1. CURSO : FÍSICA ELECTRÓNICA
ESPECIALIDAD : INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICA
ESTUDIANTE : ELIAS EMILIO GARCIA CASTILLO
DOCENTE : EUSEBIO CARRASCO SAJAMI

2.  El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador.
 El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer
resistor ("resistencia de transferencia").
 Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los
aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras,
reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras,
automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes,
equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3,
teléfonos móviles, etc.

3. TIPOS DE TRANSISTORES
 Transistor de unión bipolar
 El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés,
 se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio,
 Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de
semiconductores.
 Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
 controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN
o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
 La zona N con elementos donantes de electrones (cargas
negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas
positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores
P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al
Arsénico (As) o Fósforo (P).

4. FICHA TÉCNICA Y CARACTERÍSTICA DE CADA
TRANSITOR

5. TIPOS DE TRANSISTORES
1.- Transistores Bipolares de unión BJT. ( PNP o NPN )
- BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor).
El termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el
material polarizado de forma opuesta.
2.-Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )
- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra
se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.
- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.
- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es
formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como
una puerta, un electrodo de metal.
3.-Transistores HBT y HEMT.
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight
Electron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de
diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida

9. FOTOTRANSISTOR
Los fototransistores son sensibles a la radiacion electromagnética en
frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de
corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).