investigación de los Avances tecnológicos del siglo XXI
FICHA TECNICA DE CINCO TRANSISTORES
1. UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICA
ASIGNATURA: INGENIERÍA ELECTRÓNICA
FICHA TÉCNICA DE CINCO TRANSISTORES
ALUMNO:
GUTIERREZ TORRES, Marco Antonio
2. FICHA TÉCNICA DEL TRANSISTOR NPN 2N2222; 2N2222A
Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más
sencillos. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación, la cual
consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna.
Durante la fabricación de los diodos rectificadores, se consideran tres factores:
la frecuencia máxima en que realizan correctamente su función, la corriente
máxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e
inversa máximas que soportarán.
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4. FICHA TÉCNICA DEL TRANSISTOR JFET 2SK161
El JFET (Junction Field-Effect Transistor), en español transistor de efecto de campo de
juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores
eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al
ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones
eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según
este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Al aplicar una tensión positiva VGS entre puerta y
fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas
zonas en las que el paso de electrones (corriente ID)
queda cortado, llamadas zonas de exclusión.
Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado,
las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto
que el paso de electrones ID entre fuente y drenador
queda completamente cortado. A ese valor de VGS
se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las
zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son
negativas, cortándose la corriente para tensiones
menores que Vp.
5. En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los siguientes
parámetros (los más importantes): VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas
soportables por la unión PN. IG.- corriente máxima que puede circular por la unión
puerta - surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el
componente. IDSS.- Corriente de saturación cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que
circula por el circuito de puerta cuando la unión puerta - surtidor se encuentra
polarizado en sentido inverso.
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7. FICHA TÉCNICA DEL TRANSISTOR MOSFET 2SK161
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en
inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más
utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o
digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro
tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.
Aunque el MOSFET es un dispositivo de
cuatro terminales llamadas surtidor (S),
drenador (D), compuerta (G) y sustrato
(B), el sustrato generalmente está
conectado internamente a la terminal del
surtidor, y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos de tres terminales
similares a otros transistores de efecto de
campo.
8. Símbolos de circuito:
Existen distintos símbolos que se utilizan para representar el transistor
MOSFET. El diseño básico consiste en una línea recta para dibujar el canal,
con líneas que salen del canal en ángulo recto y luego hacia afuera del dibujo
de forma paralela al canal, para dibujar el surtidor y el drenador. En algunos
casos, se utiliza una línea segmentada en tres partes para el canal del MOSFET
de enriquecimiento, y una línea sólida para el canal del MOSFET de
empobrecimiento. Otra línea es dibujada en forma paralela al canal para
destacar la compuerta.
9. Funcionamiento:
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura
MOS. Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creación de un canal
entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensión en la compuerta. La tensión
de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se
forma una región de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que
tenía el sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la región correspondiente al canal. El canal puede
formarse con un incremento en la concentración de electrones (en un
nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un
transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n,
mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un
canal de tipo p. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor
en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de
la tensión eléctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminución de la
cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la
conductividad.
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12. FICHA TÉCNICA DEL FOTOTRANSISTOR TDET500
Los fototransistores son sensibles a la
radiación electromagnética en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a
esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que
un transistor normal, sólo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
• Como un transistor normal con la
corriente de base (IB) (modo común).
• Como fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las veces
de corriente de base. (IP) (modo de
iluminación).
Los fototransistores no son muy
diferentes de un transistor normal, es
decir, están compuestos por el mismo
material semiconductor, tienen dos
junturas y las mismas tres conexiones
externas: colector, base y emisor. Por
supuesto, siendo un elemento sensible a
la luz, la primera diferencia evidente es
en su cápsula, que posee una ventana o
es totalmente transparente, para dejar
que la luz ingrese hasta las junturas de la
pastilla semiconductora y produzca el
efecto fotoeléctrico.
Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su
corriente de colector por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus
características de elemento opto electrónico, el fototransistor conduce más o menos
corriente de colector cuando incide más o menos luz sobre sus junturas.
13. En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base como sin ella y
tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc. Para
comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. También
se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de
proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando
interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz por un
objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.
Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a un transistor
común un fotodiodo, conectando en el colector del transistor el cátodo del fotodiodo y el
ánodo a la base.
SÌMBOLO ELECTRÓNICO
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15. FICHA TÉCNICA DEL TRANSISTOR BJT 2N4401
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN
en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente
dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a
que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.
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17. FICHA TÉCNICA DEL TRANSISTOR DE POTENCIA 2N3055
El 2N3055 es un transistor NPN de potencia
diseñado para aplicaciones de propósito
general. Fue introducido en la década de 1960
por la firma estadounidense RCA usando el
proceso hometaxial para transistores de
potencia, que luego paso a una base epitaxial en
la década de 1970. Su numeración sigue el
estándar JEDEC. Es un transistor de potencia
muy utilizado en una gran variedad de
aplicaciones.
Especificaciones:
Las características exactas del transistor
dependen del fabricante, aunque las
características típicas del dispositivo pueden ser
las siguientes:
