1. Diodo y
transistores

2. Antecedentes
conductor
Materiales
Aislantes
Semiconductores

3. Materiales
Diodos

4. Material Intrínseco
Material
intrínseco,
son
aquellos
semiconductores que se han refinado
cuidadosamente con el objetivo de reducir
las impureza hasta un nivel muy bajo, tan
puros como sea posible mediante la
utilización de la tecnología moderna.
Materiales

5. Material Extrínseco
Material
extrínseco
es
un
material
semiconductor que se ha sujetado a un
proceso de dopaje.
Materiales

6. Material N
Es un material de tipo n el electrón
denomina portador mayoritario y el hueco
portador minoritario.
Portador
mayoritario
electrones
Portador
minoritaria
(huecos)
Materiales

7. Material P
Es un materia tipo p el hueco es el portador
mayoritario y el electrón es el portador
minoritario.
Portador
Minoritario
electrones
Portador
mayoritario
(huecos)
Materiales

8. Diodos

9. ¿Qué es?
El diodo es un dispositivo de dos terminales,
que tiene como característica que
funciona como un interruptor. El diodo sólo
permite recorre la corriente en una sola
dirección de la flecha.
Diodos

10. Funcionamiento
Ánodo (A)
Cátodo (C)
Símbolo
Dispositivo
Físico
Sentido de la
corriente ID
Corriente del diodo ID
Diodos

11. Grafica de funcionamiento
Vd (Ge)= 0.3v
Vd (Si) = 0.7v

12. Análisis
Determinar la corriente ID y el voltaje VD en
el siguiente circuito, considere que el diodo
es de silicio.
Datos:
VDD
5V
R 1KΩ
Diodos

13. Solución
VDD
VR
5v
1000I
1000I
5
1000I
4.3
ID
VR
VD
0
0.7
0
.7
4.3
A 4.3mA
1000
I R R .0043A *1000
I
4.3V

14. Aplicaciones
Diodos

15. Transistor

16. ¿Qué es?
El transistor es un dispositivo semiconductor
de tres capas que consta de ya sea dos
capas de material tipo n y una capa tipo
p, o bien de dos capas de material tipo p y
una tipo n .
Transistor

17. Transistores bipolares
El transistor bipolar (BJT) se corresponde con el siguiente dispositivo:
Está formado por la unión de tres materiales semiconductores.
Este es un transistor NPN. Análogamente existe el PNP.

18. Nosotros lo vamos a representar:
npn
pnp

19. REGIONES DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR PNP
Distinguimos las siguientes regiones de funcionamiento:
Unión BE
Unión BC
CORTE
inversa
inversa
ACTIVA
directa
inversa
SATURACIÓN
directa
directa

20. MODOS DE OPERACIÓN DEL npn
V
1) CORTE
VBE
ganancia del transistor
V
VBC
0.65 V ó 0.7 V
V
IB
IC
IE
0
2) ACTIVA
VBE
V
VCB
0
IC
IB
VBE
V fijada
3) SATURACIÓN
VBE
V
VCB
0.5 V
VCE saturación
VBE VBC
0.2 V
IC
IB

21. ANÁLISIS DEL BJT
Para trabajar con un transistor utilizaremos el siguiente circuito:
Ecuaciones que siempre se cumplen:
IE
VBB
IB
IC
(1)
VCE
VCB VBE
( 2)
VBB
I B RB VBE
I E RE
VCC
I C RC VCE
I E RE (4)
(3)

22. El transistor puede estar en uno de los tres estados de operación:
Corte, Activa o Saturación
CORTE
Si VBE
0.65 V
T en corte
Sustituyendo
(1) I E
(4) VCE
0
(3) VBE
VCC (2) VCB
VBB
VCC VBB
IB
0
IC
0

23. ACTIVA-SATURACIÓN
Si VBE
a) Si VCE
0.65 V
T en activa o saturación
0.65 V
IC
VBE
T en activa
IB
0.65 V
Sustituyendo
(1) I E
1
IB
(2) VCE
VCE
0.65 V
(3) VBB
I B RB
0.65
(4) VCC
I B RC VCE
1
I B RE
1
I B RE

24. IC
0.65 V
T en saturación
VCE
0.2 V
VBE
b) Si VCE
IB
0.65 V
Sustituyendo
(1) I E
IB
IC
(2) VCE
0.2 V
(3) VBB
I B RB
0.65
(4) VCC
I C RC
0. 2
IC
IC
I B RE
I B RE

25. ANÁLISIS GRÁFICO
Curva I B VBE
IB
*
IC e
VBE
VT
IB
VBB VBE
RB
el punto de intersección determina IB
VBB
Curva I C VCE : se selecciona la curva iB
IC
VCC
RC
IB
1
VCE
RC
La intersección de las curvas determina el punto
de polarización del transistor Q=(IC, VCE)

26. Ejemplo 1:
Datos :
RB
VCC
VBB
100 K
10 V
V
1) Si VBB
0.65 V
VBE
0.65 V
RC
0.65 V
T en corte
10 K
100
IB
IC
IE
0

27. 2) Si VBB
0.65 V
Supongamos activa
(1) I E I C I B
IB
(2) VCE
VCB
0.65 V
VBE
IB
0.65 V
100 K I B 0.65 V
IC
(4) VCC
saturación
100 1 I B
IB
(3) VBB
T en
activa
10 K I C VCE
VCE
VBB 0.65 V
100 K
VBB 0.65 V
100 I B
100
100 K
VCC 10 I C
Estará en activa hasta que VCE
0.65 V
10 10 VBB 0.65
VBB
1.58 V

28. 3) Si VBB
(1) I E
(2) VCE
1.58 V
IC
VCE
IB
IC
0.65 V
T en saturación
IB
0.2 V
(3) VBB
100 K I B 0.65 V
(4) VCC
10 K I C VCE
IC
IB
VBB 0.65 V
100 K
10 10 K I C
0.2 V
0.98 mA (constante)

29. Ejemplo 2:
Datos :
V
0.65 V
50
1) No puede estar en CORTE:
Si T está en CORTE
IB
0
VB
2.5 V
IE
0
VE
0V
VBE
2.5 V
T está en ACTIVA O SATURACIÓN
0.65 V

30. 2) Supongamos que T está en ACTIVA
(1) I E
IC
IB
IB
IB
(2) VCE
VCB
(3) VBB
IC
IB
VBE
0.65 V
51 I B
I B 9 K 0.65 V I E 1K
0.65 V
IB
(4) VCC
I B 9 K 0.65 V 51 I B 1K
5 K I C VCE
15.72 V
1.54 mA
1.58 mA
1K I E
25 5 K 1.54 mA VCE
VCE
IC
IE
2.5
30.1μA
1K 1.58 mA
0.65 V Suposición correcta