SlideShare une entreprise Scribd logo
1  sur  2
Тест к лекции №5. Принципы работы и устройство сканирующего туннельного
микроскопа.
1. Какой вид имеет зависимость туннельного тока от расстояния между кончиком иглы и
образцом?
Линейный
Экспоненциальный
Параболический
Гиперболический
2. Какой физический эффект лежит в основе работы сканера, осуществляющего перемещения
образца относительно иглы с ангстремной точностью?
Прямой пьезоэлектрический эффект
Обратный пьезоэлектрический эффект
Электрострикция
Магнитострикция
3. В чем заключается явление крипа для сканера туннельного микроскопа?
Неоднозначность зависимости изменения размеров сканера от направления изменения
электрического поля
При больших управляющих напряжениях зависимость изменения размеров сканера от
приложенного напряжения перестает быть линейной
Сканер реагирует на изменение напряжения с запаздыванием, что приводит к искажению
деталей поверхности
Сканер скрипит при перемещении образца относительно иглы
4. Какова типичная амплитуда тепловых колебаний атомов в кристаллических решетках при
комнатной температуре?
0.002 — 0.015 Å
0.02 — 0.15 Å
0.002 — 0.015 нм
0.02 — 0.15 нм
5. Какой шум доминирует при нормальных условиях работы сканирующего туннельного
микроскопа?
Черный шум
Дробовой шум
Белый шум
Фликкер-шум
6. Появление каких артефактов на СТМ-изображениях связано с формой иглы?
Возникновение пилообразного вида строк сканирования
Удвоение деталей изображения
Возникновение автогенерации на границах частиц
Различие в высоте максимумов, соответствующих атомам в разных позициях решетки
7. Появление каких артефактов на СТМ-изображениях связано с неправильной работой
обратной связи?
Уширение частиц на изображениях
Удвоение деталей изображения
Возникновение автогенерации на границах частиц
Различие в высоте максимумов, соответствующих атомам в разных позициях решетки
8. Какой из перечисленных подходов не позволит наблюдать поверхность диэлектрика с
помощью СТМ?
Напыление металлических и углеродных пленок
Использование тонкой водяной пленки на образце
Применение больших туннельных напряжений
Сканирование без обратной связи в режиме постоянной высоты.
9. Каково характерное сопротивление туннельного перехода?
1 ТΩ
1 ГΩ
1 МΩ
1 КΩ
10. Что определяет высоту туннельного барьера в СТМ?
Плотность состояний вблизи уровня Ферми в материале иглы и поверхности
Настройка звеньев обратной связи
Работа выхода материала иглы и поверхности
Ширина вакуумного зазора между зондом и образцом

Contenu connexe

Similaire à Test 5

конструкция сзм
конструкция сзмконструкция сзм
конструкция сзмYerin_Constantine
 
Растровая электронная микроскопия
Растровая электронная микроскопияРастровая электронная микроскопия
Растровая электронная микроскопияTengiz Sharafiev
 
5.методы исследования наноразмерных систем
5.методы исследования наноразмерных систем5.методы исследования наноразмерных систем
5.методы исследования наноразмерных системYerin_Constantine
 
Просвечивающая электронная микроскопия. Конспект лекции
Просвечивающая электронная микроскопия. Конспект лекцииПросвечивающая электронная микроскопия. Конспект лекции
Просвечивающая электронная микроскопия. Конспект лекцииTengiz Sharafiev
 
11 класс для мудлпрограмма курса «электромагнетизм» 3 курс
11 класс для мудлпрограмма курса «электромагнетизм» 3 курс11 класс для мудлпрограмма курса «электромагнетизм» 3 курс
11 класс для мудлпрограмма курса «электромагнетизм» 3 курсsalimaader
 
лекция02 сзм(1)
лекция02 сзм(1)лекция02 сзм(1)
лекция02 сзм(1)Gorelkin Petr
 
МОДИФИКАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ„ФОТУРАН“ УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕР...
МОДИФИКАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ„ФОТУРАН“  УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕР...МОДИФИКАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ„ФОТУРАН“  УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕР...
МОДИФИКАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ„ФОТУРАН“ УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕР...ITMO University
 
Fotoeffect Gerz
Fotoeffect GerzFotoeffect Gerz
Fotoeffect GerzSergio757
 
резонансные методы сканирующей зондовой микроскопии (1)
резонансные методы сканирующей зондовой микроскопии (1)резонансные методы сканирующей зондовой микроскопии (1)
резонансные методы сканирующей зондовой микроскопии (1)Gorelkin Petr
 
программа курса -энергия-- 4курс
программа курса  -энергия-- 4курспрограмма курса  -энергия-- 4курс
программа курса -энергия-- 4курсsalimaader
 
Биофизика2011-10
Биофизика2011-10Биофизика2011-10
Биофизика2011-10nemelev
 
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И АТТЕСТАЦИЯ ЗОНДОВ ИЗ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОКАПИЛЛЯРОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕ...
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И АТТЕСТАЦИЯ ЗОНДОВ ИЗ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОКАПИЛЛЯРОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕ...ИЗГОТОВЛЕНИЕ И АТТЕСТАЦИЯ ЗОНДОВ ИЗ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОКАПИЛЛЯРОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕ...
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И АТТЕСТАЦИЯ ЗОНДОВ ИЗ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОКАПИЛЛЯРОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕ...ITMO University
 
билеты лаб и зад
билеты лаб и задбилеты лаб и зад
билеты лаб и задvvlisina
 
практическая работа № 1. изучение факторов, влияющих на электродвижущую силу ...
практическая работа № 1. изучение факторов, влияющих на электродвижущую силу ...практическая работа № 1. изучение факторов, влияющих на электродвижущую силу ...
практическая работа № 1. изучение факторов, влияющих на электродвижущую силу ...salimaader
 

Similaire à Test 5 (20)

конструкция сзм
конструкция сзмконструкция сзм
конструкция сзм
 
Растровая электронная микроскопия
Растровая электронная микроскопияРастровая электронная микроскопия
Растровая электронная микроскопия
 
5.методы исследования наноразмерных систем
5.методы исследования наноразмерных систем5.методы исследования наноразмерных систем
5.методы исследования наноразмерных систем
 
Просвечивающая электронная микроскопия. Конспект лекции
Просвечивающая электронная микроскопия. Конспект лекцииПросвечивающая электронная микроскопия. Конспект лекции
Просвечивающая электронная микроскопия. Конспект лекции
 
11 класс для мудлпрограмма курса «электромагнетизм» 3 курс
11 класс для мудлпрограмма курса «электромагнетизм» 3 курс11 класс для мудлпрограмма курса «электромагнетизм» 3 курс
11 класс для мудлпрограмма курса «электромагнетизм» 3 курс
 
лекция02 сзм(1)
лекция02 сзм(1)лекция02 сзм(1)
лекция02 сзм(1)
 
Suai 1
Suai  1Suai  1
Suai 1
 
МОДИФИКАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ„ФОТУРАН“ УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕР...
МОДИФИКАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ„ФОТУРАН“  УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕР...МОДИФИКАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ„ФОТУРАН“  УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕР...
МОДИФИКАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ„ФОТУРАН“ УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕР...
 
Fotoeffect Gerz
Fotoeffect GerzFotoeffect Gerz
Fotoeffect Gerz
 
резонансные методы сканирующей зондовой микроскопии (1)
резонансные методы сканирующей зондовой микроскопии (1)резонансные методы сканирующей зондовой микроскопии (1)
резонансные методы сканирующей зондовой микроскопии (1)
 
программа курса -энергия-- 4курс
программа курса  -энергия-- 4курспрограмма курса  -энергия-- 4курс
программа курса -энергия-- 4курс
 
7253
72537253
7253
 
Биофизика2011-10
Биофизика2011-10Биофизика2011-10
Биофизика2011-10
 
Suai 11
Suai  11Suai  11
Suai 11
 
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И АТТЕСТАЦИЯ ЗОНДОВ ИЗ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОКАПИЛЛЯРОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕ...
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И АТТЕСТАЦИЯ ЗОНДОВ ИЗ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОКАПИЛЛЯРОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕ...ИЗГОТОВЛЕНИЕ И АТТЕСТАЦИЯ ЗОНДОВ ИЗ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОКАПИЛЛЯРОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕ...
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И АТТЕСТАЦИЯ ЗОНДОВ ИЗ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОКАПИЛЛЯРОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕ...
 
билеты лаб и зад
билеты лаб и задбилеты лаб и зад
билеты лаб и зад
 
практическая работа № 1. изучение факторов, влияющих на электродвижущую силу ...
практическая работа № 1. изучение факторов, влияющих на электродвижущую силу ...практическая работа № 1. изучение факторов, влияющих на электродвижущую силу ...
практическая работа № 1. изучение факторов, влияющих на электродвижущую силу ...
 
7345
73457345
7345
 
основы сзм
основы сзмосновы сзм
основы сзм
 
лекция 5 в14
лекция 5 в14лекция 5 в14
лекция 5 в14
 

Plus de Gorelkin Petr

лекция 16 мешков
лекция 16 мешковлекция 16 мешков
лекция 16 мешковGorelkin Petr
 
лекция по обработка данных на 27 марта
лекция по обработка данных на 27 марталекция по обработка данных на 27 марта
лекция по обработка данных на 27 мартаGorelkin Petr
 
лекция 14 в10
лекция 14 в10лекция 14 в10
лекция 14 в10Gorelkin Petr
 

Plus de Gorelkin Petr (6)

лекция 07 --
лекция 07 --лекция 07 --
лекция 07 --
 
лекция 16 мешков
лекция 16 мешковлекция 16 мешков
лекция 16 мешков
 
лекция 12
лекция 12лекция 12
лекция 12
 
лекция по обработка данных на 27 марта
лекция по обработка данных на 27 марталекция по обработка данных на 27 марта
лекция по обработка данных на 27 марта
 
лекция 14 в10
лекция 14 в10лекция 14 в10
лекция 14 в10
 
лекция нкс
лекция нкслекция нкс
лекция нкс
 

Test 5

  • 1. Тест к лекции №5. Принципы работы и устройство сканирующего туннельного микроскопа. 1. Какой вид имеет зависимость туннельного тока от расстояния между кончиком иглы и образцом? Линейный Экспоненциальный Параболический Гиперболический 2. Какой физический эффект лежит в основе работы сканера, осуществляющего перемещения образца относительно иглы с ангстремной точностью? Прямой пьезоэлектрический эффект Обратный пьезоэлектрический эффект Электрострикция Магнитострикция 3. В чем заключается явление крипа для сканера туннельного микроскопа? Неоднозначность зависимости изменения размеров сканера от направления изменения электрического поля При больших управляющих напряжениях зависимость изменения размеров сканера от приложенного напряжения перестает быть линейной Сканер реагирует на изменение напряжения с запаздыванием, что приводит к искажению деталей поверхности Сканер скрипит при перемещении образца относительно иглы 4. Какова типичная амплитуда тепловых колебаний атомов в кристаллических решетках при комнатной температуре? 0.002 — 0.015 Å 0.02 — 0.15 Å 0.002 — 0.015 нм 0.02 — 0.15 нм 5. Какой шум доминирует при нормальных условиях работы сканирующего туннельного микроскопа? Черный шум Дробовой шум Белый шум Фликкер-шум 6. Появление каких артефактов на СТМ-изображениях связано с формой иглы? Возникновение пилообразного вида строк сканирования Удвоение деталей изображения Возникновение автогенерации на границах частиц Различие в высоте максимумов, соответствующих атомам в разных позициях решетки 7. Появление каких артефактов на СТМ-изображениях связано с неправильной работой
  • 2. обратной связи? Уширение частиц на изображениях Удвоение деталей изображения Возникновение автогенерации на границах частиц Различие в высоте максимумов, соответствующих атомам в разных позициях решетки 8. Какой из перечисленных подходов не позволит наблюдать поверхность диэлектрика с помощью СТМ? Напыление металлических и углеродных пленок Использование тонкой водяной пленки на образце Применение больших туннельных напряжений Сканирование без обратной связи в режиме постоянной высоты. 9. Каково характерное сопротивление туннельного перехода? 1 ТΩ 1 ГΩ 1 МΩ 1 КΩ 10. Что определяет высоту туннельного барьера в СТМ? Плотность состояний вблизи уровня Ферми в материале иглы и поверхности Настройка звеньев обратной связи Работа выхода материала иглы и поверхности Ширина вакуумного зазора между зондом и образцом