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DISPOSITIVO DE CUATRO
CAPAS
CARACTERÍSTICAS
• Son elaborados con cuatro capas semiconductoras
• Actúan como circuitos abiertos
• Soportan alto voltaje nominal hasta que son disparados
RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SRC)
• Presentan 3 conexiones, Ánodo, Cátodo y Gate.
• Funcionan como válvulas de flujo al mismo
tiempo que rectifican el paso de la corriente.
• Se des excita cada alternancia o medio ciclo con
CA
• En CD necesita un circuito de bloqueo forzado.
• Al inicio presenta una resistencia alta
• Al aplicar corriente ambos diodos se
encienden
• Se tiene la opción de encendido sin utilizar a
puerta de disparo, incrementando el voltaje a
valores superiores al valor de ruptura.
• Se realiza la conmutación al sobre pasar el
voltaje de ruptura y se raliza el disparo.
• El tiempo de ruptura puede alcanzar los 30ms
APLICACIONES
• Circuitos retardadores de tiempo
• Cargadores de baterías
• Fuentes de alimentación reguladas
DIODOS SHOCKLEY
• Básicamente se trata de dispositivos interruptores .
• Inicialmente con corrientes bajas el diodo se encuentra n circuito abierto, cuando se aumenta la
tensión el dispositivo conmuta a fase de conducción.
Si se separan las dos mitades, la primera parte (izquierda) es un transistor NPN y la segunda mitad tiene una
configuración PNP.
Su funcionamiento se muestra en la gráfica.
ZONA DIRECTIVA (V>0)
• El diodo se encuentra con un voltaje bajo y
en posición de circuito abierto.
• Cuando la tensión es suficientemente
elevada se vence la región de ruptura, se
eleva la corriente y el diodo se comporta
como una resistencia negativa.
• En la región de saturación la caída de
voltaje está entre 0.5 y 1.5V, y se
mantendrá en este estado mientras se
conserven niveles de voltaje y corriente
altos (VH y IH)
ZONA INVERSA
• El diodo puede soportar tensión
máxima inversa, al superar se valor
entra en condición de ruptura.
SIDAC
• El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensión y alta
corriente.
Físicamente es un diodo de cuatro patas con características simétricas.
El SIDAC es empleado en aplicaciones donde se necesiten tensiones de
disparo iniciales entre los 120 y 127V
Símbolo típico en diagramas:
APLICACIONES…
• El SIDAC puede emplearse como generador de diente de sierra ya
que aprovecha de las características de disparo y bloqueo del
dispositivo.
• Para el momento en que el SIDAC entra en fase de conducción,
descarga rápidamente el condensador hasta la tensión de
mantenimiento, y permanecerá ahí siempre que la corriente se
mantenga en 100mA.
SILICON BIDIRECTIONAL SWITCH (SBS)
• Es un dispositivo de baja potencia con arquitectura
simétrica.
• Es más versátil que el SIDAC.
• Tiene una terminal adicional (Gate) que permite
cambiar sus disparos con corrientes de algunos mA.
• Este es un circuito integrado compuesto por diodos,
transistores y resistencias.
• El símbolo característico de los SBS es:
• Sus parámetros característicos son:
• V=8V
• Is=175mA
• IH=0.7mA
• VH=1.4V
• El disparo característico de este diodo puede lograr
se superando los 8V o al aplicar una corriente de
puerta de (IG) 100mA.

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Dispositivo de cuatro capas

  • 2. CARACTERÍSTICAS • Son elaborados con cuatro capas semiconductoras • Actúan como circuitos abiertos • Soportan alto voltaje nominal hasta que son disparados
  • 3. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SRC) • Presentan 3 conexiones, Ánodo, Cátodo y Gate. • Funcionan como válvulas de flujo al mismo tiempo que rectifican el paso de la corriente. • Se des excita cada alternancia o medio ciclo con CA • En CD necesita un circuito de bloqueo forzado.
  • 4. • Al inicio presenta una resistencia alta • Al aplicar corriente ambos diodos se encienden • Se tiene la opción de encendido sin utilizar a puerta de disparo, incrementando el voltaje a valores superiores al valor de ruptura. • Se realiza la conmutación al sobre pasar el voltaje de ruptura y se raliza el disparo. • El tiempo de ruptura puede alcanzar los 30ms
  • 5. APLICACIONES • Circuitos retardadores de tiempo • Cargadores de baterías • Fuentes de alimentación reguladas
  • 6. DIODOS SHOCKLEY • Básicamente se trata de dispositivos interruptores . • Inicialmente con corrientes bajas el diodo se encuentra n circuito abierto, cuando se aumenta la tensión el dispositivo conmuta a fase de conducción.
  • 7. Si se separan las dos mitades, la primera parte (izquierda) es un transistor NPN y la segunda mitad tiene una configuración PNP. Su funcionamiento se muestra en la gráfica.
  • 8. ZONA DIRECTIVA (V>0) • El diodo se encuentra con un voltaje bajo y en posición de circuito abierto. • Cuando la tensión es suficientemente elevada se vence la región de ruptura, se eleva la corriente y el diodo se comporta como una resistencia negativa. • En la región de saturación la caída de voltaje está entre 0.5 y 1.5V, y se mantendrá en este estado mientras se conserven niveles de voltaje y corriente altos (VH y IH)
  • 9. ZONA INVERSA • El diodo puede soportar tensión máxima inversa, al superar se valor entra en condición de ruptura.
  • 10. SIDAC • El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensión y alta corriente. Físicamente es un diodo de cuatro patas con características simétricas. El SIDAC es empleado en aplicaciones donde se necesiten tensiones de disparo iniciales entre los 120 y 127V Símbolo típico en diagramas:
  • 11. APLICACIONES… • El SIDAC puede emplearse como generador de diente de sierra ya que aprovecha de las características de disparo y bloqueo del dispositivo. • Para el momento en que el SIDAC entra en fase de conducción, descarga rápidamente el condensador hasta la tensión de mantenimiento, y permanecerá ahí siempre que la corriente se mantenga en 100mA.
  • 12. SILICON BIDIRECTIONAL SWITCH (SBS) • Es un dispositivo de baja potencia con arquitectura simétrica. • Es más versátil que el SIDAC. • Tiene una terminal adicional (Gate) que permite cambiar sus disparos con corrientes de algunos mA. • Este es un circuito integrado compuesto por diodos, transistores y resistencias.
  • 13. • El símbolo característico de los SBS es: • Sus parámetros característicos son: • V=8V • Is=175mA • IH=0.7mA • VH=1.4V • El disparo característico de este diodo puede lograr se superando los 8V o al aplicar una corriente de puerta de (IG) 100mA.