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SANTO TORIBIO DE MOGROVEJO
ELECTRONICA I
I.S.E.I.T. – EL ALTO

LABORATORIO

# 10
ESTADO PLURINACIONAL DE BOLIVIA
2011.

12 DE NOVIEMBRE DE

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)
OBJETIVOS: Aprender a reconocer los pines de un transistor de efecto de campo. Medir la
ganancia que genera un amplificador fuente común y medir su desfase.
DISCUSION FUNDAMENTAL: El transistor de efecto de campo FET es un dispositivo
semiconductor cuyo funcionamiento está basado en el control de la corriente mediante un campo
eléctrico producido por una fuente de alimentación.
Los FET tienen varias ventajas sobre los transistores bipolares que ya conocemos:
1. Su funcionamiento depende únicamente del flujo de portadores mayoritarios. Es, por tanto,
un dispositivo unipolar.
2. Es relativamente inmune a la radiación.
3. Tiene una impedancia de entrada alta, típicamente muchos megaohmios.
4. Es menos ruidoso que un transistor bipolar.
5. No presenta tensión umbral para corriente de drenador cero y, por tanto, constituye un
excelente muestreador de señales.
6. Es estable térmicamente.
Cuando se necesita una impedancia de entrada muy alta, o ruido bajo, es conveniente usar en la
etapa de entrada un transistor de efecto de campo FET.
El circuito de la figura 1 es un amplificador Fuente común, ya que el condensador Cf desacopla la
resistencia de fuente para señal alterna.
Este circuito produce una elevada ganancia de tensión muy similar a la que produce un amplificador
con transistor bipolar ya estudiado, con la ventaja de poseer una elevada impedancia de entrada.
PREINFORME
1.
2.
3.
4.

Anotar las características del FET 2N5457.
Dibuje las curvas características tensión – corriente de un FET en fuente común.
¿Cómo se reconocen los pines de un FET? Explique claramente si es posible con gráficos.
Armar el circuito de la figura 1 con los valores indicados.

LABORATORIO
1. Verifique los valores de tensión y corriente prácticos obtenidos midiendo con su
multímetro. Anótelos en la tabla indicada.
2. Alimente el circuito con una señal de 100 mV p-p y 200 Hz de frecuencia en el punto A.
3. Mida la señal de salida en el punto B. Calcule el valor de la ganancia.
4. Dibuje las señales en los cuadros de la hoja de datos.
5. Utilizando Lissajous mida el desfase que se produce.
6. Quite el condensador CS del circuito. ¿Qué es lo que ocurre? Anote su comentario.
7. Mida el valor de la ganancia. Repita los puntos 5 y 6.
HOJA DE DATOS
Valores Teóricos Valores Prácticos
Vdf
Id
VRd
VRf
VR1
Vpd
Vpf
R1
Rd
Rf
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  • 2. PREINFORME 1. 2. 3. 4. Anotar las características del FET 2N5457. Dibuje las curvas características tensión – corriente de un FET en fuente común. ¿Cómo se reconocen los pines de un FET? Explique claramente si es posible con gráficos. Armar el circuito de la figura 1 con los valores indicados. LABORATORIO 1. Verifique los valores de tensión y corriente prácticos obtenidos midiendo con su multímetro. Anótelos en la tabla indicada. 2. Alimente el circuito con una señal de 100 mV p-p y 200 Hz de frecuencia en el punto A. 3. Mida la señal de salida en el punto B. Calcule el valor de la ganancia. 4. Dibuje las señales en los cuadros de la hoja de datos. 5. Utilizando Lissajous mida el desfase que se produce. 6. Quite el condensador CS del circuito. ¿Qué es lo que ocurre? Anote su comentario. 7. Mida el valor de la ganancia. Repita los puntos 5 y 6. HOJA DE DATOS Valores Teóricos Valores Prácticos Vdf Id VRd VRf VR1 Vpd Vpf R1 Rd Rf