4. EMI : Electromagnetic Interference (전자파 간섭)
■ 전자파 : 전계와 자계가 90도로 이루어진 전파
■ 전자기기간의 노이즈 발생
■ 인간의 인체에 유해 (각종 질환 유발)
5. Shielding Effectiveness Good conductor approximation Thickness at less than skin depth
(Z0 = 377ohm)
Requirement of commercial
EMI Shielding Application
SE ≥ 20dB
Sheet resistance (면저항)의 영향이 지배적
EMI SE (Shielding Effectiveness) Equation
7. 투명 전도성 전자파 차폐 필름
연구 내용
스마트폰 전면 디스플레이 TV 디스플레이 투명 태양전지의 전극 윈도
dielectric
metal
substrate
dielectric
metal
substrate
dielectric
applicable
8. 사용 장비
증착 장비
▶ PVD (Physical Vapor Deposition)
<Sputtering>
▶ Plasma ion (Ar+)을 Target에 충돌시켜
분리된 Target atom을 Substrate에 증착시
키는 공정
▶ CVD (chemical Vapor Depositon)보다
다양한 물질 증착 가능
▶ 우수한 Step coverage, 고순도 증착
▶ 대면적 공정 가능 → 상업적 강점
9. 측정 장비
<UV-vis spectrophotometer> <4-point probe> <Hall effect measurement>
▶ 광학적 투과도/반사도/굴절률 측정 ▶ 박막의 면저항 (Sheet resistance)
측정
▶ 재료의 전기전도도/캐리어농도/
전자이동도 등 전기적 특성 측정
11. ITO
Ag
glass
DC 55W
Ar 30sccm
Pressure 3mtorr
Temp RT
Pre-sputtering
3min
DC 300W
Ar 30sccm
Pressure 5mtorr
Temp 300℃
Pre-sputtering
3min
ITO
Ag
EMI Shielding film Fabrication (1)
13. 같은 Ag조건에서 ITO를 변화시켰을 때
Transmittance measurement (Glass/ITO/Ag)
ITO
Ag
glass
ITO가 두꺼워 질수록 Peak point
가 장파장쪽으로 가지만 225nm부
터는 투과율이 저하됨
14. ITO single film 실험
Structure Rs(Ω/□) SE(dB) T%(at550nm)
Glass/ITO90nm 59.6 12.38761009 71.412
Glass/ITO135nm 28.82 17.5481144 79.97
Glass/ITO180nm 22.85 19.32232096 80.536
Glass/ITO225nm 21.3 19.86851761 75.54
ITO가 두꺼워 질수록 Peak point
가 장파장쪽으로 가지만 225nm부
터는 투과율이 저하됨
ITO single layer의 Trend와 동일
16. EMI Shielding film Fabrication (2)
DC 55W
Ar 30sccm
Pressure 3mtorr
Temp RT
Pre-sputtering
3min
DC 300W
Ar 30sccm
Pressure 5mtorr
Temp 300℃
Pre-sputtering
3min
ITO
Ag
ITO
Ag
glass
ITO