1. MEMORIAS
PROM Y EPROM

2. MEMORIA PROM
Tanto la memoria PROM como EPROM son memorias tipo Rom
La PROM es una memoria programable de solo lectura.
Estas no vienen programadas de fabrica sino que es el
propio usuario el que se encarga de grabar la información,
y una vez que los datos se han grabado no se pueden
borrar. Si Grabamos mal alguna información esta no se
podrá modificar.

3. PROGRAMACION
La escritura de la memoria PROM tiene lugar fundiendo
los fusibles necesarios por lo que la memoria PROM solo
puede ser programada una vez.
Una PROM común se encuentra con todos los bits en
valor 1 como valor por defecto de fábrica; el quemado de
cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0.
La programación se realiza aplicando pulsos de altos
voltajes que no se encuentran durante operaciones
normales (12 a 21 voltios).
El proceso de programación de una PROM generalmente
se realiza con un equipo especial llamado quemador.
Este equipo emplea un mecanismo de interruptores
electrónicos controlados por software que permiten
cargar las direcciones, los datos y genera los pulsos
para fundir los fusibles del arreglo interno de la memoria

4. ARQUITECTURA
Las arquitecturas generales pueden variar pero
normalmente consisten en una o más matrices de puertas
AND y OR para implementar funciones lógicas. Muchos
dispositivos también contienen combinaciones de flip-
flops y latches que pueden usarse como elementos de
almacenaje para entrada y salida de un dispositivo.
ENTRADA 1 SALIDA 1
ENTRADA 2 SALIDA 2
ENTRADA N SALIDA M

5. APLICACIONES MAS
IMPORTANTES
*Microprogramación
*Librería de subrutinas
*Programas de sistema
*Tablas de función

6. MEMORIA EPROM
Las EPROM, o Memorias sólo de Lectura
Reprogramables, se programan mediante
impulsos eléctricos y su contenido se borra
exponiéndolas a la luz ultravioleta para poder
volver a ser grabadas.

7. PROCESO DE BORRADO
Esta Memoria puede reprogramarse. Tiene una
ventana de cuarzo a traves de la cual se exponen los
circuitos interiores del chip. Cuando se aplica luz
ultravioleta a travez de la ventana se produce una
reaccion quimica que borra el contenido.
Para realizar este proceso es necesario retirar el chip
de la computadora.
BORRADORES DE EPROM

8. PROGRAMACION
Las EPROM se programan insertando el chip en un programador
de EPROM. y aplicando en un pin especial de la memoria una
tensión entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50
ms, según el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la
posición de memoria y se pone la información a las entradas de
datos.
Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o
programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corriente a través
del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta, Al
mismo tiempo se aplica una relativamente alta tensión sobre la
compuerta superior o de control del transistor, creándose de esta
manera un campo eléctrico fuerte dentro de las capas del material
semiconductor.
Ante la presencia de este campo eléctrico fuerte, algunos de los
electrones que pasan el canal fuente-compuerta ganan suficiente
energía como para formar un túnel y atravesar la capa aislante
que normalmente aísla la compuerta flotante. En la medida que
estos electrones se acumulan en la compuerta flotante, dicha
compuerta toma carga negativa, lo que finalmente produce que la
celda tenga un 0.

9. CARACTERISTICAS
la gran mayoría de las EPROMs se ajustan a
distribuciones de terminales o "pin-outs" estándar.
Para el caso mas usual, que es el encapsulado DIP
(Dual In-Line Package) de 28 pines, el estándar
utilizado es el JEDEC-28.
Las EPROMs también emplean transistores de puerta
dual o FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection
Metal-Oxide Semiconductor) de cargas almacenadas.
La memoria EPROM, se compone de un arreglo de
transistores MOSFET de Canal N de compuerta
aislada.
Actualmente estas memorias se construyen con
transistores de tecnología MOS (Metal Oxide Silice)
yMNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).