1. Dispositivos Electrónicos
Tipos de Diodos

2. Diodo LED
Características del Diodo LED-RL-504
Lugar de Número de
NC; GUA RL-504
Origen: modelo:
Tipo: LED Marca: Ruilong
3 mm, 5 mm, 8
color: Cualquier color Tamaño:
mm
Ronda, paja y de duración de
Forma: 1, 000, 000 horas
cabeza plana vida:
Potencia: 0.06W Tipo de paquete: ronda
Ángulo de Max. Voltaje
10 a 140 grados 5V
visión: reverso del:
Max. Tensión Max. Corriente
3.6V 20mA
directa: Delantera:
Temperatura de
La intensidad 3, 000 a 15,
almacenamiento -40 A 100 grados
luminosa: 000mcd
:
Max. Corriente El agua de color
5uA Tipo de lente:
reversa: claro, difusa

3. Diodo Laser
Características del Diodo Laser- GCSLD-2-120m-5
longitud de onda: diodo láser 405nm de potencia de salida: 120mw
paquete: TO18 (5.6m m)
405nm, diodo láser del azul 120mW
Modelo: GCSLD-2-120m-5
l Grados máximos absolutos (Tc=25):
Parámetro Símbolos Grados Unidades
CW 120
Salida ligera Po mW
Pulso 200
Voltaje reverso Vr 2 V
Temperatura de la
Tapa -10~+80
operación
Temperatura de
Tstg -40~+85
almacenaje

4. Fotodiodo
Características del Fotolito AT405-PD-01
Lugar de Guangdong,
Marca: Albeir
Origen: China (Mainland)
Numero
AT405-PD-01 Tipo: Signal Diode
Modelo:
Tipo de Tension Max.
Plugins 5
Paquete: Volt.
Voltaje Max. Corriente
5 100uA
Reve. Maxima
Corriente Max.
10nA
Rev.

5. Fotodiodo
Características eléctricas del Fotolito AT405-PD-01
Parámetro Símbolos Condición Mínimo. Typ. Máximo. Unidad
Longitud de onda de
λp Po=100mW 400 405 410 nanómetro
Lasing
Corriente del umbral Ith CW - 35 50 mA
Corriente de
IOP Po=100mW - 100 130 mA
funcionamiento
Voltaje de
Vop Po=100mW - 4.6 5.5 V
funcionamiento
Paralelo θ 7 9 12 grado.
Divergencia
Po=100mW
de la viga 1) Perpendicul
θ 15 19.5 23 grado.
ar
Eficacia de la cuesta η - 1.2 1.4 1.9 mW/mA
Paralelo θ - - +-2 grado.
Exactitud
del punto de Po=100mW
Perpendicul
la emisión θ - - +-2.5 grado.
ar

6. Diodo Zener
Características del diodo Zener - LT1172CS
Grado del voltaje (C.C.) 10.0 V
Temperatura de funcionamiento °C 175 (máximo)
Corriente de salida 1.00 A (máxima)
Disipación de energía 1.00 W (máximo)
Caso/paquete DO-41
Estado sin plomo Sin plomo
Material Vidrio
Tipo del montaje A través del agujero
Empaquetado Cinta
RoHS Obediente
Estilo de la terminación A través del agujero

7. Diodo Semiconductor
Características del diodo semiconductor R300
O diodo de semiconductor R3000 1.4000V 0.2A DO-41
O conmutación 2.fast
O alto voltaje
O capacidad de gran intensidad
O diodo de semiconductor R3000
O conmutación rápida
O salida baja
O alto voltaje
O alta confiabilidad
O alta capacidad de oleada
O capacidad de gran intensidad
O bajo remita

8. Bibliografía
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