2.  El transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-
semiconductor Field-efecto transistor) es un
transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas.
 Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o
digitales, aunque el transistor de unión
bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
 Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están basados en
transistores MOSFET.

3.  El término 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es
actualmente incorrecto debido a que el material de la compuerta,
que antes era metálico, ahora se construye con una capa
de silicio policristalino.
 En sus inicios se utilizó aluminio para fabricar la compuerta,
hasta mediados de 1970 cuando el silicio policristalino comenzó
a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar
compuertas auto-alineadas.
 Las compuertas metálicas están volviendo a ganar popularidad,
debido a que es complicado incrementar la velocidad de
operación de los transistores sin utilizar componentes metálicos
en la compuerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como
aislante en la compuerta también se ha reemplazado por otros
materiales con el propósito de obtener canales fuertes con la
aplicación de tensiones más pequeñas.

5.  Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN
y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre
los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.
 Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en
particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que
existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
 Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado
por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se
sitúan dos patillas de salida (drenado y fuente) flanqueada por
dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos
terminales conectados entre sí (puerta).

6.  Al aplicar una tensión positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N
crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones
(corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta
VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se
extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y
drenado queda completamente cortado.
 A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p
y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortándose la corriente para
tensiones menores que Vp.
 Así, según el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para
tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es también negativa)
y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos
valores de la ID en función de la VGS vienen dados por una gráfica o
ecuación denominada ecuación de entrada.
 En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dará
una salida en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensión
entre el drenado y la fuente VDS. A la gráfica o ecuación que relaciona
estás dos variables se le denomina ecuación de salida, y en ella es donde
se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: óhmica y
saturación.

8.  MESFET en inglés de campo de metal-semiconductor
transistor de efecto. Es muy similar a un JFET en la
construcción y la terminología. La diferencia es que en
lugar de utilizar una unión pn para una puerta, se utiliza
una unión Schottky (metal-semiconductor).
 MESFETs se construyen normalmente en tecnologías de
semiconductores compuestos que carecen de pasivación
de superficie de alta calidad, tales como GaAs, InP o SiC, y
son más rápidos pero más caros que los JFET MOSFET o
basados ​​en silicio.
 MESFET de producción son operados hasta
aproximadamente 45 GHz, y se utilizan comúnmente para
las comunicaciones de frecuencia de microondas y de
radar.

9.  Los primeros MESFETs se desarrollaron en
1966, y un año después su rendimiento
extremadamente alto microondas RF
frecuencia se demostró. Desde una
perspectiva de diseño de circuitos digitales,
cada vez es más difícil de usar MESFETs como
base para circuitos integrados digitales, como
la escala de integración aumenta, en
comparación con la fabricación CMOS basado
en silicio.

11.  Los HEMT, acrónimo del inglés High electron mobility
transistor (Transistor de alta movilidad de electrones), también
conocidos como HFET, acrónimo de Heterostructure FET (FET de
Heteroestructura, que a su vez es el acrónimo de Field Effect Trasistor,
transistor de efecto de campo) o también MODFET, Modulation-doped
FET (Transistor FET de dopado modulado) son un tipo de transistor de
efecto de campo que incorporan una unión entre dos materiales con
diferentes bandas prohibidas, una heterounión, como canal de
conducción en vez de una región dopada como es generalmente el caso
de los MOSFET.
 La composición más habitual de estos transistores es una combinación
de Arseniuro de galio, GaAs, con Arseniuro de galio-aluminio, AlGaAs;
aunque existe una gran variabilidad en función de la aplicación a la que
se destine.
 Existen transistores que contienen Indio, que generalmente presentan
mejores rendimientos a altas frecuencias, mientras que recientemente se
han introducido transistores con Nitrito de Galio, GaN, que presentan
mejor rendimiento en alta potencia.

12.  Los transistores HEMT evitan este problema mediante el uso de
electrones de alta movilidad generados por la heterounión de una capa
donadora de tipo N de banda prohibida ancha y altamente
dopada, AlGaAs en la figura, y una capa canal de banda prohibida
estrecha y no dopada, GaAs en la figura.
 Los electrones generados en la fina capa de tipo N de AlGaAs caen todos
en la capa de GaAs dejando completamente vacía la capa anterior debido
a que la heterounión creada por dos materiales de diferente ancho de
banda prohibida forma un pozo cuántico en la banda de conducción en
el lado del GaAs donde los electrones se pueden mover rápidamente sin
colisionar con ninguna impureza ya que esta capa no está dopada y de
la que además no pueden escapar.
 El efecto resultante es la creación de una capa muy fina y con mucha
concentración de electrones conductores con muy alta movilidad, dando
al canal una muy baja resistividad. Esta capa se la llama gas de
electrones bidimensional. Como todos los transistores de efecto de
campo, la tensión aplicada a la puerta (gate) del transistor modifica la
conductividad de esta capa.

14.  El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT,
del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es
un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica
como interruptor controlado en circuitos de electrónica de
potencia.
 Este dispositivo posee la características de las señales de
puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación
del transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un transistor
bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
 El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como
las del BJT.

15.  El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta
100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
 Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente
conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción.
 Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados
en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos
de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
 Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene
la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la
corriente de base para mantenerse en conducción.
 Sin embargo las corrientes transitorias de conmutación de la base
pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia
es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja más potencia que
los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los
primeros.