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Cinétique de croissance des
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avec magnétron réactif
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Conférence
La prochaine conférence est basée sur ma
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  • 1. Nous imaginons pour vous les matériaux de demain www.cnrs-imn.fr Cinétique de croissance des composés binaires par pulvérisation avec magnétron réactif Javier García Molleja
  • 2. 2 Conférence La prochaine conférence est basée sur ma recherche postdoctorale (février 2013 – février 2014). Groupe: Plasma et Couches Minces (IMN). Dirigée par: Pierre-Yves Jouan
  • 3. 3 Motivation Recherche destinée à la compréhension de la croissance cinétique des couches minces, tels que CrN et NiO déposés par pulvérisation de magnétron réactif.
  • 4. 4 Processus (magnétron) Différentes techniques de pulvérisation ont été étudiées, en particulier celles de DC et HiPIMS. En ce qui concerne la technique HiPIMS, des antécédents théoriques ont été obtenus. Principalement, le rôle de l’argon métastable a été considéré.
  • 5. 5 Processus (nitrure de chrome) La pulvérisation cathodique pour obtenir des films de CrN a été menée. La variation des paramètres de travail a déterminé le changement du paramètre de réseau. La puissance de courant continu est très importante.
  • 6. 6 Processus (oxyde de nickel) Couches minces de NiO ont été déposés sous pulvérisation cathodique. Les changements morphologiques ont été analysés avec Pourcentage d’oxygène Épaisseur des films Polarisation dans le substrat
  • 7. 7 Processus (oxyde de nickel) Les films de NiO ont beaucoup d’intérêt en raison de leur utilisation dans le domaine des cellules solaires.
  • 8. 8 Processus (oxyde de nickel) Les analyses ont montré que différents plans étaient préférentiellement crû dans les modes de pulvérisation métalliques et empoisonnés. Des mesures de résistivité ont été obtenues afin de vérifier la conductivité possible par les trous. NiO est un conducteur de type-p. Comportement de NiO est comme un isolant de Mott.