SlideShare une entreprise Scribd logo
1  sur  45
TRANSISTOR 26/4/2011
Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction) yang membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut transistor bipolar,  karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup.  
Fungsi Transistor Kegunaan transistor bisasebagaipenguat, sebagaisirkuitpemutusdanpenyambung (switching), stabilisasitegangan, modulasisinyalatausebagaifungsilainnya. Transistor dapatberfungsisemacamkranlistrik, dimanaberdasarkanarusinputnya (BJT)
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR) 		BI = 2 POLAR = Kutup 		JUNCTION = Simpang FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR) 		FIELD = Medan 		EFFECT = Dampak MOSFET ( METAL OXIDA SEMICONDUCTOR FET) 		Metal = Logam Oxida = Oksidasi IGFET (Insulated Gate FET) 		Insulated = Mengisolasi/menyekati 		Gate = Pintu, gerbang
Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor. Base  selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor.
JUNCTION F.E.T( FIELD-EFFECT TRANSISTOR ) Mengapakitamasihperlu transistor jenis lain? BJT selalumemerlukanarus basis IB, walaupunarusinikecil, tetapitidakbisadiabaikan, terutamasekalisaat BJT digunakansebagaisaklar,pastidibutuhkanarus yang cukupbesaruntkmembuat transistor jenuh.
makaadajenis transistor lain yang bisadigerakkandengantegangantanpamembutuhkanarus, yaituFET. Denganperantaraan FET, kitadapatmenghubungkanperalatankomputeratautransduser yang tidakbisamenghasilkanarus, denganalat yang lebihbesar.  Lapisaniniterbentukantarasemikonduktortipe n dantipe p, karenabergabungnyaelektrondan hole disekitardaerahperbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan source.
8 FET vs BJT FET Gate (G) = Gerbang Drain(D) = Penguras Source(S) = Sumber BJT Base (B) = Dasar Collector (C) = Pengumpul Emitter (E) = Emitor
9 Junction FET
10 JFET saluran N
11
13 n-Channel FET for vGS= 0.
[object Object],[object Object]
MOSFET menggunakangerbangterisolasiuntukmemberikanimpedansimasukan yang tinggi.
MOS memilikiimpedansimasukan yang lebihtinggi.JFET penggerakaruslebihtinggi (transkonduktansi), impedansikeluaran yang lebihrendahdandapatdigunakanuntuktujuan drive tinggi,[object Object]
MOSFET menggunakangerbangterisolasiuntukmemberikanimpedansimasukan yang tinggi.
JFET penggerakaruslebihtinggi (transkonduktansi), impedansikeluaran yang lebihrendahdandapatdigunakanuntuktujuan drive tinggi,[object Object],[object Object]
TERJADI DEPLESI/PENIPISAN PADA CHANNEL KARENA GERAKAN ELEKTRON PADA GATE
KONDUKSI ARUS TIDAK ADA SAMPAI SANGAT KECIL,[object Object]
REVERSE BIAS PADA GATE DIPERBESAR SEHINGGA MEMPERBESAR AREA DEPLESI
MEMPERKECIL JALUR PADA CHANNEL
MEMPERBESAR TAHANAN CHANNEL DARI SOURCE MENUJU DRAIN,[object Object]
REVERSE BIAS PADA GATE DIPERBESAR SEHINGGA MEMPERBESAR AREA DEPLESI
TERJADI PINCH-OFF(PINCH-OFF VOLTAGE),KARENA KECILNYA VOLTASE YANG DAPAT LEWAT DARI SOURCE MENUJU DRAIN,[object Object]
[object Object]
ARUS ELEKTRON MENGALIR DARI KUTUB NEGATIF SUMBER TEGANGAN,  KE SOURCE,MENUJU DRAIN,[object Object]
Berbagaisimboldigunakanuntuk MOSFET. Sambunganbadanjikaditampilkandigambartersambungkebagiantengankanaldenganpanah yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panahselalumenunjukdari P ke N, sehingga NMOS (kanal-N dalamsumur-P atausubstrat-P) memilikipanah yang menunjukkedalam (daribadankekanal). 
Jikabadanterhubungkesumber (seperti yang umumnyadilakukan) kadangsaluranbadandibelokkanuntukbertemudengansumberdanmeninggalkan transistor. Jikabadantidakditampilkan (seperti yang seringterjadipadadesain IC desainkarenaumumnyabadanbersama) sebuahpanahpadasumberdapatdigunakandengancara yang samaseperti transistor dwikutub (keluaruntuk NMOS, masukuntuk PMOS).
Miripseperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET)memiliki drain, source dan gate. Namunperbedaannya gate terisolasiolehsuatubahanoksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini dinamakan metal-oxide. Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate FET.
28 n-Channel depletion MOSFET.
29 enhancement-mode n-channel MOSFET
vGS < Vtopn junction antara drain dan body  reverse biased  iD=0. 30
31 Terbentuk saluran N vGS < Vtopn junction antara drain dan body  reverse biased  iD=0.
32 vGS >Vto terbentuksalurann. vGSbertambah saluranmembesar.   vDSkecil,I DsebandingdenganvDS.resistor tergantungnilaivGS.
33 vDSbertambah, saluranmengecildi drain dan LajupertambahaniD : melambat SaatvDS> vGS-Vto,  iDtetap
34 PMOS circuit symbol D D G G S S CIRCUIT SYMBOLS NMOS circuit symbol
35 ID ID VGS=3V VGS= 3V 1 mA 1 mA (for IDS = 1mA) (for IDS =   -1mA) VGS=0 VGS=0 VDS VDS 4 2 3 1 4 2 3 1 NMOS and PMOS Compared              NMOS “Body”	 –	p-type Source	 – 	n-type Drain	 – 	n-type  VGS		 – 	positive  VT		 – 	positive  VDS		 – 	positive  ID		 – 	positive (into drain)              PMOS “Body”	 –	n-type Source	 – 	p-type Drain	 – 	p-type  VGS		 – 	negative  VT		 – 	negative  VDS		 – 	negative  ID		 – 	negative (into drain) G G S S D D ID ID n p n p n B B
JFET vs MOSFET Fets MOS biasanyamemilikigerbangbawahkebocoran arus.MOS fetslebihmudahtersediasebagaidayatinggi / perangkatarustinggi.Fets MOS umumnyamemilikitranskonduktansimajulebihtinggi (10s dari Siemens vspecahandari Siemens).Andaharusberhati-hatiuntuktidak bias majugerbang-sumberdiodadalam JFET.
Proteus (Software simulasi & desain PCB)
	Proteus adalahsebuah software untukmendesain PCB yang jugadilengkapidengansimulasipspicepada level skematiksebelumrangkaianskematikdiupgradeke PCB shinggasebelumPCBnyadicetak  kita  akantahuapakah PCB yang akankitacetaksudahbenaratautidak.
Fitur-fiturdari PROTEUS adalahsebagaiberikut . 1. memilikikemampuanuntukmensimulasikanhasilrancanganbaik digital maupun analog maupungabungankeduanya,mendukungsimulasi yang menarikdansimulasisecaragrafis.2. mendukungsimulasiberbagaijenis microcontroller sepertipic, 8051 series. 3. memiliki model-model peripheral yang interactive seperti led, tampilanlcd, rs232, danberbagaijenis library lainnya.4. mendukung instrument-instrument virtual seperti voltmeter, ammeter, oscciloscope, logic analyser, dll,
5. Memilikikemampuanmenampilkanberbagijenisanalisissecaragrafisseperti transient, frekuensi, noise, distorsi, AC dan DC, dll. 6. Mendukungberbagaijeniskomponen-komponen analog. 7. Mendukung open architecture sehinggakitabisamemasukkan program seperti C++ untukkeperluansimulasi. 8. Mendukungpembuatan PCB yang di-update secaralangsungdari program ISIS ke program pembuat PCB-ARES.
Pengenalan ISIS ISIS dipergunakanuntukkeperluanpendidikandanperancangan. Beberapafiturumumdari ISIS adalahsebagaiberikut.

Contenu connexe

Tendances

Tendances (20)

Materi pertemuan 2 Penerapan Rangkaian Elektronika
Materi pertemuan 2 Penerapan Rangkaian ElektronikaMateri pertemuan 2 Penerapan Rangkaian Elektronika
Materi pertemuan 2 Penerapan Rangkaian Elektronika
 
Penerapan Rangkaian Elektronika
Penerapan Rangkaian ElektronikaPenerapan Rangkaian Elektronika
Penerapan Rangkaian Elektronika
 
Transistor
TransistorTransistor
Transistor
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
Transistor
TransistorTransistor
Transistor
 
TUGAS TRANSISTOR PNP DAN NPN (ppt)
TUGAS TRANSISTOR PNP DAN NPN (ppt)TUGAS TRANSISTOR PNP DAN NPN (ppt)
TUGAS TRANSISTOR PNP DAN NPN (ppt)
 
Transistor npn & pnp
Transistor npn & pnpTransistor npn & pnp
Transistor npn & pnp
 
Transistor PNP
Transistor PNPTransistor PNP
Transistor PNP
 
IGBT
IGBTIGBT
IGBT
 
Jfet
JfetJfet
Jfet
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Ppt transistor
Ppt transistorPpt transistor
Ppt transistor
 
Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1
 
Susanto karakteristik transistor_revisi
Susanto karakteristik transistor_revisiSusanto karakteristik transistor_revisi
Susanto karakteristik transistor_revisi
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Transistor pnp
Transistor pnpTransistor pnp
Transistor pnp
 
Transistor pnp yusuf
Transistor pnp yusufTransistor pnp yusuf
Transistor pnp yusuf
 
TRASISTOR PNP DAN NPN KONDUK
TRASISTOR PNP DAN NPN KONDUKTRASISTOR PNP DAN NPN KONDUK
TRASISTOR PNP DAN NPN KONDUK
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Transistor (nazarudin rifat r)
Transistor (nazarudin rifat r)Transistor (nazarudin rifat r)
Transistor (nazarudin rifat r)
 

Similaire à Fet2

Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistorTeori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
dzikri nur husna husna
 
Transistor 2 lanjutan
Transistor 2   lanjutanTransistor 2   lanjutan
Transistor 2 lanjutan
Siti Humairoh
 

Similaire à Fet2 (20)

Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistorTeori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
 
383765800-bab-V-transistor-efek-medan-ppt.ppt
383765800-bab-V-transistor-efek-medan-ppt.ppt383765800-bab-V-transistor-efek-medan-ppt.ppt
383765800-bab-V-transistor-efek-medan-ppt.ppt
 
Elektronika dan rl
Elektronika dan rlElektronika dan rl
Elektronika dan rl
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Jfet
JfetJfet
Jfet
 
Karakteristik
KarakteristikKarakteristik
Karakteristik
 
Ppt Transistor
Ppt TransistorPpt Transistor
Ppt Transistor
 
Ppt Transistor
Ppt TransistorPpt Transistor
Ppt Transistor
 
Revisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tma
Revisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tmaRevisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tma
Revisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tma
 
Transistor
TransistorTransistor
Transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Transistor tipe pnp
Transistor tipe pnpTransistor tipe pnp
Transistor tipe pnp
 
MOSFET
MOSFETMOSFET
MOSFET
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Prinsipkerja jfet1
Prinsipkerja jfet1Prinsipkerja jfet1
Prinsipkerja jfet1
 
Transistor pnp
Transistor pnpTransistor pnp
Transistor pnp
 
Susanto_karakteristik transistor
Susanto_karakteristik transistorSusanto_karakteristik transistor
Susanto_karakteristik transistor
 
Elektronika dan rl
Elektronika dan rlElektronika dan rl
Elektronika dan rl
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Transistor 2 lanjutan
Transistor 2   lanjutanTransistor 2   lanjutan
Transistor 2 lanjutan
 

Plus de saeful_4h13

Plus de saeful_4h13 (9)

M uas
M uasM uas
M uas
 
Konsep pembelajaran seni terpadu (lengkap) ok 1
Konsep pembelajaran seni terpadu (lengkap) ok 1Konsep pembelajaran seni terpadu (lengkap) ok 1
Konsep pembelajaran seni terpadu (lengkap) ok 1
 
Uni junction transistor
Uni junction transistorUni junction transistor
Uni junction transistor
 
Pengukuran transistor ea
Pengukuran transistor eaPengukuran transistor ea
Pengukuran transistor ea
 
Teknik pengukuran transistor ea
Teknik pengukuran transistor eaTeknik pengukuran transistor ea
Teknik pengukuran transistor ea
 
Teknik pengukuran transistor
Teknik pengukuran transistorTeknik pengukuran transistor
Teknik pengukuran transistor
 
Pengukuran Transistor
Pengukuran TransistorPengukuran Transistor
Pengukuran Transistor
 
Mosfet
MosfetMosfet
Mosfet
 
Bebas
BebasBebas
Bebas
 

Fet2

  • 2. Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction) yang membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut transistor bipolar,  karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup.  
  • 3. Fungsi Transistor Kegunaan transistor bisasebagaipenguat, sebagaisirkuitpemutusdanpenyambung (switching), stabilisasitegangan, modulasisinyalatausebagaifungsilainnya. Transistor dapatberfungsisemacamkranlistrik, dimanaberdasarkanarusinputnya (BJT)
  • 4. BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR) BI = 2 POLAR = Kutup JUNCTION = Simpang FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR) FIELD = Medan EFFECT = Dampak MOSFET ( METAL OXIDA SEMICONDUCTOR FET) Metal = Logam Oxida = Oksidasi IGFET (Insulated Gate FET) Insulated = Mengisolasi/menyekati Gate = Pintu, gerbang
  • 5. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor. Base  selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor.
  • 6. JUNCTION F.E.T( FIELD-EFFECT TRANSISTOR ) Mengapakitamasihperlu transistor jenis lain? BJT selalumemerlukanarus basis IB, walaupunarusinikecil, tetapitidakbisadiabaikan, terutamasekalisaat BJT digunakansebagaisaklar,pastidibutuhkanarus yang cukupbesaruntkmembuat transistor jenuh.
  • 7. makaadajenis transistor lain yang bisadigerakkandengantegangantanpamembutuhkanarus, yaituFET. Denganperantaraan FET, kitadapatmenghubungkanperalatankomputeratautransduser yang tidakbisamenghasilkanarus, denganalat yang lebihbesar. Lapisaniniterbentukantarasemikonduktortipe n dantipe p, karenabergabungnyaelektrondan hole disekitardaerahperbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan source.
  • 8. 8 FET vs BJT FET Gate (G) = Gerbang Drain(D) = Penguras Source(S) = Sumber BJT Base (B) = Dasar Collector (C) = Pengumpul Emitter (E) = Emitor
  • 11. 11
  • 12.
  • 13. 13 n-Channel FET for vGS= 0.
  • 14.
  • 16.
  • 18.
  • 19. TERJADI DEPLESI/PENIPISAN PADA CHANNEL KARENA GERAKAN ELEKTRON PADA GATE
  • 20.
  • 21. REVERSE BIAS PADA GATE DIPERBESAR SEHINGGA MEMPERBESAR AREA DEPLESI
  • 23.
  • 24. REVERSE BIAS PADA GATE DIPERBESAR SEHINGGA MEMPERBESAR AREA DEPLESI
  • 25.
  • 26.
  • 27.
  • 28. Berbagaisimboldigunakanuntuk MOSFET. Sambunganbadanjikaditampilkandigambartersambungkebagiantengankanaldenganpanah yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panahselalumenunjukdari P ke N, sehingga NMOS (kanal-N dalamsumur-P atausubstrat-P) memilikipanah yang menunjukkedalam (daribadankekanal). 
  • 29. Jikabadanterhubungkesumber (seperti yang umumnyadilakukan) kadangsaluranbadandibelokkanuntukbertemudengansumberdanmeninggalkan transistor. Jikabadantidakditampilkan (seperti yang seringterjadipadadesain IC desainkarenaumumnyabadanbersama) sebuahpanahpadasumberdapatdigunakandengancara yang samaseperti transistor dwikutub (keluaruntuk NMOS, masukuntuk PMOS).
  • 30.
  • 31. Miripseperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET)memiliki drain, source dan gate. Namunperbedaannya gate terisolasiolehsuatubahanoksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini dinamakan metal-oxide. Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate FET.
  • 34. vGS < Vtopn junction antara drain dan body  reverse biased iD=0. 30
  • 35. 31 Terbentuk saluran N vGS < Vtopn junction antara drain dan body  reverse biased iD=0.
  • 36. 32 vGS >Vto terbentuksalurann. vGSbertambah saluranmembesar. vDSkecil,I DsebandingdenganvDS.resistor tergantungnilaivGS.
  • 37. 33 vDSbertambah, saluranmengecildi drain dan LajupertambahaniD : melambat SaatvDS> vGS-Vto,  iDtetap
  • 38. 34 PMOS circuit symbol D D G G S S CIRCUIT SYMBOLS NMOS circuit symbol
  • 39. 35 ID ID VGS=3V VGS= 3V 1 mA 1 mA (for IDS = 1mA) (for IDS = -1mA) VGS=0 VGS=0 VDS VDS 4 2 3 1 4 2 3 1 NMOS and PMOS Compared NMOS “Body” – p-type Source – n-type Drain – n-type VGS – positive VT – positive VDS – positive ID – positive (into drain) PMOS “Body” – n-type Source – p-type Drain – p-type VGS – negative VT – negative VDS – negative ID – negative (into drain) G G S S D D ID ID n p n p n B B
  • 40. JFET vs MOSFET Fets MOS biasanyamemilikigerbangbawahkebocoran arus.MOS fetslebihmudahtersediasebagaidayatinggi / perangkatarustinggi.Fets MOS umumnyamemilikitranskonduktansimajulebihtinggi (10s dari Siemens vspecahandari Siemens).Andaharusberhati-hatiuntuktidak bias majugerbang-sumberdiodadalam JFET.
  • 41. Proteus (Software simulasi & desain PCB)
  • 42. Proteus adalahsebuah software untukmendesain PCB yang jugadilengkapidengansimulasipspicepada level skematiksebelumrangkaianskematikdiupgradeke PCB shinggasebelumPCBnyadicetak  kita  akantahuapakah PCB yang akankitacetaksudahbenaratautidak.
  • 43. Fitur-fiturdari PROTEUS adalahsebagaiberikut . 1. memilikikemampuanuntukmensimulasikanhasilrancanganbaik digital maupun analog maupungabungankeduanya,mendukungsimulasi yang menarikdansimulasisecaragrafis.2. mendukungsimulasiberbagaijenis microcontroller sepertipic, 8051 series. 3. memiliki model-model peripheral yang interactive seperti led, tampilanlcd, rs232, danberbagaijenis library lainnya.4. mendukung instrument-instrument virtual seperti voltmeter, ammeter, oscciloscope, logic analyser, dll,
  • 44. 5. Memilikikemampuanmenampilkanberbagijenisanalisissecaragrafisseperti transient, frekuensi, noise, distorsi, AC dan DC, dll. 6. Mendukungberbagaijeniskomponen-komponen analog. 7. Mendukung open architecture sehinggakitabisamemasukkan program seperti C++ untukkeperluansimulasi. 8. Mendukungpembuatan PCB yang di-update secaralangsungdari program ISIS ke program pembuat PCB-ARES.
  • 45. Pengenalan ISIS ISIS dipergunakanuntukkeperluanpendidikandanperancangan. Beberapafiturumumdari ISIS adalahsebagaiberikut.
  • 46. 1. Windows dapatdioperasikanpada Windows 98/Me/2k/XP dan Windows terbaru.2. Routingsecaraotomatisdanmemilikifasilitaspenempatandanpenghapusandot.3. Sangat powerful untukpemilihankomponendanpemberianproperties-nya.4. Mendukunguntukperancanganberbagaijenis bus dankomponen-komponen pin, port moduldanjalur.5. Memilikifasilitas report terhadapkesalahan-kesalahanperancangandansimulasielektrik.6. Mendukungfasilitasinterkoneksidengan program pembuat PCB-ARES.7. Memilikifasilitasuntukmenambahkan package darikomponen yang belumdidukung.
  • 47. Pengenalan ARES ARES (Advanced Routing and Editing Software) digunakanuntukmembuatmodul layout PCB. Adapunfitur-fiturdari ARES adalahsebagaiberikut
  • 48. 1. Memiliki database dengantingkatkeakuratan 32-bit danmemberikanresolusisampai 10 nm, resolusi angular 0,1 derajatdanukuranmaksimim board sampaikuranglebih 10 m. ARES mendukungsampai 16 layer. 2. Terintegrasidengan program pembuatskematik ISIS, dengankemampuanuntukmenentukaninformasi routing padaskematik. 3. Visualisasi board 3-Dimensi. 4. Penggambaran 2-Dimensi dengansimbol library.
  • 49.