2. Diodo de Potencia Es un semiconductor de estructura P- N, que funciona como interruptor unidireccional donde la corriente circulara solo en el sentido de la conducción.
3. Caracteristicas Formado por una sola unión PN Posee una región N adicional la cual es de menor dopaje la cual permite soportar tensiones mas elevadas. Soportan tensiones de ruptura en el orden de los Kilo voltios. Pueden conducir corrientes en el orden de los Kilo Amperios. Su tamaño esta al rededor de unos cuantos mucho mas grande que el diodo de señal. La caída de tensión en el diodo esta alrededor de 1 – 3v Recuperacion Inversa : tiempo requerido para pasar del estado de conducción al estado de bloqueo. Este tiempo esta en el orden de los 10s para diodos normales. Recuperacion Directa: tiempo requerido para pasar del estado de bloque al de conducción, es de menor importancia que el anterior
4. TIPOS DE DIODOS Diodos Schottky, Diodos de recuperación rápida ,Diodos rectificadores o de frecuencia de línea.
5. TIRISTORES Elemento semiconductor que contiene una puerta, dichos elementos trabajan en zona de conmutación. Características: Tiene un Gate para el control de l a conmutación. Trabaja en zona de conmutación Tiene cuatro capas semiconductoras PNPN Necesita una señal de control externa.
6. SCR Características: Gran capacidad para controlar potencia Formado por cuatro capas emiconductoras y tres terminales anodocatodo y gate Para que deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del valor minimo de mantenimiento. Para conducción no basta aplicar tensión inversa. En off puede bloquear tensión directa y no conduce corriente
7. Tiene tres regiones de funcionamiento zona de bloqueo inverso, zona de bloqueo directo, y zona de conducción. Tipos de disparo: Disparo por tensión Disparo por impulso de puerta Disparo por derivación de tensión Disparo por temperatura Disparo por luz
8. TRIAC Es un director bidireccional, permite el paso de corriente en 2 sentidos. Características Corriente en 2 sentidos. Se dispara desde el sentido de corte al de conducción en corriente positiva o negativa Compacto, requiere un único circuito de control
9. GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo Características Se puede bloquear externamente Entra en conducción o se bloquea atravez de señales al Gate Conduce si supera una corriente determinada Soporta tensión inversa de la unión puerta catodo Absorción de portadores de toda superifcie conductora No puede bloquear tensión inversa
10. TRANSISTORES Elemento semiconductor de potencia que funciona como interruptor Características Son totalmente controlados Trabajan en zona de conmutación
11. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA TBP Transistores que básicamente funcionan como interruptores de potencia controlados por corriente Características Contiene una capa intermedia del colector que define la tensión de bloqueo del componente No soporta tensión en sentido opuesto Menores perdidas en relación al PNP Baja caída de tensión en saturación Poca ganancia con v/ i grandes Posee configuración Darlington
12. MOSFET Transistor de efecto de campo semiconductor de oxido metalico son transistores controlados por tensión Características Hay de dos tipos canal N y canal P Tres zonas de trabajo corte, óhmica y saturación Transistores mas rapidos que existen, alta frecuencia
13. IGBT Es un transistor hibrido que aprovecha las ventajas de los bipolares y los mosfet Características Facilidad de disparo del mosfet Pequeñas perdidas en conducción de los BJT en potencia Control por tensión sencillo Soperta tensión elevadas Velocidades bajas (frecuencia) Alta impedancia de entrada
