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FACULTAD : INGENIERIA DE SISTEMAS
CURSO : FISICA ELECTRONICA
ALUMNO : JESUS SANCHEZ ESPINOZA
CICLO : IV
AÑO : 2014
FICHA TECNICA DE TRANSISTOR NPN 50V 0.15A VMT3
Fichas técnicas2SC2412K (4081/4617/5658/1740S)
Fotos del productoPaquete VMT3
Dibujos del catálogoTop del paquete VMT-3
Paquete estándar8.000
CategoríaProductos de semiconductor discretos
FamiliaLos transistores (BJT) - escoja
Serie-
EmpaquetadoCinta y carrete (TR)
Tipo del transistorNPN
Actual - colector (Ic) (máximo)150mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)50V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
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Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Poder - máximo150mW
Frecuencia - transición180MHz
Tipo del montajeSoporte superficial
Paquete/casoSOT-723
Paquete del dispositivo del proveedorVMT3
Catálogo dinámicoTransistores de NPN
Otros nombres2SC5658T2LQTR
FICHA TECNICA DE TRANSISTOR JFET
El JFET de canal n está constituido por una
barra de silicio de material semiconductor
de tipo n con dos regiones (islas) de
material tipo p situadas a ambos lados.
Es un elemento tri-terminal cuyos
terminales se denominan drenador
(drain), fuente (source) y puerta (gate).
En la figura se describe un esquema de un
JFET de canal n, en la 1.10.b el símbolo de
este dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de
un JFET de canal P
FICHA TECNICA DE TRANSISTOR MOSFET
Número de pieza FQPF7N65C
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Módulos de capacitación sobre el producto
Alta Tensión Interruptores para poder de
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paquete Estándar 50
categoría Productos semiconductores discretos
familia FET - Single
serie QFET ™
Tipo FET MOSFET de canal N , óxido metálico
Característica de FET estándar
Voltaje drenaje-fuente ( Vdss ) 650V
Corriente - drenaje continua (Id ) a 25 ° C 7A
RDS ( Max ) @ Id , Vgs 1.4 Ohm @ 3.5A , 10V
Vgs ( º) ( Max ) Id @ 4V @ 250 & micro ; A
Puerta de carga ( Qg ) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacitancia de entrada ( Ciss ) @ Vds 1245pF @ 25V
Potencia - Max 52W
Tipo de montaje Pasante
Paquete / Cubierta A - 220-3 Paquete Completo
Paquete de dispositivo de proveedor A - 220F
embalaje tubo
Ficha informativa del transistor BC337 BC338
Ficha informativa del
transistor BC337 BC338,
es un transistor con
cubierta plástica TO-92
para usarse como
driver y salida en
amplificadores de
audio.
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Presentación4

  • 1. FACULTAD : INGENIERIA DE SISTEMAS CURSO : FISICA ELECTRONICA ALUMNO : JESUS SANCHEZ ESPINOZA CICLO : IV AÑO : 2014
  • 2. FICHA TECNICA DE TRANSISTOR NPN 50V 0.15A VMT3 Fichas técnicas2SC2412K (4081/4617/5658/1740S) Fotos del productoPaquete VMT3 Dibujos del catálogoTop del paquete VMT-3 Paquete estándar8.000 CategoríaProductos de semiconductor discretos FamiliaLos transistores (BJT) - escoja Serie- EmpaquetadoCinta y carrete (TR) Tipo del transistorNPN Actual - colector (Ic) (máximo)150mA Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)50V Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA Actual - atajo del colector (máximo)- Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V Poder - máximo150mW Frecuencia - transición180MHz Tipo del montajeSoporte superficial Paquete/casoSOT-723 Paquete del dispositivo del proveedorVMT3 Catálogo dinámicoTransistores de NPN Otros nombres2SC5658T2LQTR
  • 3. FICHA TECNICA DE TRANSISTOR JFET El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el símbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de un JFET de canal P
  • 4. FICHA TECNICA DE TRANSISTOR MOSFET Número de pieza FQPF7N65C Fotos del producto A - 220AB Módulos de capacitación sobre el producto Alta Tensión Interruptores para poder de procesamiento paquete Estándar 50 categoría Productos semiconductores discretos familia FET - Single serie QFET ™ Tipo FET MOSFET de canal N , óxido metálico Característica de FET estándar Voltaje drenaje-fuente ( Vdss ) 650V Corriente - drenaje continua (Id ) a 25 ° C 7A RDS ( Max ) @ Id , Vgs 1.4 Ohm @ 3.5A , 10V Vgs ( º) ( Max ) Id @ 4V @ 250 & micro ; A Puerta de carga ( Qg ) @ Vgs 36nC @ 10V Capacitancia de entrada ( Ciss ) @ Vds 1245pF @ 25V Potencia - Max 52W Tipo de montaje Pasante Paquete / Cubierta A - 220-3 Paquete Completo Paquete de dispositivo de proveedor A - 220F embalaje tubo
  • 5. Ficha informativa del transistor BC337 BC338 Ficha informativa del transistor BC337 BC338, es un transistor con cubierta plástica TO-92 para usarse como driver y salida en amplificadores de audio.
  • 6. Inserción : Pasante Cápsula : TO92 Tensión (V): 50 Frecuencia : 190Mhz Color : Negro Transistor : PNP FICHA TECNICA TRANSISTOR PNP