Thiết Kế Mạch Nghịch Lưu 300W Dùng Sg 3525 Có Thay Đổi Điện Áp Tần Số Ra Trên Tải

1. MỤC LỤC
LỜI NÓI ĐẦU.................................................................................................................. 5
CHƯƠNG I: TỔNG QUAN CÁC LINH KIỆN CÔNG SUẤT,NGHỊCH LƯU................ 6
1. Giới thiệu về các van bán dẫn công suất................................................................. 6
1.1. Điốt công suất................................................................................................... 6
1.2. Tiristor ( SCR ). ................................................................................................. 8
1.3.Triắc.................................................................................................................. 10
1.4. Transitor BJT công suất .................................................................................. 11
1.5. Transistor MOS công suất ( MOSFET ).......................................................... 14
1.6. Máy biến áp và acquy...................................................................................... 16
2. Nghịch lưu.............................................................................................................. 18
2.1. Khái niệm và phân loại sơ đồ nghịch lưu........................................................ 18
2.2. Các sơ đồ nghịch lưu độc lập một pha............................................................. 19
CHƯƠNG II: THIẾT KẾ MẠCH NGHỊCH LƯU........................................................ 23
1. Phương án lựa chọn .............................................................................................. 23
2. Sơ đồ chân và nguyên lý hoạt động của ic SG 3525.............................................. 24
3. Nguyên lý hoạt động toàn hệ thống:...................................................................... 27
4. Mạch điều khiển và mạch lực................................................................................. 28
4.1. Nhiệm vụ và chức năng của mạch điều khiển : ............................................... 28
4.2. Nhiệm vụ và chức năng của mạch lực............................................................. 29
CHƯƠNG III : TÍNH TOÁN VÀ CHẾ TẠO MẠCH NGHỊCH LƯU............................ 30
1. Tính toán máy biến áp............................................................................................ 30
2. Mạch lực................................................................................................................. 32
2.1. Chọn van:......................................................................................................... 32
2.2. Hình dạng và kí hiệu........................................................................................ 32
2.3.Thông số ........................................................................................................... 33
3. Tính toán mạch điều khiển:.................................................................................... 34
4. Sơ đồ ...................................................................................................................... 35

2. 4.1. Sơ đồ mạch điều khiển..................................................................................... 35
4.2. Sơ đồ mạch động lực ....................................................................................... 35
4.3. Sơ đồ mạch in .................................................................................................. 36
KẾT LUẬN..................................................................................................................... 37

3. LỜI NÓI ĐẦU
Ngày nay với sự phát triển nhanh chóng của kỹ thuật bán dẫn công suất, các
thiết bị biến đổi điện năng dùng các linh kiện bán dẫn công suất đã được sử dụng nhiều
trong công nghiệp và đời sống nhằm đáp ứng các nhu cầu ngày càng cao của xã hội.
Trong thực tế sử dụng điện năng ta cần thay đổi tần số của nguồn cung cấp, các bộ
biến tần được sử dụng rộng rãi trong truyền động điện, trong các thiết bị đốt nóng bằng
cảm ứng, trong thiết bị chiếu sáng... Bộ nghịch lưu là bộ biến tần gián tiếp biến đổi một
chiều thành xoay chiều có ứng dụng rất lớn trong thực tế như trong các hệ truyền động
máy bay, tầu thuỷ, xe lửa...
Trong thời gian học tập và nghiên cứu, được học tập và nghiên cứu môn Điện tử
công suất và ứng dụng của nó trong các lĩnh vực của hệ thống sản xuất hiện đại. Vì vậy
để có thể nắm vững phần lý thuyết và áp dụng kiến thức đó vào trong thực tế, chúng
em được nhận đồ án môn học với đề tài: “Thiết kế và chế tạo mạch nghịch lưu một
pha”. Với đề tài được giao, chúng em đã vận dụng kiến thức của mình để tìm hiểu và
nghiên cứu lý thuyết, đặc biệt chúng em tìm hiểu sâu vào tính toán thiết kế phục vụ cho
việc hoàn thiện sản phẩm.
Dưới sự hướng dẫn chỉ bảo nhiệt tình của thầy Nguyễn Đình Hùng cùng với sự
cố gắng nỗ lực của các thành viên trong nhóm chúng em đã hoàn thành xong đồ án của
mình.Tuy nhiên do thời gian và kiến thức còn hạn chế nên không tránh khỏi thiếu sót
khi thực hiện đồ án này. Vì vậy chúng em rất mong sẽ nhận được nhiều ý kiến đánh
giá, góp ý của thầy cô giáo, cùng bạn bè để đề tài được hoàn thiện hơn.
Chúng em xin chân thành cảm ơn!
Nhóm sinh viên thực hiện:
Hoàng Anh Tuấn
Nguyễn Xuân Tùng

4. CHƯƠNG I: TỔNG QUAN CÁC LINH KIỆN CÔNG SUẤT,NGHỊCH LƯU
1. Giới thiệu về các van bán dẫn công suất.
Các phần tử bán dẫn công suất đều có những đặc tính cơ bản chung, đó là:
Các van bán dẫn chỉ làm việc trong chế độ khoá, khi mở cho dòng chạy qua thì
có điện trở tương đương rất nhỏ, khi khoá không cho dòng chạy qua thì có điện trở
tương đương rất lớn.
Các van bán dẫn chỉ dẫn dòng theo một chiều khi phần tử được đặt dưới điện áp
phân cực ngược, dòng qua phần tử chỉ có giá trị rất nhỏ, cỡ mA, gọi là dòng rò.
1.1. Điốt công suất.
1.1.1. Chất bán dẫn
• Chất bán dẫn tạp loại P: Khi ta trộn thêm một lượng vừa đủ một nguyên tố ở
phân nhóm 3 vào Silic hoặc Ge (phân nhóm 4) nguyên tố này có 3 e thuộc lớp ngoài
cùng như vậy nó sẽ bị thiếu 1e để tham gia liên kết với Si hoặc Ge. Kết quả trong
mạch tinh thể bị dưa ra các lỗ trống.Lỗ trống mang điện tích dương Positive và ta gọi
là bán dẫn loại P và hạt thiểu số là e.
• Chất bán dẫn tạp loại n: Khi ta trộn thêm một lượng vừa đủ một nguyên tố ở
phân nhóm 5 vào Si hoặc Ge (thuộc một công nghệ đặc biệt) nguyên tố này có 5e ở
lớp ngoài cùng, như vâỵ sẽ thừa ra một e. Khi tham gia liên kết với Si hoặc Ge, kết
quả trong mạng tinh thể bị dư ra các e, các e mang điện tích âm Negative, và ta gọi
chất bán dẫn này là loại N.
Hình 1: Hình dạnh và ký hiệu

5. 1.1.2. Nguyên lý làm việc
a) Khi phân cực thuận: Ta thực hiện mạch bên với điều kiện điện áp của nguồn ngoài
Un sẽ tạo ra một điện trường En>Etx (và ngược với Etx) kết quả ta được điện trường
tổng đặt nên tiếp giáp J Et=En+Etx có chiều hướng đi từA tới K chiều của điện trường
này tạo điều kiện thuận lợi cho các hạt đa số di chuyển dễ dàng (vùng P hạt đa số là
lỗ trống, vùng N hạt đa số là e) làm cho dòng điện khuyếch tán lớn đi từ A tới K và
hầu như toàn bộ điện áp ngoài đặt vào J.
b) Phân cực ngược: Ta đấu A vào âm của nguồn ta đấu K vào dương của nguồn Kết
quả Et =En+Etx có chiều hướng làm cho các hạt thiểu số di chuyển dễ dàng và ngăn
cản các hạt đa số. Do mật độ hạt thiểu số rất nhỏ nên chỉ có một dòng điện rất nhỏ
qua J gọi là dòng rò đi từ K tới A
c) Đặc tính Volt-Ampere (V-A)
rò
đo
ng.max
Hình 2: Đặc tính Volt-Ampere (V-A)
Nếu đặt EAK>0 sẽ có dòng điện chảy qua và tạo ra một điện áp rơi khoảng 0,7v (với
Si) .
Khi dòng điện là Iđm Nếu điện áp UAK< 0 các điện tử tự do và các lỗ trống bị đẩy ra
xa J kết quả chỉ có dòng điện rò vào khoảng vài mA có thể chảy qua .Khi tiếp tục
tăng điện áp UAK theo chiều âm thì các hạt thiểu số sẽ được tăng tốc với động năng
lớn và gây ra va chạm làm bẻ gẫy các liên kết vùng J theo hình thức dây truyền, kết
quảlà hàng loạt các điện tích mới được sinh ra ởvùng J làm cho dòng điện tăng đột
ngột, dòng này sẽphá hỏng diode. Trị số điện áp ngược gây hỏng van diode gọi là

6. Ungmax (trị số điện áp ngược cực đại ). Trong thực tế điện áp ngược cho phép đặt vào
van: Ungthực tế = (0,7÷0,8) Ungmax của van thì van an toàn.
-Khi đặt một hiệu điện thế UAK> 0 điện tử vùng N vượt qua vùng mặt ghép J sang
miền P và đến cực dương của nguồn. Nếu bỗng nhiên đặt UAK<0, các điện tử ở
vùng P phải quay về vùng N. Sự di chuyển này tạo nên dòng điện ngược
chảy qua diode từ K tới A trong thời gian ngắn,nhưng cường độ dòng điện này
lớn hơn hơn nhiều so với dòng điện ngược bình thường. Ban đầu dòng điện ngược
này khá lớn, sau đó suy giảm và khoảng một thời gian toff (turn off time) nó giảm
xuống gần bằng không.Giá trị của toff cỡ µs.
-Đang ở chế độ khoá, dòng điện ngược qua van rất nhỏ, không đáng kể, nếu bỗng
nhiên đặt UAK>0 và diode, dòng điện I không thể tức thời đạt giá trị
U/R mà phải mất một khoảng thời gian ký hiệu là ton (turn on time ) để các điện tích
đa số dòng loạt di động,ton cỡ µs (micro giây) .
-Khi tần số nguồn F≥100Khz thì diode sẽ mất tính dẫn điện theo một chiều( mất chế
độ khóa ) .
1.2. Tiristor ( SCR ).
Tirirtor là một thiết bị gồm bốn lớp bán dẫn P1,N1,P2,N2 tạo thành, tirirtor phải
được cấp một xung dương thì nó mới hoạt động. Do đó SCR thiết kế phải có 3 chân :
chân Anot, Katot và chân điều khiển G.
Hình 4: Cấu tạo của tiristor

7. Hình 5: Ký hiệu và hình thực tế
Nguyên lý hoạt động :
Đặt Tiristor dưới điện áp một chiều, Anốt nối vào cực dương, Katôt nối vào cực âm
của nguồn điện áp. J1 J3 phân cực thuận, J2 phân cực ngược. Gần như toàn bộ điện áp
nguồn đặt trên mặt ghép J2 điện trường nội tại Ei của J2 có chiều từ N1 hướngvề P2
điện trường ngoài tác động cùng chiều với Ei vùng chuyển tiếp cũng là vùng cách
điện càng mở rộng ra không có dòng điện chạy qua Tiristor mặc dù nó bị đặt dưới
điện áp.
+ Mở Tiristor: Cho một xung điện áp dương Ug tác động vào cực G (dương xo với
K) các điện tử từ N2 sang P2. Đến đây, một số ít các điện tử chảy vào cực G và hình
thành dòng điều khiển Ig chạy theo mạch G-J3-K-G còn phần lớn điện tử chịu sức hút
của điện trường tổng hợp của mặt ghép J2 lao vào vùng chuyển tiếp này, tăng tốc,
động năng lớn bẻ gãy các liên kết nguyên tử Silic, tạo nên điện tử tự do mới. Số điện
tử mới được giải phóng tham gia bắn phá các nguyên tử Silic trong vùng kế tiếp. Kết
quả của phản ứng dây truyền làm xuất hiện nhiều điện tử chạy vào N1 qua P 1 và đến
cực dương của nguồn điện ngoài, gây nên hiện tượng dẫn điện ào ạt, J 2 trở thành mặt
ghép dẫn điện, bắt đầu từ một điểm xung quanh cực G rồi phát triển ra toàn bộ mặt
ghép. Địên trở thuận của Tiristor khoảng 100K Ω khi còn ở trạng thái khoá, trở thành
0,01Ω khi Tiristor mở cho dòng chạy qua.Tiristor khoá +UAK > 1V hoặc Ig > Igs1 thì
Tiristor sẽ mở. Trong đó Igs1 là dòng điều khiển được tra ở sổ tay tra cứu Tiristor. Ton:
thời gian mở là thời gian cần thiết để thiết lập dòng điện chạy trong Tiristor, tình từ
thời điểm phóng dòng Igvào cực điều khiển. Thời gian mở Tiristor kéo dài khoảng 10
s µ .

8. + Khoá Tiristor: có hai cách làm giảm dòng làm việc I xuống dưới giá trị dòng duy trì
đặt một điện áp ngược lên Tiristor. Khi đặt điện áp ngược lên Tiristor: UAK<0, J 1và J
3bị phân cực ngược, J2 phân cực thuận, điện tử đảo chiều hành trình tạo nên dòng
điện ngược chảy từ Katốt về Anôt, về cực âm của nguồn điện ngoài. Thời gian khoá
toff: thời gian khi bắt đầu xuất hiện dòng điện ngược (t0).
Hình 6: Đặc tính V – A của tiristor
1.3.Triắc
Triắc là thiết bị bán bẫn ba cực, bốn lớp có đường đặc tính volt – ampe đối
xứng, nhận góc mở cho cả hai chiều.Thực chất Triắc được chế tạo giống như 2 SCR
ghép song song với nhau, dùng để dẫn dòng AC cả hai chiều khi cực G được kích
xung dương hoặc áp âm.
Hình 7: Ký hiệu triac
A1 và A2 là hai đầu nối để dẫn dòng điện chính, G là cực điều khiển
Triac có thể dẫn dòng theo một trong trường hợp sau.

9. Hình 8: Đặc tính V- A của Triac
1.4. Transitor BJT công suất
1.4.1. Cấu tạo và ký hiệu:
Transistor lưỡng cực có cấu tạo gồm các miền bán dẫn P,N mà ta có hai cấu trúc khác
nhau pnp, npn.
Cấu tạo
3450559

10. Hình 9: Cấu tạo và ký hiệu của transistor
Miền thứ nhất của transistor là miền Emiter với đặc điểm có nồng độ tạp chất lớn
nhất, điện cực nối với miền này gọi là emitơ E. Miền thứ hai là miền Bazơ với nồng
độ tạp chất và độ dày nhỏ nhất, điện cực nối với miền này gọi là cực bazơ B.Miền
còn lại là miền collect với nồng độ tạp chất trung bình được nối với cực colectơ. Tiếp
giáp giữa p-n của E-B là tiếp giáp Emintơ JE, tiếp giáp p-n giữa B-C là tiếp giáp
Colectơ về ký hiệu cần chú ý chiều mũi tên hướng từP-N
1.4.2. Nguyên lý làm việc:
Để transistor làm việc người ta phải đưa điện áp 1 chiều tới các điện cực của nó, gọi
là phân cực cho transistor. Đối với tất cả 2 loại PNP hay NPN cần phân cực cho:
Hình 10: Diện áp phân cực cho trasistor
Je phân cực thuận Jc phân cực ngược.
Cụ thể ta xét quà trình phân cực cho loại PNP.
Transistor làm việc ở chế độ khoá (đóng hoặc mở) cho nên UCE Do tiếp giáp JE được
phân cực thuận nên các hạt đa số chuyển động dễ dàng qua tiếp giáp JE tới vùng bán
dẫn bazơ, kết quả là làm điện trở của tiếp giáp JE giảm và làm xuất hiện dòng điện

11. IB.Lớp Jc bị phân cực ngược nhưng E2>>E 1 nên điện trường E2 tạo ra khá lớn,và do
lớp bán dẫn bajơ mỏng ,nên chỉ một phần điện tích đi tới cực B, còn phần lớn các
điện từ bị J2 hút về và đi tới nguồn dương tạo ra dòng colectơ quá tải Rt ,IE= IC+IB,
IB dòng điện khiển .
Khi U BE giảm IB↓I C .Khi U BE=0 hoặc U BE<0 (phân cực ngược cho JE ) thì JE ngăn
cản sự di chuyển các hạt đa số di chuyển qua nó à IC=0 .Transistor bị khoá .
Các thông số cơ bản của Transistor ở chế độ đóng cắt :
- ICMAX : Dòng điện colectơ cực đại .
- UCES: Điện ápUCE khi transistor khoá (IB=0) .
- USC : Thời gian đóng của transistor, là khoảng thời gian để điện áp UCE0 giảm
xuống UCES(chưyền từkhoá sang mở) – Tf thời gian cần thiết để IC giảm tới không
(chuyển từ mở bão hoà sang khoá ).
- Ts thời gian cần thiết để tăng UCE từ UCES UCE0.
- PT công suất tổn thất trong transistor PT =U BE.I B+U CE.I C .Họ đặc tính tĩnh của
transistor ở chế độ khoá : Đó là mối quan hệ I C =F(UCE)
Hình 11: Đặc tính V –A của transistor ngược

12. Vùng 1: Vùng khuếch đại tính tĩnh .
Vùng 2: Vùng khuếch đại bão hoà .
Vùng 3: Vùng van bị đánh thục.
Vùng 4:Vùng van bị đánh thủng.
1.5. Transistor MOS công suất ( MOSFET ).
Hình 12: Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh n
Transistor MOS có ba cực :
D - cực máng ( drain ) : các điện tích đa số từ thanh bán dẫn chảy ra máng.
S - cực nguồn ( source ) : các điện tích đa số từ cực nguồn chảy vào thanh bán
dẫn.
G - cực cổng ( gate ) : cực điều khiển.
Tương đương về thuật ngữ giữa Transistor MOS và Transistor lưỡng cực.
Transistor MOS Transistor lưỡng cực

13. D Colectơ C
S Emitơ E
G Bazơ B
VDD : nguồn điện máng. VCC
VGG : nguồn điện cổng. VBB
ID : dòng điện máng. IC
Để phân cực cho MOSFET người ta đặt một điện áp U DS >0 (loại kênh n đặt sẵn,suất
hiện dòng điện tử trên kênh dẫn nối giữa Svà D và trong mạch ngoài có dòng điện cực
máng ID (đi vào D ) ngay cả khi UGS=0.
-Nếu đặt UGS>0, điện tử tự do trong vùng đế (là hạt thiểu số) được hút vào vùng kênh
dẫn đối diện với cực cửa làm giầu hạt dẫn cho kênh dẫn, tức làm giảm điện trở của
kênh dẫn, làm dòng điệncực máng ID tăng,chế độ làm việc này gọi là chế độ giàu của
MOSFET.
-Nếu UGS<0, quá trình trên sẽ ngược lại,làm kênh dẫn bị nghèo đi do các hạt dẫn (e) bị
đẩy ra xa khỏi kênh ,R kênh tăng,tuỳ theo mức độ tăng UGS theo chiều âm sẽ làm giảm
ID giảm . Đây là chế độ nghèo của MOSFET.Bằng thực nghiệm ta có được họ đặc
tuyến như sau: Với kênh cảm ứng, khi UGS ≤0 thì ID=0do tồn tại hai tiếp giáp P-N mẵ
đối nhau tại vùng máng -Đế và nguồn -Đế,do đó không tồn tại kênh dẫn nối D và S.
Khi UGS>0, tại vùng đế đối diện cực G xuất hiện các Etd (do cảm ứng tĩnh điện ) và
hùnh thành kênh dẫn nối liền D-S .Khi UGS tăng thì R kênh giảm à ID tăng .
MOSFET vảm ứng chỉ làm việc khi UGS>0 và làm việc ở chế độ giàu kênh.
Hình 13: Đặc tính V- A của MOSFET

14. 1.6. Máy biến áp và acquy.
1.6.1 Máy biến áp.
- Máy biến áp là một thiết bị điện từ tĩnh, làm việc theo nguyên lý cảm ứng điện
từ, dùng để biến đổi điện áp của hệ thống dòng điện xoay chiều nhưng vẫn giữ nguyên
tần số. Hệ thống điện đầu vào máy biến áp ( trước lúc biến đổi ) có : điện áp U1, dòng
điện I1, tần số f. Hệ thống điện đầu ra của máy biến áp ( sau khi biến đổi ) có : điện áp
U2, dòng điện I2 và tần số f.
- Đầu vào của máy biến áp nối với nguồn điện, được gọi là sơ cấp.Đầu ra nối với
tải gọi là thứ cấp. Các đại lượng, các thông số sơ cấp trong ký hiệu có ghi chỉ số 1 : số
vòng dây sơ cấp w1, điện áp sơ cấp U1, dòng điện sơ cấp I1, công suất sơ cấp P1. Các
đại lượng và thông số thứ cấp có chỉ số 2 : số vòng dây thứ cấp w2, điện áp thứ cấp U2,
dòng điện thứ cấp I2, công suất thứ cấp P2.
- Nếu điện áp thứ cấp lớn hơn sơ cấp là máy biến áp tăng áp. Nếu điện áp thứ cấp
nhỏ hơn điện áp sơ cấp gọi là máy biến áp giảm áp.
Máy biến áp có hai bộ phận chính : lõi thép và dây quấn.
+ Lõi thép máy biến áp :
- Lõi thép máy biến áp dùng để dẫn từ thông chính của máy, được chế tạo từ những
vật liệu dẫn từ tốt, thướng là thép kỹ thuật điện. Lõi thép gồm hai bộ
phận :
- Trụ là nơi để đặt dây quấn.
- Gông là phần khép kín mạch từ giữa các trụ.
Trụ và không tạo thành mạch từ khép kín.
Để giảm dòng điện xoáy trong lõi thép, người ta dùng lá thép kỹ thuật điện ( dày
0,35mm đến 0,5mm, hai mạch có sơn cách điện ) ghép lại với nhau thành lõi thép.
+ Dây quấn máy biến áp :

15. - Dây quấn máy biến áp thường được chế tạo bằng dây đồng ( hoặc nhôm ), có
tiết diện tròn hoặc chữ nhật, bên ngoài dây dẫn có bọc cách điện.
- Dây quấn gồm nhiều vòng dây và lồng vào trụ lõi thép. Giữa các vòng dây,
giữa các dây quấn có cách điện với nhau và các dây quấn có cách điện với lõi thép.
Máy biến áp có hai thường có hai hoặc nhiều dây quấn. Khi các dây quấn đặt trên cùng
một trụ, thì dây quấn thấp áp đặt sát trụ thép, dây quấn cao áp đặt ra lồng ngoài. Làm
như vậy sẽ giảm được vật liệu cách điện.
a : Lõi thép máy biến áp b : Dây quấn máy biến áp
Hình 14 :Lõi thép và dây quấn máy biến áp
-Để làm mát và tăng cường cách điện cho máy biến áp, người ta thường đặt lõi
thép và dây quấn trong một thùng chứa dầu máy biến áp.Đối với biến áp công suất lớn,
vỏ thùng dầu dầu có chứa cánh tản nhiệt.
1.6.2. Ăcquy.
-Ăcquy là loại bình hoá học dùng để tích trữ năng lượng điện và làm nguồn điện
cung cấp cho các thiết bị điện như động cơ điện, bóng đèn làm nguồn nuôi cho các linh
kiện điện tử vv...
- Sức điện động lớn, ít thay đổi khi phóng nạp điện.
- Sự tự phóng nạp điện.
- Năng lượng nạp điện và bao giờ cũng bé hơn năng lượng điện mà ăcquy

16. - phóng ra.
- Điện trở trong của ác quy nhỏ. Nó bao gồm điện trở của các bản cực, điện trở dung
dịch điện phân có xét đến sự ngăn cách của các tấm ngăn các bản cực. Thường
trị số điện trở trong của ac quy khi đã nạp điện đầy là 0.001 đến 0.0015 và khi
ăcquy phóng điện hoàn toàn là 0.02 đến 0.025
Quá trình nạp điện cho ăcquy
Hình 15: Quá trình nạp điện cho ắc quy
- Có hai loại ăcquy là: ăcquy axit ( hay ăcquy chì ) và ăcquy kẽm (ăcquy sắt kền
hay ăcquy cadimi - kền ). Trong đó ăcquy axit được dùng rộng rãi và phổ biến hơn.
2. Nghịch lưu.
2.1. Khái niệm và phân loại sơ đồ nghịch lưu.
Khái niệm: Nghịch lưu là quá trình biến đổi điện áp một chiều thành điện áp xoay
chiều một pha hoặc ba pha....
Phân loại:
Nghịch lưu chia làm 2 loại chính: Nghịch lưu phụ thuộc và nghịch lưu độc lập .
Tải bản FULL ( 36 trang): bit.ly/2GPcZE7
Dự phòng: fb.com/TaiHo123doc.net

17. Trong đó nghịch lưu phụ thuộc là nghịch lưu có điện áp, tần số, góc pha và thứ tự pha
phụ thuộc vào lưới điện mà đầu ra của nó mắc song song vào.
Nghịch lưu độc lập lại được chia ra nghịch lưu độc lập nguồn áp và nguồn dòng.
Trong đó nghịch lưu độc lập nguồn áp thì luôn định ra một điện áp có biên độ, tần
số, góc pha và thứ tự pha không phụ thuộc vào loại tải và chỉ phụ thuộc vào tín hiều
điều khiển, điện áp thường có dạng hình chữnhật còn dòng điện phụthuộc vào tải có
thể là hình chữ nhật, hình răng cưa, hình sin, dạng hàm mũ
Còn nghịch lưu độc lập nguồn dòng thì luôn định ra một dòng điện có biên độ, tần số,
góc pha và thứ tự pha không phụthuộc vào loại tải và chỉ phụ thuộc vào tín hiều
điều khiển, dòng điện thường có dạng hình chữnhật còn điện áp phụ thuộc vào tải có
thể là hình chữ nhật, hình răng cưa, hình sin, dạng hàm mũ
2.2. Các sơ đồ nghịch lưu độc lập một pha
2.2.1. Thiết bị biến đổi dòng điện một pha
a. Sơ đồ một pha có điểm trung tính
Hình 16: Sơ đồmột pha có điểm trung tính
Sơ đồgồm một máy biến áp có điểm giữa phía sơ cấp, hai Tiristor anôt nối vào cực
dương của nguồn nuôi E thông qua hai nửa cuộn dây sơcấp của máy biến áp, do đó còn
có tên là onduleur song song. Ở đầu vào của onduleur dòng ta đấu nối tiếp với một điện
cảm lớn LK vừa để giữcho dòng điện vào để hạn chế đỉnh cao của dòng điện Ickhi khởi

18. động. Tụ điện C gọi là tụ điện chuyển mạch.Đặc điểm của onduleur dòng là có dòng
điện tải dạng “Sinus chữnhật” còn dạng điện áp trên tải thì do thông số mạch tải quyết
định.
2n1 là tổng số vòng dây sơ cấp.
n2 là sốvòng dây thứcấp.
i,v là dòng và áp phía thứcấp.
Hoạt động của sơ đồ:Giả thiết cho xung mở T1 điểm A được T1 nối với cực âm của
nguồn E. bấy giờV 0 –VA= u1= E, do hiệu ứng biến áp tự ngẫu nênVB =Vo = u1= E.như
vậy tụ điện C được nạp điện áp bằng 2E, bản cực dương ở bên phải. Bây giờ nếu cho
xung mở T2, Tiristor này mở và đặt điện thế điểm B vào mạch catôt T 1 khiến T 1 bị
khoá lại, tụ điện C sẽ bị nạp ngược lại, sẵn sàng để khoá T2 khi ta cho xung mở T1 Phía
thứ cấp ta nhận được dòng “Sinus chữnhật” mà tần số của nó phụ thuộc vào nhịp phát
xung mởT1,T2
b. Sơ đồ cầu một pha.
:
Hình 17: Sơ đồ cầu một pha
Các tín hiệu điều khiển được đưa vào từng đôi Tiristor T1, T2 lệch pha với tín hiệu
điều khiển đưa vào đôi T3 ,T4 một góc 180o
Điện cảm đầu vào nghịch lưu lớn (Ld=
∞), do đó dòng điện đầu vào id được san phẳng (biểu đồ xung), nguồn cấp cho nghịch
lưu là nguồn dòng và dạng dòng điện nghịch lưu (i) có dạng xung vuông. Khi đưa xung
vào mở cặp van T1,T2 , dòng điện i = id= Id. Đồng thời dòng qua tụ C tăng lên đột
biến , tụ C bắt đầu nạp điện với cực (+) ở bên trái và cực (-) ở bên phải. Khi tụ C nạp
đầy, dòng qua tụ giảm về không. Do i = ic = it=Id = hằng số, nên lúc đầu dòng qua tải
nhỏ và sau đó dòng qua tải tăng lên. Sau một nửa chu kỳ (t = t1) người ta đưa xung vào
Tải bản FULL ( 36 trang): bit.ly/2GPcZE7
Dự phòng: fb.com/TaiHo123doc.net

19. mởcặp van T3,T4. Cặp T3,T4 mở tạo ra quá trình phóng điện của tụ C từcực (+) vềcực
(-) . Dòng phóng ngược chiều với dòng qua T1 và T2 sẽ làm cho T1 và T2 bị khoá
lại.Quá trình chuyển mạch gần như tức thời. Sau đó tụC sẽ được nạp điện theo chiều
ngược lại với cực (+) ở bên phải và cực (-) ởbên trái. Dòng nghịch lưu i =id=-Id (đã đổi
dấu). Đến thời điểm t = t2 người ta đưa xung vào mởT1,T2 thì T3,T4 sẽ bị khoá lại và
quá trình được lặp lại như trước. Như vậy chức năng cơ bản của tụ C là làm nhiệm vụ
chuyển mạch cho các Tiristor. Tại thời điểm t1 khi mởT3 và T4 thì T1 và T2 sẽ bị
khoá lại bởi điện áp ngược của tụ C đặt vào. Khoảng thời gian duy trì diện áp ngược (
t1 -t’1 ) là cần thiết để duy trì qúa trình khoá và phục hồi tính điều khiển của van và t’1-
t01= tk ≥ toff là thời gian khoá của Tiristor hay chính là thời gian phục hồi tính điều
khiển. kt .ω β = là góc khoá của nghịch lưu.
2.2.2. Nghịch lưu điện áp 1 pha
a.Sơ đồ không điều chế
Hình 18: Sơ Đồ mạch điện
Trong đó : -T1,T2,T3,T4: Là các thyristor có nhiệm vụ để đóng cắt hoặc điều chỉnh thay
đổi điện áp xoay chiều ra tải.
-R, L: là phụ tải của động cơ điện xoay chiều.
-D1,D2,D3,D4: Là các diôt dẫn dòng khi tải trả năng lượng về nguồn nuôi.
-is: Là dòng nguồn xoay chiều dạng răng cưa.
Khi is > 0 thì nguồn cung cấp năng lượng cho tải (các thyristor dẫn dòng)
Khi is < 0 thì tải năng lượng về nguồn nuôi (các diôt dẫn dòng).
- C: Tụ lọc.
3450559