El documento describe el transistor bipolar de unión (TBJ), que consta de tres terminales (emisor, base y colector) y dos junturas PN. Tiene la propiedad de controlar la corriente de salida mediante la corriente de entrada. Se describen los transistores NPN y PNP, así como sus cuatro regiones operativas: activa, inversa, de corte y de saturación. Finalmente, se mencionan factores que afectan la ganancia de corriente y se incluyen curvas características del transistor.

1. UNIDAD I
Transistor Bipolar de Juntura

2. TBJ
• El Transistor Bipolar de Juntura,
abreviado como TBJ, es un dispositivo
electrónico semiconductor, construido a
partir de 3 regiones dopadas y 2 junturas
PN.

3. • Este dispositivo consta de 3 terminales:
Emisor (E), Base (B) y Colector (C).
• La característica principal de este
dispositivo es que tiene la propiedad de
controlar una corriente en la puerta de
salida mediante una corriente en la
puerta de entrada.

4. Tipos de transistores
bipolares

5. TBJ
• Un transistor bipolar NPN esta formado
por una fina capa de material tipo P entre
dos capaz de material tipo N, en este
dispositivos se formaran dos uniones
PN, la unión colector-base y la unión
emisor-base.

6. TBJ
• La corriente que fluye por una unión
afecta a la otra corriente en la otra unión,
en esta interacción lo que hace al
transistor bipolar muy útil como
interruptor o como amplificador.

7. PNP
• Transistor de unión bipolar es el PNP
con las letras "P" y "N" refiriéndose a las
cargas mayoritarias dentro de las
diferentes regiones del transistor.

8. • Los transistores PNP consisten en una capa
de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comúnmente operados
con el colector a masa y el emisor conectado
al terminal positivo de la fuente de
alimentación a través de una carga eléctrica
externa.
• Una pequeña corriente circulando desde la
base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.

9. Regiones operativas del
transistor
• Los transistores de unión bipolar tienen
diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son
polarizados:
1. Región activa
2. Región inversa
3. Región de corte
4. Región de saturación

10. Región activa
• En esta región la corriente de colector
(Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de β (ganancia de
corriente) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta región es la más importante
si lo que se desea es utilizar el transistor
como un amplificador de señal.

11. Región inversa
• Al invertir las condiciones de polaridad del
funcionamiento en modo activo, el transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo
inverso. En este modo, las regiones del
colector y emisor intercambian roles. Debido
a que la mayoría de los BJT son diseñados
para maximizar la ganancia de corriente en
modo activo, el parámetro beta en modo
inverso es drásticamente menor al presente
en modo activo.

12. Región corte
• En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito. (como no hay
corriente circulando, no hay caída de voltaje).
Este caso normalmente se presenta cuando
la corriente de base = 0 (Ib =0) De forma
simplificada, se puede decir que el la unión
CE se comporta como un circuito abierto, ya
que la corriente que lo atraviesa es cero.

13. Región de saturación
• En este caso la magnitud de la corriente
depende del voltaje de alimentación del
circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos.
• Cuando el transistor esta en saturación, la
relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por
ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
• se puede decir que la unión CE se comporta
como un cable, ya que la diferencia de
potencial entre C y E es muy próxima a cero.

14. Factores que afectan la
ganancia de corriente
• Normalmente el buen funcionamiento de
un amplificador con transistores
bipolares requieren que la corriente de
base sea pequeña en comparación con
la corriente del colector.

15. Característica idealizada de
un transistor bipolar

16. Curva I colector vs V
colector-emisor

17. Curva característica del
transistor JFET