El documento proporciona las especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluidos el NDP6030PL, J201, 2N3055-3, 2N6099 y MC140. Se describen las características eléctricas y térmicas clave como la tensión máxima, corriente máxima, disipación de potencia, temperatura de unión y coeficiente de ganancia de cada transistor.
2. Transistor ndp6030pl (MOSFET)
CARACTERISTICAS
Los valores máximos absolutos TC = 25 C a
menos que se indique lo contrario
Símbolo de los parámetros NDP6030PL
NDB6030PL unidades
VDSS drenaje-fuente de tensión -30 V
VGSS puerta-fuente de tensión - Continuo 16 V
Identificación Consumo de corriente - continua 30 A
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
RqJC Resistencia térmica, conexión a Caso 2 C
/W
RqJA Resistencia térmica, Junction-a-ambiente
62.5 C / W
NDP6030PL Rev.B1
Un -30, -30 V. RDS (on) = 0,042 W @ VGS = -4,5
V
RDS (on) = 0,025 W @ VGS = -10 V.
Críticos de los parámetros eléctricos de corriente
continua especificadas a temperaturas elevadas
5. Transistor J201 Low Noise N-Channel JFET
Popular Fairchild JFET transistor
para los pedales de guitarra y
preamplificadores en un caso de
TO-92.Compatible con RoHS.
8. Transistor 2N3055-3
CARACTERISTICAS
Material: Si
La estructura de transistor: npn
Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 117W
Limite el colector DC-base (Ucb): 110V
Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 100V
Límite de tensión emisor-base (Ueb): 7V
Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 15A
Temperatura límite de unión pn (Tj): 200 C
Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
800KHz
Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común
(Hfe), min/max: 20/70
Fabricante: KELTRON
Caso: TO3
10. Transistor 2n6099
CARACTERISTICAS
Material: Si
La estructura de transistor: npn
Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 75W
Limite el colector DC-base (Ucb): 70V
Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 60V
Límite de tensión emisor-base (Ueb): 8V
Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 10A
Temperatura límite de unión pn (Tj): 150 C
Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
800KHz
Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común (Hfe),
min/max: 20/80
Fabricante: STI
Caso: TO220
12. Transistor mc140
CARACTERISTICAS
Material: Si
La estructura de transistor: npn
Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 3.5W
Limite el colector DC-base (Ucb): 80V
Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 40V
Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 1A
Temperatura límite de unión pn (Tj): 150 C
Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
60MHz
Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf:
25
Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común
(Hfe), min/max: 40/300
Fabricante: PHO
Caso: TO126