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TRANSISTORES MOSFET
CONFIGURACIÓN Y POLARIZACIÓN
CESAR SERRANO – JUAN CARLOS CABRERA G.
TIPOS DE MOSFET:
  MOSFET- TIPO DE EMPOBRECIMIENTO
 La corriente que fluye por el
  transistor ingresa por el surtidor
  (fuente), este la conduce por un
  sustrato (región tipo p) que es un
  canal angosto hasta llegar al
  drenador (tipo n).

 A la izquierda, hay una compuerta
  metálica llamada graduador
  (aislante). Por ser aislante, la
  corriente en el graduador es
  despreciable.
MODO DE EMPOBRECIMIENTO

 El transistor MOSFET efectúa el proceso anterior;
  VDD conduce los electrones del surtidor al drenador
  a la izquierda del sustrato tipo P.
 La tensión del graduador puede regular la corriente
  que pasa por el canal.
CURVAS DE DRENADOR:




Las curvas de la parte superior son de voltaje VGS positivo
mientras que las inferiores son de voltaje VGS negativo. La
ultima curva es la de VGS (apag); esta indica que la corriente
de drenador es aproximadamente cero.
Cuando esta el voltaje entre VGS (apag) y cero esta en modo
de operación de empobrecimiento.
POLARIZACION DE MOSFET DEL
TIPO DE EMPOBRECIMIENTO




Se establece un punto Q en Vgs=0, por lo tanto, una señal de
CA que entra por el graduador produce variaciones arriba y
abajo del punto Q. Es una ventaja cuando Vgs=0 porque así
se puede polarizar y se puede utilizar este circuito en donde
el graduador y el surtidor no necesitan voltaje.
CUATRO VENTAJAS Y APLICACIONES
1. Amplificar señales            2. Si la impedancia
     pequeñas casi igual            de entrada de
     como los
     transistores JFET.             un JFET no es
                                    suficientemente
                                    alta se puede
3.   Un transistor MOSFET es
                                    utilizar un
     un amplificador
                                    MOSFET.
     separador casi ideal
     porque el graduador
     aislado significa que la     4. Excelentes
     resistencia de entrada se       propiedades de
     aproxima a infinito.            bajo ruido.
TIPOS DE MOSFET:
  MOSFET- TIPO DE ENRIQUECIMIENTO


 Este tipo de MOSFET se usa en
  microprocesadores y memorias de
  computadores (funciona como
  interruptor).

 Para obtener corriente de
  drenador, se tiene que aplicar un
  voltaje positivo en el graduador
  compuerta.
FORMACION DE LA CAPA DE INVERSION
 El sustrato se extiende hasta el oxido de silicio. Ya no
  hay un canal tipo N entre el surtidor y drenador; por
  consecuencia, entre los dos terminales no habrá flujo
  de corriente hasta llegar a un voltaje determinado.
 Un voltaje positivo en el graduador atrae electrones
  libres dentro del sustrato tipo P. Estos se unen con
  algunos huecos adyacentes al oxido de silicio. Cuando
  el voltaje en el graduador es lo suficientemente
  positivo, todos los huecos cercanos al oxido de silicio
  se llenan por lo que ahora pueden fluir los electrones
  del surtidor al drenador.
CURVAS DE DRENADOR:




La curva mas baja es la curva de VGS (th). Cuando VGS es
menor que VGS (th) , la corriente de drenador es
extremadamente pequeña. Cuando VGS es mayor que VGS
(th), fluye una corriente considerable, cuyo valor depende de
VGS.
POLARIZACION DE MOSFET DEL
TIPO DE ENRIQUECIMIENTO




Con un MOSFET del tipo de enriquecimiento, VGS tiene que
ser mayor que VGS (th) para obtener corriente. Esto elimina
la autopolarizacion, la polarizacion por corriente de surtidor
y, la polarizacion cero, ya que todas ellas operan en el modo
de empobrecimiento.
Los MOSFET del tipo de enriquecimiento trabajan con las
siguientes polarizaciones:

1. Polarizacion con graduador.
2. Polarizacion por divisor de voltaje (tensión).
3. Retroalimentación de drenador: compensa cambios en
   las características de los FET.
• “Si ID(enc) trata de incrementarse por alguna razón, VD (enc)
  decrece.
En resumen:
 La polarización cero trabaja solo con los
  MOSFET de tipo de empobrecimiento.
 La polarización por retroalimentación de
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  enriquecimiento.
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  • 1. TRANSISTORES MOSFET CONFIGURACIÓN Y POLARIZACIÓN CESAR SERRANO – JUAN CARLOS CABRERA G.
  • 2. TIPOS DE MOSFET: MOSFET- TIPO DE EMPOBRECIMIENTO  La corriente que fluye por el transistor ingresa por el surtidor (fuente), este la conduce por un sustrato (región tipo p) que es un canal angosto hasta llegar al drenador (tipo n).  A la izquierda, hay una compuerta metálica llamada graduador (aislante). Por ser aislante, la corriente en el graduador es despreciable.
  • 3. MODO DE EMPOBRECIMIENTO  El transistor MOSFET efectúa el proceso anterior; VDD conduce los electrones del surtidor al drenador a la izquierda del sustrato tipo P.  La tensión del graduador puede regular la corriente que pasa por el canal.
  • 4. CURVAS DE DRENADOR: Las curvas de la parte superior son de voltaje VGS positivo mientras que las inferiores son de voltaje VGS negativo. La ultima curva es la de VGS (apag); esta indica que la corriente de drenador es aproximadamente cero. Cuando esta el voltaje entre VGS (apag) y cero esta en modo de operación de empobrecimiento.
  • 5. POLARIZACION DE MOSFET DEL TIPO DE EMPOBRECIMIENTO Se establece un punto Q en Vgs=0, por lo tanto, una señal de CA que entra por el graduador produce variaciones arriba y abajo del punto Q. Es una ventaja cuando Vgs=0 porque así se puede polarizar y se puede utilizar este circuito en donde el graduador y el surtidor no necesitan voltaje.
  • 6. CUATRO VENTAJAS Y APLICACIONES 1. Amplificar señales 2. Si la impedancia pequeñas casi igual de entrada de como los transistores JFET. un JFET no es suficientemente alta se puede 3. Un transistor MOSFET es utilizar un un amplificador MOSFET. separador casi ideal porque el graduador aislado significa que la 4. Excelentes resistencia de entrada se propiedades de aproxima a infinito. bajo ruido.
  • 7. TIPOS DE MOSFET: MOSFET- TIPO DE ENRIQUECIMIENTO  Este tipo de MOSFET se usa en microprocesadores y memorias de computadores (funciona como interruptor).  Para obtener corriente de drenador, se tiene que aplicar un voltaje positivo en el graduador compuerta.
  • 8. FORMACION DE LA CAPA DE INVERSION  El sustrato se extiende hasta el oxido de silicio. Ya no hay un canal tipo N entre el surtidor y drenador; por consecuencia, entre los dos terminales no habrá flujo de corriente hasta llegar a un voltaje determinado.  Un voltaje positivo en el graduador atrae electrones libres dentro del sustrato tipo P. Estos se unen con algunos huecos adyacentes al oxido de silicio. Cuando el voltaje en el graduador es lo suficientemente positivo, todos los huecos cercanos al oxido de silicio se llenan por lo que ahora pueden fluir los electrones del surtidor al drenador.
  • 9. CURVAS DE DRENADOR: La curva mas baja es la curva de VGS (th). Cuando VGS es menor que VGS (th) , la corriente de drenador es extremadamente pequeña. Cuando VGS es mayor que VGS (th), fluye una corriente considerable, cuyo valor depende de VGS.
  • 10. POLARIZACION DE MOSFET DEL TIPO DE ENRIQUECIMIENTO Con un MOSFET del tipo de enriquecimiento, VGS tiene que ser mayor que VGS (th) para obtener corriente. Esto elimina la autopolarizacion, la polarizacion por corriente de surtidor y, la polarizacion cero, ya que todas ellas operan en el modo de empobrecimiento.
  • 11. Los MOSFET del tipo de enriquecimiento trabajan con las siguientes polarizaciones: 1. Polarizacion con graduador. 2. Polarizacion por divisor de voltaje (tensión). 3. Retroalimentación de drenador: compensa cambios en las características de los FET. • “Si ID(enc) trata de incrementarse por alguna razón, VD (enc) decrece.
  • 12. En resumen:  La polarización cero trabaja solo con los MOSFET de tipo de empobrecimiento.  La polarización por retroalimentación de drenador trabajan con MOSFET del tipo de enriquecimiento.