O documento apresenta os fundamentos teóricos da energia solar fotovoltaica, descrevendo o funcionamento de células solares a partir da teoria quântica de semicondutores. Também descreve os tipos de células, aplicações, sistemas instalados e uma análise de custos para sistemas fotovoltaicos.
2. 1. INTRODUÇÃO
Condutor Metálico: Condutor eletrônico no qual a condutividade
elétrica diminui com o aumento da temperatura.
Semicondutor: Condutor eletrônico no qual a condutividade elétrica
aumenta com o aumento da temperatura. Exemplo, Germânio (Ge) e
Silício (Si).
Isolante: Não conduz eletricidade.
Modelo Atômico de Bohr.
Teoria de Bandas dos Sólidos.
Banda de Valência x Banda de Condução.
3. Figura 1 – Modelo de Bohr para o Átomo. a) Orbitas dos Elétrons b) Níveis de Energia
5. Figura 3 – Nuvem de elétrons
formada pelos vários elétrons
em suas diferentes órbitas –
Ligação Metálica.
6. No Zero Absoluto (0 K) a banda de condução vai estar totalmente
vazia, e a banda de valência totalmente preenchida. Os elétrons de
valência vão estar presos ao núcleo de Silício, pois fazem parte das
ligações covalentes entre os átomos. Conforme Figura 4.
Aquecendo o material, a energia térmica quebra algumas ligações de
valência e alguns elétrons passam da camada de valência para a
banda de condução, o que gera uma corrente elétrica, porém muito
pequena para ser utilizada, mesmo a Temperatura Ambiente (25 ºC).
Conforme Figura 5.
Quando um elétron salta para a banda de condução ele cria uma
lacuna, que será preenchida por um elétron da banda de valência que
por sua vez cria outra lacuna. Isso cria um movimento de lacunas, ou
seja, de cargas positivas, conforme Figura 6.
9. Os Semicondutores oferecem dois trajetos para a:
Elétrons se movendo na banda de condução.
Lacunas (ou elétrons) se movendo da banda de valência.
Enquanto que nos Condutores existe um tipo único de corrente, a dos
elétrons na banda de condução.
Figura 6 – Corrente de Lacunas.
10. Para um cristal de Silício Puro (SEMICONDUTOR INTRÍNSECO), à
temperatura ambiente, existem poucos elétrons livres, insuficientes
para produzir uma corrente elétrica utilizável.
DOPAGEM: Introdução de átomos de impurezas num cristal de modo a
aumentar tanto o número de elétrons livres, quanto o número de
lacunas, criando um campo elétrico entre as bandas de condução e
valência. SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO DO TIPO N ou TIPO P.
Figura 7 – Semicondutor Extrínseco do Tipo n e Tipo p, respectivamente.
11. SEMICONDUTOR TIPO N
A adição de átomos pentavalentes (cinco elétrons na camada de
valência – N, P, As, Sb e Bi) objetiva aumentar o número de elétrons
migrando para a banda de condução.
Assim passa a existir um grande número de elétrons na banda de
condução, porém continuam existindo lacunas na banda de valência
devido a energia térmica.
Figura 8 – Semicondutor Tipo N.
12. SEMICONDUTOR TIPO P
A adição de átomos trivalentes (três elétrons na camada de valência –
B, Al, Ga, In e Tl) objetiva aumentar o número de lacunas na banda de
valência.
Continuarão existindo elétrons na banda de condução devido a energia
térmica.
Figura 9 – Semicondutor Tipo P.
13. JUNÇÃO P - N: Onde as regiões Tipo p e Tipo n se encontram.
Nas proximidades da junção, os portadores majoritários de cada lado
(elétrons e lacunas) irão se recombinar, formando íons negativos e
positivos em uma região onde não existirão mais cargas livres. Essa
região é chamada de camada de depleção.
Figura 10 – Junção P-N. a) Antes da Difusão. b) Depois da Difusão.
14. EFEITO FOTOVOLTAICO: Surgimento de uma tensão elétrica em um
material semicondutor, quando é exposto à luz visível (FÓTONS).
Para formar uma célula fotovoltaica (ou um diodo) são unidos os dois
tipos de semicondutor. Não área da união, chamada de Junção -
PN, os elétrons livres do semicondutor tipo N migrarão para o
semicondutor tipo P para ocuparem esses espaços. Essa migração
não ocorre indefinidamente, pois forma-se um campo elétrico na área
de junção que impede que os elétrons continuem fluindo.
Ao receberem fótons de luz visível os elétrons são energizados, mas
não conseguem fluir da camada N para a camada P. Se ligarmos as
duas camadas externamente, podemos aproveitar a corrente elétrica
que se forma na passagem dos elétrons de uma camada para outra. É
assim que funciona uma célula fotovoltaica.
15. Figura 11 – Junção P-N e o Efeito Fotovoltaico.
16. 2. CARACTERÍSTICAS DO EQUIPAMENTO
COMPOSIÇÃO: Lâmina de Silício purificado dopada, simultaneamente,
com Boro e Fósforo.
A parte dopada com Fósforo, do tipo-N, fica exposta ao sol.
A parte dopada com Boro, do tipo-P, fica na parte inferior da célula, e
é maior que o tipo-N.
CONTATOS FRONTAIS E GRELHAS DE COBRE. Sobre a parte tipo-
N, causam sombra e reflexão, diminuindo a eficiência da célula, porém
são necessários para captar os elétrons liberados pelo Efeito
Fotovoltaico e com a diminuição do número de contatos frontais a
eficiência da célula diminui.
MÁXIMA EFICIÊNCIA DA CÉLULA FOTOVOLTAICA: Máximo possível
de contatos frontais, porém com a menor área possível.
17. PELÍCULA ANTI-REFLEXO: Reduz a reflexão da radiação incidente
para valores abaixo de 5%, que em conjunto com textura especiais
usadas em células de alto rendimento a reflexão pode ser reduzida
para valores da ordem de 2%. Sem este revestimento a célula refletiria
cerca de um terço (1/3) da radiação.
CONTACTO TRASEIRO: Contacto metálico localizado na parte
posterior da célula, que constitui o terminal positivo.
Figura 12 – Forma Construtiva da
Célula Fotovoltaica.
18. 2.1 TIPOS DE CÉLULAS
A. SILÍCIO MONOCRISTALINO
Atinge 60% das aplicações do Mercado.
COMPOSIÇÃO: Cristal único com uniformidade molecular, que vai
POTENCIALIZAR o Efeito Fotovoltaico.
RENDIMENTO: 24% (Laboratório) e 15% (Prática).
Elevado Custo de Produção.
Figura 13 – Célula de Silício Monocristalino.
19. B. SILÍCIO POLICRISTALINO
Atinge 30% das aplicações do Mercado.
COMPOSIÇÃO: Blocos de pequenos cristais de espessura capilar.
As DESCONTINUIDADES dificultam o movimento dos elétrons e
favorecem a recombinação com as lacunas, DIMINUINDO a potência
de saída.
RENDIMENTO: 18% (Laboratório) e 12% (Prática).
Figura 14 – Célula de Silício Policristalino.
20. C. SILÍCIO AMORFO
Atinge 04% das aplicações do Mercado. Exemplo, equipamentos solares
domésticos (relógios, calculadoras, etc.)
COMPOSIÇÃO: Por não possuir uma estrutura cristalina definida,
apresentando defeitos que favorecem a recombinação de elétrons com
lacunas, adiciona-se uma pequena quantidade de hidrogênio
(HIGROGENAÇÃO), de forma a minimizar quimicamente os defeitos
estruturais.
Maior DEPRECIAÇÃO do equipamento, observável logo nos primeiros
meses de funcionamento e reduzindo assim a sua EFICIÊNCIA.
RENDIMENTO: 13% (Laboratório) e 06% (Prática).
Menor Custo de Produção.
Apresenta MAIOR ABSORÇÃO DE RADIAÇÃO NA FAIXA DO VISÍVEL.
DEPOSIÇÃO de películas de silício amorfo nos substratos (metal, vidro,
plástico).
21. D. CÉLULAS DE FILMES FINOS
Pesquisas objetivando produção de células fotovoltaicas
confiáveis, utilizando pouco material semicondutor - MENOR CUSTO
DO PRODUTO e da ENERGIA GERADA.
Opções de Materiais:
– Telureto de Cádmio (CdTe);
– Disseleneto de Cobre e Índio (CIS);
– Silício amorfo hidrogenado (a-Si-H);
– Arseneto de Gálio (GaAs).
Figura 15 – Módulos de Filme Fino.
22. 3. MODELO MATEMÁTICO
3.1 MODELO SIMPLIFICADO
Gerada pelo FEIXE DE
RADIAÇÃO LUMINOSA.
EFEITO FOTOVOLTAICO
Junção P-N (DIODO)
Figura 16 – Modelo Simplificado.
23. 3. MODELO MATEMÁTICO
3.1 MODELO SIMPLIFICADO
Potência de Saída
Corrente de Saída
Rendimento = Potência de Pico / (Área da Célula
. Radiação Solar Incidente Superficial)
Fator de Forma: 0,7 a 0,85
FABRICANTE
24. 3.2 MODELO DETALHADO
Queda de TENSÃO devido aos CONTATOS
EXTERNOS.
CORRENTESDEFUGAFigura 17 – Modelo Detalhado.
30. 4. SISTEMAS FOTOVOLTAICOS INSTALADOS
NO BRASIL
Figura 22 – Sistema de Bombeamento Fotovoltaico para Irrigação. (Valente – BA)
31. Figura 23 – Sistema de Eletrificação Residencial Fotovoltaico. (Pentecoste – CE)
32. Figura 24 – Sistema Híbrido Solar – Eólico - Diesel. (Jaones – PA)
33. Figura 25 – Sistema de Telefonia Pública utilizando Energia Fotovoltaica. (Maceió-AL)
34. 5. ANÁLISE DE CUSTOS
Tabela 1 – Valores típicos de implantação de usinas geradoras de energia (Fonte:
ANEEL - SCG, 2006)
35. Tabela 2 – Custo de Instalação de um Sistema Fotovoltaico de
Tabela 3 – Custo do um Sistema Fotovoltaica durante 30 anos
36. ANALISANDO OS RESULTADOS ANTERIORES:
Da Tabela 2, tem-se:
VALOR TÍPICO PARA SISTEMAS ISOLADOS: US$ 13/W
37. 6. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
[1] http://paginas.fe.up.pt/~ee03096/index_ficheiros/Page830.htm
Data de Acesso: 06/05/2013.
[2] http://www.blue-sol.com/energia-solar/energia-solar-como-funciona-o-
efeito-fotovoltaico/
Data de Acesso: 07/05/2013.
[3] SHAYANI, R. A. et al., “Comparação do Custo entre Energia Solar
Fotovoltaica e Fontes Convencionais”. Congresso Brasileiro de
Planejamento Energético, 2006.
Disponível em: http://www.gsep.ene.unb.br/producao/marco/
sbpe_2006.pdf. Data de Acesso: 07/05/2013.
[4] Energia Solar Princípios e Aplicações. Centro de Referência para
Energia Solar e Eólica Sérgio de Salva Brito. Disponível em:
http://www.cresesb.cepel.br . Data de Acesso: 07/05/2013.
38. [5] CASTRO, R. M. G., “Introdução à Energia Fotovoltaica”. Universidade
Técnica de Lisboa, Insitituto Superior Técnico. 2008.
[6] PINHEIRO, J. R. G., “Diodos”. Apostila Eletrônica de Automação
Industrial, 54 páginas. Universidade Estadual Paulista, FEB – DEE.