3. 301/13/15
기술의 개요
▣ 발진기의 귀환루프의 일부에 유도성 리엑턴스인 정합코
일과 결합 콘덴서를 삽입하여 , L-Matching 함으로써 고조
파를 저감시킨 고주파 발생회로 기술 .
▣ 1999 년 7 월 26 일 특허 등록 , 특허 제 0226284 호
▣ 2000 년 10 월 T-Matching 발진회로 국내 출원 완료
▣ 2001 년 7 월 PCT 출원 및 미국특허 출원 완료
4. 401/13/15
종래 발진기술의 문제점
▣ 현재 거의 모든 무선기기의 국부 발진원으로 콜피츠 , 하틀리 , 클랩 , 또는 이
들의 변형 발진회로가 사용되고 있음 .
▣ 기존의 발진회로는 회로자체에서 고조파가 많이 발생하기 때문에 무선기기의
국부발진 또는 송신기의 발진기에 이용하는 경우 Band Pass Filter 혹은 대역
제한 증폭기를 이용해야 함 .
▣ High Q 공진회로를 이용하여야 안정된 발진 가능 .
▣ 저 전압으로 발진회로를 동작시키는 경우 , 발진회로의 발진조건을 만드는 귀
환용량의 조합상의 제한으로부터 귀환루프 이득을 크게 할 수 없기 때문에 차
단주파수가 상당히 높은 TR 을 이용해야 함 .
6. 601/13/15
회로 설명
▣ TR6 의 에미터 출력과 그 TR 의 베이스 입력부와의 사이에 임피던스 정합을
취함으로써 귀환루프 10 의 이득 증대 .
▣ 유도성 리엑턴스인 정합코일 7 과 정합콘덴서 5 로 만든 임피던스 정합회로
는 Low Pass Filter 의 구성을 하고 , TR6 의 에미터 출력신호의 고조파성분을
제거하는 작용 .
▣ 정합코일 7 과 정합콘덴서 5 로 만든 Low Pass 형 정합회로는 직렬공진회로
를 형성하고 있고 , 이것을 복 공진기로 하면 동일회로 내에 2 개의 공진기
를 가짐 . 따라서 높은 주파수 선택성으로 인해 우수한 C/N 값을 얻을 수
있음 .
7. 701/13/15
당사 회로의 작용 및 특징
▣ 우수한 C/N 비
▣ 탁월한 스프리어스 저감 효과
▣ 발진이득의 증가로 Tank 회로의 Q 가 낮아도 발진 가능
▣ 구동전압이 드레시홀드 값에 이를 때까지 안정된 발진 가능
▣ Body Effect 최소화
▣ 전체 발진 주파수의 커버 범위 확대
▣ 부품수가 적은 Monolithic 회로에 응용된 경우 , 방사 Noise 의
발생원이 되는 도체 Pattern 이 Monolithic 회로 내에 집중하는
데 , 전자파방해를 받지 않음 .
8. 801/13/15
기존 발진기와의 비교 (1)
▣ 발진 안정도 제고
Varicap. Diode 로 공진 주파수를 가변시킬 경우 , Varicap. Diode 에 공급되는
컨트롤전압이 0 V 에 가까울 때 대부분의 발진기는 불안정한 발진 상태가
되
거나 심한 Noise 를 발생시키게 된다 . 그러나 본 발진장치에서는
Varicap.
Diode 의 특성 값을 최대한 이용함으로써 , Varicap. Diode 의 Q Factor 영향
을
최소화 시키면서 발진 범위를 더 넓게 잡을 수 있도록 한다 .
그리고 공진기의 Q 가 낮아도 높은 선택도를 갖고 있으므로 전체 공진주파
수
범위가 넓게 된다 .
9. 901/13/15
기존 발진기와의 비교 (2)
▣ 우수한 스프리어스 특성으로 인한 효과
2 차 , 3 차 고조파는 회로설계시 IMD 특성을 저해 함과 동시에 고조파 스프
리
어스를 발생하므로 제거필터나 동조회로를 구성하지 않으면 안되게 되는
요
인이며 , 수신회로에서는 이미지신호를 불러오는 원인으로 수신감도 및
S/N
비를 저하시킨다 . 이를 막기 위하여 거의 모든 무선기기의 회로에는 많은
부
가적인 회로나 협대역 증폭기를 구성해야 하고 , 이에 따라 전체적인 효율
이
떨어지고 제품의 크기가 커지게 되며 Material Cost 도 상승하게 된다 .
하지만 당사의 발진회로를 채용할 경우 성능향상은 물론이고 후단의 회로
를
줄여서 크기가 작아지고 MC 를 줄일 수 있다 .
10. 1001/13/15
Spurious 특성 비교
기존 발진방식 본 발진방식
일반 발진기와의 스프리어스 특성비교
1차 1차2차 2차3차 3차
0dB
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
이부장 ,
위와 같은 차이점은 CXO & MCXO 의 성능에 어떤 차이점이 왜 생기는지 두가지를 알려
주길 바랍니다 .
11. 1101/13/15
900MHz VCO 특성 비교
Parameter 삼성전기 무라타 YMJ
Supply Voltage 3.0 ±0.15 2.6 3.0 ±0.15
Output Level -3 ±3 dBm -1 ±3 dBm 0 ±3 dBm
Current ≤7 mA ≤8 mA ≤8 mA
Control Voltage 0.5 ~ 2.5 0.7 ~ 2.5 0.1 ~ 3.0
Sensitivity(MHz/V) ≥20 ≥23 ≥30
C/N (60KHz offset) -116 dBc -119 dBc -117 dBc
Harmonics ≥- 10 ~ -15 ≥- 15 ~ -23 ≥- 35