SELECCIÓN DE LA MUESTRA Y MUESTREO EN INVESTIGACIÓN CUALITATIVA.pdf
Transistores jfet y mosfet
1. CARRERA PROFESIONAL DE INGENIERIA DE
SISTEMAS E INFORMATICA
CURSO: FISICA ELECTRONICA
TEMA: TRANSISTORES JFET y un MOSFET
Alumno: Mijaíl Cárdenas Jáuregui
4. MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada,
es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada
uno entrega una parte a la corriente total.
Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares
presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensión, Es un dispositivo
extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular
o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. Su
velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando, así,
lo que se denomina distorsión por fase
Características del diodo Mosfet
5. La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el
terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo
Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta
es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean
para tratar señales de muy baja potencia.
Tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es
llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado
a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al
drenaje (drain):
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la
compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)
6. El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor de
efecto de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar
Características del diodo Jfet
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La
terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente
(Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar
del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la
que el canal queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cada JFET
7. El JFET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta a fuente
modifican la región de rarefacción (deplexión) y causan que varíe el ancho del
canal.
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas características del
transistor JFET. Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran
en la imagen, nótese que se distinguen tres zonas importantes: la zona óhmica, la
zona de corte y la zona de saturación.
Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas
ellas normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos programas
de simulación (como SPICE) permiten hacen barridos de CD básicos para obtener las
curvas, en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes.
El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (más
adelante se verá) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de señal, sin
embargo no son las únicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la
configuración para formar osciladores, interruptores controlados, resistores
controlados, etc
