matériaux III-V développé l’année précédente. 2. Réalisation de lasers rubans pour valider l’étape technologique. 3. Développement de la Spectroscopie Optique d’Emission (SEO) comme complément à l’interférométrie laser pour la détection de fin d’attaque.
    7. 7. Confidential 7 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA 7 L’équipement Unaxis NE 860 ILL’équipement Unaxis NE 860 IL Moniteur de Contrôle SAS de chargement Système d’Interférométrie Laser Chambre de Gravure 1. Contexte et Objectifs1. Contexte et Objectifs
    8. 8. Confidential 8 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA 8Anne-Laure Bavencove – 15 Septembre 2008 8 Chambre de Gravure 1. Contexte et Objectifs1. Contexte et Objectifs DÉVELOPPEMENT D’UN PROCÉDÉ DE GRAVURE DE L’INP EN PLASMA CH4/H2Réalisation de Lasers Rubans Photonique sur Silicium  Flancs de gravure verticaux et lisses  Peu de défauts morphologiques et structuraux  Procédé de Gravure Contrôlable : système de détection de fin d’attaque précis (Interférométrie Laser + Spectroscopie Optique d’Emission)  Procédé compatible 200mm Etude de Base : Substrat d’InP massif (1cm2 ) Gravure des Structures Lasers Epitaxiées collées sur Si Réacteur deRéacteur de Gravure RIEGravure RIE « Reactive« Reactive Ion Etching »Ion Etching »
    9. 9. Confidential 9 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Plan de la présentation 1. Contexte et objectifs. 2. La gravure plasma. 3. Améliorations du procédé. 4. Réalisation de lasers rubans sur silicium. 5. Spectroscopie d’Emission Optique. 6. Conclusion and prospects.
    10. 10. Confidential 10 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Liste des différents types de gravure sèche d’InP  Gravure en plasma HBr (mode ICP):  Profils à 45°   Trenching   Cl2/H2 (mode ICP):  Profils verticaux obtenus démonstration faisabilité laser FP sur Si   Vitesse de gravure ~2µm/min arrêt gravure sur couche fine difficile   Qualité gravure très sensible à l’environnement   SiO2 autour de la vignette endommagée par le plasma   CH4/H2 (mode RIE):  Profils verticaux   Vitesse de gravure ~ 100nm/min  permet graver à la fois couches fines et épaisses   Qualité de la gravure insensible à l’environnement  Polymérisation sur les surfaces inertes (SiO2,Si3N4,Si)  Gravure uniquement de la vignette J.M. Fedeli et al., GFP’06 T. Dupont et al., post dealine paper, IPRM’08 p-type contact n-type contact III-V etched facet 5 μm La gravure plasma
    11. 11. Confidential 11 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Procédé de gravure standard. 20 % de méthane dans la décharge, 100 mTorr et 200W. Clean O2 ICP 5 min à la fin de la gravure pour enlever le polymère e = 2.6 µm Couche d’InGaAs Avec ce procédé des lasers fonctionnels sur silicium ont été réalisés. La gravure plasma InP Masque dur Sous gravure Présence de polymère résiduel Flancs de gravure courbés
    12. 12. Confidential 12 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Plan de la présentation 1. Contexte et objectifs. 2. La gravure plasma. 3. Améliorations du procédé. 4. Réalisation de lasers rubans sur silicium. 5. Spectroscopie d’Emission Optique. 6. Conclusion and prospects.
    13. 13. Confidential 13 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Améliorations du procédé  Lors de la gravure en plasma CH4/H2 -> formation de polymère sur les surfaces inertes à la gravure : masque dur, réacteur de gravure.  Cette formation de polymère entraîne phénomènes de micro masquage.  Gravure InP = compétition entre gravure et polymérisation.  Or plasma oxygène efficace pour enlever le polymère => Gravure selon cycles procédé standard et clean O2
    14. 14. Confidential 14 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Améliorations du procédé 8 cycles 15 cycles 30 cycles Importance du nombre de cycles : 40 % de méthane dans la décharge Mais aussi de la concentration en CH4 8 cycles mais seulement 20 % de méthane
    15. 15. Confidential 15 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Améliorations du procédé Influence des caractéristiques du clean. Définition nouveau procédé standard: 2 min gravure procédé standard. 30 s clean O2 : 10 mTorr, 50 Watts Procédé 40% méthane augmentation puissance clean augmentation pression
    16. 16. Confidential 16 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Gravure des lasers rubans Lot L995F Couches épitaxiées: Miroir de bragg : augmente réflectivité de 30% à 99 %!
    17. 17. Confidential 17 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Avancement WADIMOS LG 29 juin 2009 Procédé standard Présence de micro masquage important, ainsi qu’une sous gravure importante qui conduit à l’effondrement des petits motifs.
    18. 18. Confidential 18 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Avancement WADIMOS LG 29 juin 2009 Process cyclique Plus de polymère, et tous les motifs sont parfaitement définis.
    19. 19. Confidential 19 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Comparaison gravure lasers rubans Process Standard Process Cyclique •Sous gravure importante •Présence de polymère résiduel •Vg = 85 nm/min •Temps total process : ~ 1h •Miroirs de Bragg et réseaux mal gravés •Rugosité fond de gravure •Rms = 3.16 nm •Sous gravure nulle •Plus de polymère •Vg = 71.6 nm/min •Temps total process : > 1h 15 min •Miroirs de Bragg et réseaux bien gravés •Rugosité fond de gravure •Rms = 4.39 nm
    20. 20. Confidential 20 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Application du procédé cyclique au lot N142D Procédé standard Procédé cyclique
    21. 21. Confidential 21 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Plan de la présentation 1. Contexte et objectifs. 2. La gravure plasma. 3. Améliorations du procédé. 4. Réalisation de lasers rubans sur silicium. 5. Spectroscopie d’Emission Optique. 6. Conclusion and prospects.
    22. 22. Confidential 22 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Réalisation de lasers rubans sur silicium
    23. 23. Confidential 23 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Réalisation de lasers rubans sur silicium  Couche active AlGaInAs – 1.3µm  Process vignette unitaire :  Gravure cyclique CH4/H2 & O2.  metallisation + lift-off 0 100 200 300 400 0 1 2 3 4 5 pulsed 1% 50ns, 20°C 400µm long Collectedpower(mW) Current (mA) 1200 1250 1300 1350 1400 Intensity(a.u.) wavelength (nm) Avec miroirs Sans miroirs  tests en régime pulsé:  L = 400µm, 200µm (longueur des lasers)  λ = 1.3µm  P > 4 mW Lasers rubans avec miroirs de bragg.
    24. 24. Confidential 24 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Plan de la présentation 1. Contexte et objectifs. 2. La gravure plasma. 3. Améliorations du procédé. 4. Réalisation de lasers rubans sur silicium. 5. Spectroscopie d’Emission Optique. 6. Conclusion and prospects.
    25. 25. Confidential 25 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA  Acquisition nouveau spectromètre avec une plus grande plage de détection : 180 nm à 1100 nm ( 340 nm à 1020 nm avant).  Lors de la gravure, les espèces dans le plasma vont émettre des raies caractéristiques de la couche en train d’être gravée. Le but est d’arriver à les détecter.  Grâce au nouveau spectromètre il est possible de détecter 4 raies pour l’indium : Spectroscopie d’Emission Optique
    26. 26. Confidential 26 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA  Le problème est que pour arriver à détecter une espèce il faut qu’elle soit en quantité importante: il faut graver des wafers de 2 pouces d’Indium pour détecter facilement les pics.  Objectif expériences : arriver à un suivi en temps réel des couches gravées comme cela a été fait dans publication (S. Thomas 1995). Spectroscopie d’Emission Optique
    27. 27. Confidential 27 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Plan de la présentation 1. Contexte et objectifs. 2. La gravure plasma. 3. Améliorations du procédé. 4. Réalisation de lasers rubans sur silicium. 5. Spectroscopie d’Emission Optique. 6. Conclusion and prospects.
    28. 28. Confidential 28 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Conclusion and prospects  Improvement of laser performance thanks to the new etching process.  Processing of epitaxial layers with high gain materials will confirm the recent results.  Further characterizations needed concerning the OES to achieve a full in-situ monitoring.  Presentation of some results of my internship at GFP 09 at San Francisco.
    29. 29. Confidential 29 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA THANK YOU FOR YOUR ATTENTION !
    30. 30. Confidential 30 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA La gravure plasma La Gravure de l’InP en plasma CH4/H2 mode RIE RF − − − − + + + + + + + + − − − − − − − − − − B- La composante physique InP C2H5 + Molécules Hydrocarbonées CnHm : fort poids moléculaires + insaturées InP C- Le mécanisme de polymérisation In(CH3)3 Atomes H InP CH4/H2 Radicaux CH3 PH3 A- La composante chimique
    31. 31. Confidential 31 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Réalisation de lasers rubans sur silicium Courbe comparative des contacts sur un laser de 1 mm entre les deux types de procédé.
    32. 32. Confidential 32 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Spectroscopie d’Emission Optique Evolution de l'intensité de la raie de l'indium au cours de la gravure (gauche) et évolution de la vitesse de gravure en fonction du temps de gravure (droite).
    33. 33. Confidential 33 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA G  CH4/H2 (200W, 100mtorr, 40sccm, 20% CH4) + O2  Thin (400nm) InP microdisks. Steep profiles. No underetching  Thick (3.5µm) structures. High aspect ratios obtained. 2- Dry etching of InP epilayers bonded on Si AFM 2x2µm2 Roughness = 4nm rms1µm
    34. 34. Confidential 34 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Group Four Photonics Conference, FA1 September, 11th , 2009 4 - FP lasers on silicon  AlGaInAs active layer – 1.3µm  individual die processed  CH4/H2/O2 dry etching  metallization + lift off process  pulsed operation:  L = 1mm  λ = 1.3µm  P >20 mW  max T = 40°C 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 5 10 15 20 25 15°C 20°C 25°C 30°C 35°C 40°C Power(mW) Current (mA) 1mm-long stripe, pulsed current, 50ns, 1%
    35. 35. Confidential 35 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Group Four Photonics Conference, FA1 September, 11th , 2009 4 - DBR lasers on silicon  AlGaInAs active layer – 1.3µm  individual die processed  CH4/H2/O2 dry etching  metallization + lift-off 0 100 200 300 400 0 1 2 3 4 5 pulsed 1% 50ns, 20°C 400µm long Collectedpower(mW) Current (mA) 1200 1250 1300 1350 1400 Intensity(a.u.) wavelength (nm) With DBR Without DBR  pulsed operation at RT:  L = 400µm, 200µm  λ = 1.3µm  P > 4 mW
    36. 36. Confidential 36 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Collage vignettes sur plaque 200 mm
    37. 37. Confidential 37 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Allure simulation interférométrie laser
    38. 38. Confidential 38 2007 © CEA 2009. All rights reserved Any reproduction in whole or in part on any medium or use of the information contained herein is prohibited without the prior written consent of CEA Allure interférométrie laser procédé cyclique

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