PUT

1. PUT
El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al
del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo” debido a su
configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es más
flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensión que permita variar la
frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.
EL SIMBOLO DEL PUT
Funcionamiento[editar]
Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción. El PUT
permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se apaga. El
apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a la corriente de
sostenimiento.
Conexión típica del PUT
Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su disparo se

2. realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, es decir, la conducción
del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como
oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación
mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el
caso del UJT, Vp está fijado por el voltaje de alimentación, pero en un PUT puede variar al
modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del ánodo Va es menor que el
voltaje de compuerta Vg, se conservara en su estado inactivo, pero si el voltaje de ánodo
excede al de compuerta más el voltaje de diodo Vag, se alcanzará el punto de disparo y el
dispositivo se activará. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la
impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentación en VBB. En general Rk
está limitado a un valor por debajo de 100 ohm.
Gráficos corrientes picos y valle vs resistencia de compuerta
Rk=RB1RB2/(RB1 + RB2)
Para tener un diseño exitoso, la corriente de ánodo, que la llamaremos I, debe estar entre las
corrientes Ip e Iv, de no estarlo, el dispositivo no oscilará. Por ello, se debe tener cuidado al
diseñar la impedancia equivalente Rg y el voltaje de alimentación, ya que estos parámetros
modifican directamente los valores de corriente ya mencionados.
Aplicaciones[editar]
El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de relajación para
disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les
permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o pequeños valores de
capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en
circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por su conmutación debido a un pr oceso
de realimentación positiva de elementos activos, presentan menores tiempos
deconmutación que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de
la barra de silicio por inyección de portadores. En consecuencia menores valores de
capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.

3. Programable Unijunction Transistores (PUT) Información
Programable Unijunction Transistores (PUT) Información
Transistores uni-unión programables (PUT) son tiristores de tres terminales que se
desencadenan en la conducción cuando la tensión en el ánodo excede la tensión en la puerta.
El PUT es similar a la UJT, pero su relación de reserva intrínseca se puede ajustar por dos
resistencias externas. Por lo tanto, se utiliza el nombre "programable". Un PUT es una versión
más avanzada de un transistor monounión (UJT). En una Unijunction transistor programable,
características de funcionamiento tales como la resistencia de base a base, tensión intrínseca
enfrentamiento, corriente valle, y la corriente de pico se pueden programar mediante el
establecimiento de los valores de dos resistencias externas. Las solicitudes de transistores
monounión programables (PUT) incluyen disparadores tiristores, osciladores, pulso y circuitos
de sincronización, con frecuencias de hasta 10 kHz. Un circuito integrado puede incluir no sólo
un chip de circuito integrado, sino también un circuito de transistor, tal como un transistor
Unijunction programable.
Especificaciones
Las especificaciones de rendimiento de los transistores monounión programables (PUT)
incluyen pico de corriente (con RG de 10K ohmios y 1M ohmios), actual valle (con RG de 10K
ohmios y 1M ohmios), tensión directa puerta a cátodo, de puerta a cátodo inversa voltaje, de
puerta a ánodo tensión inversa, ánodo a cátodo voltaje, corriente de pico no repetitivo hacia
adelante, corriente directa repetitivo pico, corriente directa de pico repetitiva, DC corriente de
ánodo hacia adelante, puerta en DC, la disipación de energía, temperatura de
almacenamiento, de funcionamiento temperatura de la unión. Transistores monounión
programables (PUT) pueden ser empaquetados individualmente o en empaque estándar para
los requisitos de alto volumen, tales como equipos de inserción automática.
Transistores monounión programables (PUT) que los Estados Unidos cumplan con las
especificaciones militares (MIL-SPEC) se fabrican de acuerdo a las normas que se describen

4. en la norma MIL-STD-750 (Método de prueba estándar para Dispositivos Semiconductores) y
MIL-HDBK-6100 (Manual Militar, Lista de Caso Contornos y Dimensiones para
semiconductores discretos dispositivos). Al igual que otros componentes hechos de material
semiconductor, transistores monounión programables (PUT) que se comercializan en la Unión
Europea las naciones (UE) deben estar fabricados de conformidad con la restricción de
sustancias peligrosas (RoHS) y las directivas sobre residuos de aparatos eléctricos y
electrónicos (RAEE). RoHS exige a todos los fabricantes de equipos eléctricos y electrónicos
vendidos en Europa para demostrar que sus productos contienen niveles sólo mínimas de las
siguientes sustancias peligrosas: plomo, mercurio, cadmio, cromo hexavalente, bifenilos
polibromados y éteres difenil polibromados. RoHS entrará en vigencia el 1 de julio de 2006.
Por definición, los dispositivos sin plomo contienen menos de 1.000 ppm de plomo en peso.