Cinétique de croissance des composés binaires par pulvérisation avec magnétron réactif
1. Nous imaginons pour vous les matériaux de demain
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Cinétique de croissance des
composés binaires par pulvérisation
avec magnétron réactif
Javier García Molleja
2. 2
Conférence
La prochaine conférence est basée sur ma
recherche postdoctorale (février 2013 – février
2014).
Groupe: Plasma et Couches Minces (IMN).
Dirigée par: Pierre-Yves Jouan
3. 3
Motivation
Recherche destinée à la compréhension de la
croissance cinétique des couches minces, tels que
CrN et NiO déposés par pulvérisation de
magnétron réactif.
4. 4
Processus (magnétron)
Différentes techniques de pulvérisation ont été
étudiées, en particulier celles de DC et HiPIMS.
En ce qui concerne la technique HiPIMS, des
antécédents théoriques ont été obtenus.
Principalement, le rôle de l’argon métastable a
été considéré.
5. 5
Processus (nitrure de chrome)
La pulvérisation cathodique pour obtenir des films
de CrN a été menée.
La variation des paramètres de travail a
déterminé le changement du paramètre de
réseau.
La puissance de courant continu est très
importante.
6. 6
Processus (oxyde de nickel)
Couches minces de NiO ont été déposés sous
pulvérisation cathodique.
Les changements morphologiques ont été
analysés avec
Pourcentage d’oxygène
Épaisseur des films
Polarisation dans le substrat
7. 7
Processus (oxyde de nickel)
Les films de NiO ont beaucoup d’intérêt en raison
de leur utilisation dans le domaine des cellules
solaires.
8. 8
Processus (oxyde de nickel)
Les analyses ont montré que différents plans
étaient préférentiellement crû dans les modes de
pulvérisation métalliques et empoisonnés.
Des mesures de résistivité ont été obtenues afin
de vérifier la conductivité possible par les trous.
NiO est un conducteur de type-p.
Comportement de NiO est comme un isolant de
Mott.