SlideShare une entreprise Scribd logo
1  sur  3
Télécharger pour lire hors ligne
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP À JONCTION (JFET)


                                                                                 Drain
Structure (canal N)

Un transistor à effet de champ à jonction                                N
(JFET) est constitué d’un barreau de
silicium N dans lequel on a diffusé deux
zones P de chaque côté.
                                                                                                 Gate
                                                                        P          P
Les deux zones P sont reliées ensemble et
forment la Gate.
La région N constitue le canal.

La jonction PN entre Gate et canal est
normalement polarisée en inverse.
                                                                                  Source
Principe de fonctionnement


On applique une faible tension VDS positive entre drain et source, et une tension négative VGS
entre grille et source.
Si VGS = 0 , il s'établit un courant dans le canal, circulant du drain vers la source.
Si VGS < 0 , la jonction grille - canal est bloquée. La zone de charge de cette jonction vient
réduire la section effective du canal. La résistance du canal augmente à mesure que l'on
augmente | VGS |.
Le JFET se comporte alors comme une résistance dont la valeur est contrôlée par VGS.
Pour une tension VGS = VP , la zone de charge d'espace envahit tout le canal et le courant ne
circule plus dans le canal. VP est la tension de seuil du JFET.




                      Phénomène de pincement dans un JFET (canal N)


J. Redoutey                                  -1-
Augmentons la tension VDS à VGS > VP . Le canal est parcouru par un courant ID.
Le passage de ce courant dans la résistance du canal provoque une chute de tension le long de
celui ci. Il en résulte que la tension Gate-canal varie tout au long du canal. Elle est maximale
(en valeur absolue) côté drain.
Nous pouvons exprimer la tension Gate - Drain (tension gate - canal au niveau du drain):

                                       VGD = VGS + VSD

Lorsque VGD = VP, le canal est pincé et le courant ID ne dépend plus de la valeur de VDS.
On a alors:
                                   VGD = VGS + VSD = VP
                                        VDS = VGS-VP

La valeur du courant drain correspondant à VGS = 0 est appelée IDSS.
L'équation du courant drain dans la zone linéaire (canal pincé) s'écrit:

                                     ID ≈ IDSS (1 -VGS/VP)²

Dans la zone de fonctionnement résistif (canal non pincé), la valeur de la résistance drain -
source peut s'écrire:
                            RDS ≈ -VP /(2IDSS ( 1 -VGS/VP))




                                    Caractéristiques ID-VDS




      Polarisation d'un JFET canal N




J. Redoutey                                    -2-
Polarisation par résistance de source


                       J FET                           La Gate étant au potentiel de la masse, la
                       Canal N                         source est portée à un potentiel positif par
                                                       la chute de tension RS ID.
                                                       On obtient ainsi une tension Gate-Source
               RG      RS        Vs=Rs Id              négative.




On a :
         ID = IDSS ( 1 - VGS/VP)² = (IDSS / VP²)(VP - VGS)²

On se fixe ID et l'on calcule VGS en résolvant l'équation:

         VGS² -2VPVGS - IDVP²/IDSS + VP² =0

Exemple:

         On utilise un JFET type J310 dont les caractéristiques sont:
         IDSS = 30 mA          VP = -2,4V
         On désire un courant drain ID = 6 mA

         L'équation s'écrit:
                                  VGS² + 4,8VGS +4,6 =0

                                  ∆ = 4,6
         Les racines sont :
         VGS1 = -3,47 V                     et         VGS2 = -1,33 V

         VGS1 ne convient pas car inférieure à Vp (correspond à ID = 0).

         On détermine ensuite la valeur de la résistance de source:

         RS = VGS/ ID = 1,33/6.10-3 = 220 Ω




J. Redoutey                                      -3-

Contenu connexe

Tendances (20)

Amplificateurs puissance
Amplificateurs puissanceAmplificateurs puissance
Amplificateurs puissance
 
Transistor effet-champ
Transistor effet-champTransistor effet-champ
Transistor effet-champ
 
Poly td ea
Poly td eaPoly td ea
Poly td ea
 
Transistors
TransistorsTransistors
Transistors
 
Les transistors
Les transistorsLes transistors
Les transistors
 
MOSFETs
MOSFETsMOSFETs
MOSFETs
 
Cours master phys sc chap 5 2015
Cours master phys sc chap 5 2015Cours master phys sc chap 5 2015
Cours master phys sc chap 5 2015
 
Chap3
Chap3Chap3
Chap3
 
Electronique analogique
Electronique analogiqueElectronique analogique
Electronique analogique
 
Tp thyristor
Tp thyristorTp thyristor
Tp thyristor
 
Le transformateur de puissance
Le transformateur de puissanceLe transformateur de puissance
Le transformateur de puissance
 
Chap1
Chap1Chap1
Chap1
 
Dipôles
DipôlesDipôles
Dipôles
 
Les transformateurs
Les transformateursLes transformateurs
Les transformateurs
 
Magnétosta cp 2 2017
Magnétosta cp 2 2017 Magnétosta cp 2 2017
Magnétosta cp 2 2017
 
Amplification Bipolaire
Amplification BipolaireAmplification Bipolaire
Amplification Bipolaire
 
Transformateur
TransformateurTransformateur
Transformateur
 
Hysteresis 2
Hysteresis 2Hysteresis 2
Hysteresis 2
 
Amplificateur opérationnel
Amplificateur opérationnelAmplificateur opérationnel
Amplificateur opérationnel
 
Cours d'électronique
Cours d'électroniqueCours d'électronique
Cours d'électronique
 

En vedette

L'accompagnement de demandeurs d'emploi handicapés vers le métier d'aide-soig...
L'accompagnement de demandeurs d'emploi handicapés vers le métier d'aide-soig...L'accompagnement de demandeurs d'emploi handicapés vers le métier d'aide-soig...
L'accompagnement de demandeurs d'emploi handicapés vers le métier d'aide-soig...EmploiPublic
 
Le point de vue des habitants concernés par la proximité avec des structures ...
Le point de vue des habitants concernés par la proximité avec des structures ...Le point de vue des habitants concernés par la proximité avec des structures ...
Le point de vue des habitants concernés par la proximité avec des structures ...CripsIDF
 
Gestion de la performance
Gestion de la performanceGestion de la performance
Gestion de la performanceHays France
 
Oif atelier rel - moncton 4-8.02.13
Oif atelier rel - moncton 4-8.02.13Oif atelier rel - moncton 4-8.02.13
Oif atelier rel - moncton 4-8.02.13Gilbert Paquette
 
Alfred, exemple de design de persuasion
Alfred, exemple de design de persuasionAlfred, exemple de design de persuasion
Alfred, exemple de design de persuasionYu Centrik
 
MARCHE VERS L'ORGANISATION DES ELECTIONS 2012-2014 EN HAITI: DIALOGUE, NEGOCI...
MARCHE VERS L'ORGANISATION DES ELECTIONS 2012-2014 EN HAITI: DIALOGUE, NEGOCI...MARCHE VERS L'ORGANISATION DES ELECTIONS 2012-2014 EN HAITI: DIALOGUE, NEGOCI...
MARCHE VERS L'ORGANISATION DES ELECTIONS 2012-2014 EN HAITI: DIALOGUE, NEGOCI...Stanleylucas
 
Conseil Securite 11 Septembre 2014: Rapport du Secrétaire général sur la Miss...
Conseil Securite 11 Septembre 2014: Rapport du Secrétaire général sur la Miss...Conseil Securite 11 Septembre 2014: Rapport du Secrétaire général sur la Miss...
Conseil Securite 11 Septembre 2014: Rapport du Secrétaire général sur la Miss...Stanleylucas
 
Repondre chiffres-2011
Repondre chiffres-2011Repondre chiffres-2011
Repondre chiffres-2011tomtom56
 
Dossier inscription projet Associations de Patients festival communication sa...
Dossier inscription projet Associations de Patients festival communication sa...Dossier inscription projet Associations de Patients festival communication sa...
Dossier inscription projet Associations de Patients festival communication sa...Festival de la Communication Santé
 
Editeurs vs Stores : optimisation des applications, optimisation des relations
Editeurs vs Stores : optimisation des applications, optimisation des relationsEditeurs vs Stores : optimisation des applications, optimisation des relations
Editeurs vs Stores : optimisation des applications, optimisation des relationsJérôme Perani
 
Emploi dans la fonction publique en 2013
Emploi dans la fonction publique en 2013Emploi dans la fonction publique en 2013
Emploi dans la fonction publique en 2013EmploiPublic
 

En vedette (20)

Tableaux dali 2
Tableaux dali 2Tableaux dali 2
Tableaux dali 2
 
L'accompagnement de demandeurs d'emploi handicapés vers le métier d'aide-soig...
L'accompagnement de demandeurs d'emploi handicapés vers le métier d'aide-soig...L'accompagnement de demandeurs d'emploi handicapés vers le métier d'aide-soig...
L'accompagnement de demandeurs d'emploi handicapés vers le métier d'aide-soig...
 
Le point de vue des habitants concernés par la proximité avec des structures ...
Le point de vue des habitants concernés par la proximité avec des structures ...Le point de vue des habitants concernés par la proximité avec des structures ...
Le point de vue des habitants concernés par la proximité avec des structures ...
 
Gestion de la performance
Gestion de la performanceGestion de la performance
Gestion de la performance
 
Oif atelier rel - moncton 4-8.02.13
Oif atelier rel - moncton 4-8.02.13Oif atelier rel - moncton 4-8.02.13
Oif atelier rel - moncton 4-8.02.13
 
Alfred, exemple de design de persuasion
Alfred, exemple de design de persuasionAlfred, exemple de design de persuasion
Alfred, exemple de design de persuasion
 
MARCHE VERS L'ORGANISATION DES ELECTIONS 2012-2014 EN HAITI: DIALOGUE, NEGOCI...
MARCHE VERS L'ORGANISATION DES ELECTIONS 2012-2014 EN HAITI: DIALOGUE, NEGOCI...MARCHE VERS L'ORGANISATION DES ELECTIONS 2012-2014 EN HAITI: DIALOGUE, NEGOCI...
MARCHE VERS L'ORGANISATION DES ELECTIONS 2012-2014 EN HAITI: DIALOGUE, NEGOCI...
 
Conseil Securite 11 Septembre 2014: Rapport du Secrétaire général sur la Miss...
Conseil Securite 11 Septembre 2014: Rapport du Secrétaire général sur la Miss...Conseil Securite 11 Septembre 2014: Rapport du Secrétaire général sur la Miss...
Conseil Securite 11 Septembre 2014: Rapport du Secrétaire général sur la Miss...
 
France2 3
France2 3France2 3
France2 3
 
FM LAETI
FM LAETIFM LAETI
FM LAETI
 
Sug bordeaux 20110914
Sug bordeaux 20110914Sug bordeaux 20110914
Sug bordeaux 20110914
 
Premiers pas
Premiers pasPremiers pas
Premiers pas
 
чтение Simulateur
чтение Simulateurчтение Simulateur
чтение Simulateur
 
Repondre chiffres-2011
Repondre chiffres-2011Repondre chiffres-2011
Repondre chiffres-2011
 
Dossier inscription projet Associations de Patients festival communication sa...
Dossier inscription projet Associations de Patients festival communication sa...Dossier inscription projet Associations de Patients festival communication sa...
Dossier inscription projet Associations de Patients festival communication sa...
 
Unite d'action
Unite d'actionUnite d'action
Unite d'action
 
Editeurs vs Stores : optimisation des applications, optimisation des relations
Editeurs vs Stores : optimisation des applications, optimisation des relationsEditeurs vs Stores : optimisation des applications, optimisation des relations
Editeurs vs Stores : optimisation des applications, optimisation des relations
 
Amur leopard
Amur leopardAmur leopard
Amur leopard
 
Emploi dans la fonction publique en 2013
Emploi dans la fonction publique en 2013Emploi dans la fonction publique en 2013
Emploi dans la fonction publique en 2013
 
Pack 2013 dossier de presse
Pack 2013 dossier de pressePack 2013 dossier de presse
Pack 2013 dossier de presse
 

Similaire à Jfet

Transistor-effet-champ.pdf
Transistor-effet-champ.pdfTransistor-effet-champ.pdf
Transistor-effet-champ.pdfwafawafa52
 
chapitre_1_transistor_a_effet_de_champ.pdf
chapitre_1_transistor_a_effet_de_champ.pdfchapitre_1_transistor_a_effet_de_champ.pdf
chapitre_1_transistor_a_effet_de_champ.pdfmouadbouaicha
 
diodes et leurs applications.ppt
diodes et leurs applications.pptdiodes et leurs applications.ppt
diodes et leurs applications.pptHassanMoufassih
 
diodes et leurs applications.ppt
diodes et leurs applications.pptdiodes et leurs applications.ppt
diodes et leurs applications.pptHassanMoufassih
 
diodes et leurs applications (1).ppt
diodes et leurs applications (1).pptdiodes et leurs applications (1).ppt
diodes et leurs applications (1).pptHassanMoufassih
 
TP2_diodes_et_caracteristiques_tension_courant.pdf
TP2_diodes_et_caracteristiques_tension_courant.pdfTP2_diodes_et_caracteristiques_tension_courant.pdf
TP2_diodes_et_caracteristiques_tension_courant.pdfMahometHana
 
Présentation2_SC_diode_2020_2021 2 eme année classe preparatoire.pdf
Présentation2_SC_diode_2020_2021 2 eme année classe preparatoire.pdfPrésentation2_SC_diode_2020_2021 2 eme année classe preparatoire.pdf
Présentation2_SC_diode_2020_2021 2 eme année classe preparatoire.pdfIbrahimTr1
 
Chap_1_Redresseurs.ppt [Mode de compatibilité].pdf
Chap_1_Redresseurs.ppt [Mode de compatibilité].pdfChap_1_Redresseurs.ppt [Mode de compatibilité].pdf
Chap_1_Redresseurs.ppt [Mode de compatibilité].pdffadouamadarisse
 
331307831-Les-Redresseurs-Non-Commandes.pdf
331307831-Les-Redresseurs-Non-Commandes.pdf331307831-Les-Redresseurs-Non-Commandes.pdf
331307831-Les-Redresseurs-Non-Commandes.pdfsayarifiras
 
Fonction Alimenter: Grandeurs électriques
Fonction Alimenter: Grandeurs électriquesFonction Alimenter: Grandeurs électriques
Fonction Alimenter: Grandeurs électriquesmorin moli
 

Similaire à Jfet (13)

Transistor-effet-champ.pdf
Transistor-effet-champ.pdfTransistor-effet-champ.pdf
Transistor-effet-champ.pdf
 
chapitre_1_transistor_a_effet_de_champ.pdf
chapitre_1_transistor_a_effet_de_champ.pdfchapitre_1_transistor_a_effet_de_champ.pdf
chapitre_1_transistor_a_effet_de_champ.pdf
 
Tec
TecTec
Tec
 
Tp 1 2_3_4
Tp 1 2_3_4Tp 1 2_3_4
Tp 1 2_3_4
 
diodes et leurs applications.ppt
diodes et leurs applications.pptdiodes et leurs applications.ppt
diodes et leurs applications.ppt
 
diodes et leurs applications.ppt
diodes et leurs applications.pptdiodes et leurs applications.ppt
diodes et leurs applications.ppt
 
diodes et leurs applications (1).ppt
diodes et leurs applications (1).pptdiodes et leurs applications (1).ppt
diodes et leurs applications (1).ppt
 
TP2_diodes_et_caracteristiques_tension_courant.pdf
TP2_diodes_et_caracteristiques_tension_courant.pdfTP2_diodes_et_caracteristiques_tension_courant.pdf
TP2_diodes_et_caracteristiques_tension_courant.pdf
 
Présentation2_SC_diode_2020_2021 2 eme année classe preparatoire.pdf
Présentation2_SC_diode_2020_2021 2 eme année classe preparatoire.pdfPrésentation2_SC_diode_2020_2021 2 eme année classe preparatoire.pdf
Présentation2_SC_diode_2020_2021 2 eme année classe preparatoire.pdf
 
Chap_1_Redresseurs.ppt [Mode de compatibilité].pdf
Chap_1_Redresseurs.ppt [Mode de compatibilité].pdfChap_1_Redresseurs.ppt [Mode de compatibilité].pdf
Chap_1_Redresseurs.ppt [Mode de compatibilité].pdf
 
Diodes
DiodesDiodes
Diodes
 
331307831-Les-Redresseurs-Non-Commandes.pdf
331307831-Les-Redresseurs-Non-Commandes.pdf331307831-Les-Redresseurs-Non-Commandes.pdf
331307831-Les-Redresseurs-Non-Commandes.pdf
 
Fonction Alimenter: Grandeurs électriques
Fonction Alimenter: Grandeurs électriquesFonction Alimenter: Grandeurs électriques
Fonction Alimenter: Grandeurs électriques
 

Jfet

  • 1. TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP À JONCTION (JFET) Drain Structure (canal N) Un transistor à effet de champ à jonction N (JFET) est constitué d’un barreau de silicium N dans lequel on a diffusé deux zones P de chaque côté. Gate P P Les deux zones P sont reliées ensemble et forment la Gate. La région N constitue le canal. La jonction PN entre Gate et canal est normalement polarisée en inverse. Source Principe de fonctionnement On applique une faible tension VDS positive entre drain et source, et une tension négative VGS entre grille et source. Si VGS = 0 , il s'établit un courant dans le canal, circulant du drain vers la source. Si VGS < 0 , la jonction grille - canal est bloquée. La zone de charge de cette jonction vient réduire la section effective du canal. La résistance du canal augmente à mesure que l'on augmente | VGS |. Le JFET se comporte alors comme une résistance dont la valeur est contrôlée par VGS. Pour une tension VGS = VP , la zone de charge d'espace envahit tout le canal et le courant ne circule plus dans le canal. VP est la tension de seuil du JFET. Phénomène de pincement dans un JFET (canal N) J. Redoutey -1-
  • 2. Augmentons la tension VDS à VGS > VP . Le canal est parcouru par un courant ID. Le passage de ce courant dans la résistance du canal provoque une chute de tension le long de celui ci. Il en résulte que la tension Gate-canal varie tout au long du canal. Elle est maximale (en valeur absolue) côté drain. Nous pouvons exprimer la tension Gate - Drain (tension gate - canal au niveau du drain): VGD = VGS + VSD Lorsque VGD = VP, le canal est pincé et le courant ID ne dépend plus de la valeur de VDS. On a alors: VGD = VGS + VSD = VP VDS = VGS-VP La valeur du courant drain correspondant à VGS = 0 est appelée IDSS. L'équation du courant drain dans la zone linéaire (canal pincé) s'écrit: ID ≈ IDSS (1 -VGS/VP)² Dans la zone de fonctionnement résistif (canal non pincé), la valeur de la résistance drain - source peut s'écrire: RDS ≈ -VP /(2IDSS ( 1 -VGS/VP)) Caractéristiques ID-VDS Polarisation d'un JFET canal N J. Redoutey -2-
  • 3. Polarisation par résistance de source J FET La Gate étant au potentiel de la masse, la Canal N source est portée à un potentiel positif par la chute de tension RS ID. On obtient ainsi une tension Gate-Source RG RS Vs=Rs Id négative. On a : ID = IDSS ( 1 - VGS/VP)² = (IDSS / VP²)(VP - VGS)² On se fixe ID et l'on calcule VGS en résolvant l'équation: VGS² -2VPVGS - IDVP²/IDSS + VP² =0 Exemple: On utilise un JFET type J310 dont les caractéristiques sont: IDSS = 30 mA VP = -2,4V On désire un courant drain ID = 6 mA L'équation s'écrit: VGS² + 4,8VGS +4,6 =0 ∆ = 4,6 Les racines sont : VGS1 = -3,47 V et VGS2 = -1,33 V VGS1 ne convient pas car inférieure à Vp (correspond à ID = 0). On détermine ensuite la valeur de la résistance de source: RS = VGS/ ID = 1,33/6.10-3 = 220 Ω J. Redoutey -3-