Transistor de efecto de campo mosfet y ffet

1. Universidad Antonio José De Sucre
Nombre: Aldair Serrano
Cedula: 24734573
Carrera: Electrónica (80)

2. Transistor JFET
Es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado
como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia
controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente
llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).
A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo
controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización.
La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que
se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensión eléctrica inversa al
terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al
paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S
cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (región de
saturación), pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad
adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando así en
la región óhmica, hasta determinado límite cuando deja de conducir y entra en
corte. La gráfica de la tensión entre los terminales D y S (VDS) en el eje
horizontal contra la corriente del terminal D (ID o corriente de drenaje) es una
curva característica y propia de cada JFET.
Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente
en el orden de1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable
respecto a los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de
puerta.

3. Transistores MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son
dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una
canal de conducción. Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la
mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la
tecnología MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal
N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores
pueden ser de acumulación (enhancement) o deplexion (deplexion); en la
actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente
serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de
enriquecimiento. La figura 1.14 indica los diferentes símbolos utilizados para
describir los transistores MOS.
En la figura 1.15 se describe la estructura física de un MOSFET de canal N con
sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el
sustrato se encuentra conectado a la fuente.
La puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un
dieléctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de
un condensador. Al aplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas
negativas (capa de inversión) en la superficie del substrato y se crea un camino
de conducción entre los terminales drenador y fuente.
La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión
umbral o tensión de threshold (VT) y es un parámetro característico del
transistor. Si la VGS < VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores
típicos de esta tensión son 0.5 V a 3 V.

4. o Simbología utilizada (del JFET y MOSFET)
o

5. Polarización de los FET
Los circuitos básicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para
los MOSFET. EL JFET tiene el inconveniente de que la tensión VGS debe
ser negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de
polarización característicos para este tipo de dispositivos.
En este apartado únicamente se presentan dos de los circuitos más utilizados:
polarización simple (figura 1.17), se utiliza una fuente de tensión externa
para generar una VGS<0, y auto polarización (figura 1.18), la caída de tensión en
la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.

6. Polarización Mosfet
Ya que los mosfet de tipo empobrecimiento pueden operar en el modo de empobrecer, pueden
usarcé todos los métodos de polarización estudiados para los JFET. Estos incluyen
polarización de graduador, auto polarización, polariza por divisor de voltaje y polarización por
corriente de surtidor. Además de estos métodos de polarización los MOSFE>T de tipo
empobrecimiento admiten otra opinión. Ya un MOSFET del tipo de empobrecimiento puede
operar, ya se a en el modo de empobrecimiento o en el de enriquecimiento, pueden fijarse el
punto q en VGS= 0, como se muestra en una delas figuras. Por lo tanto, una señal de Ca de
entrada aplicada al graduador produce variaciones arriba y abajo del punto Q. el hecho de que
VGS pueda ser cero es una ventaja cuando se trata de polarizar. Ello permite usar el circuito de
polarización. A este circuito tan simple no se le aplica voltaje ni al graduador , ni al surtidor,, por
lo tanto VGS= 0 e ID = IDSS. El voltaje de cc en el drenado es Ya que los mosfet de tipo
empobrecimiento pueden operar en el modo de empobrecer, pueden usarcé todos los métodos
de polarización estudiados para los JFET. Estos incluyen polarización de graduador, auto
polarización, polariza por divisor de voltaje y polarización por corriente de surtidor. Además de
estos métodos de polarización los MOSFE>T de tipo empobrecimiento admiten otra opinión. Ya
un MOSFET del tipo de empobrecimiento puede operar, ya se a en el modo de
empobrecimiento o en el de enriquecimiento, pueden fijarse el punto q en VGS= 0, como se
muestra en una delas figuras. Por lo tanto, una señal de Ca de entrada aplicada al
graduador produce variaciones arriba y abajo del punto Q. el hecho de que VGS pueda ser
cero es una ventaja cuando se trata de polarizar. Ello permite usar el circuito de polarización. A
este circuito tan simple no se le aplica voltaje ni al graduador , ni al surtidor,, por lo tanto VGS=
0 e ID = IDSS. El voltaje de cc en el drenado es.

7. Ejercicio de circuito con JFET