1. Universidad del Azuay Dispositivos de Electrónica de Potencia Integrantes: Marco Tintín Andrés Burbano

2. Diodo De Potencia

4. Mayor longitud para soportar tensiones inversas más elevadas (KV).

5. Tensión de caída en conexión directa entre 1 y 2v.

6. Recuperación Inversa: El paso de conducción a bloqueo no se efectúa instantáneamente.

8. Tiristores SCR (Rectificador controlado de Silicio)

10. Cuando existe una corriente de Gate el SCR conduce si este polarizado directamente y se mantiene en conducción aunque no exista corriente en el Gate.

12. Tiristores TRIAC (Tríodo de Corriente Alterna)

14. Se comporta como dos SCR en anti paralelo.

17. Cuando existe una corriente de Gate el GTO conduce.

18. Una polarización inversa entre cátodo y gate produce la apertura o bloqueo del GTO.

21. El control de Vbe determina la corriente de base, Ib, que, a su vez, se relaciona con Ic por la ganancia de corriente del dispositivo.

22. Trabaja con corrientes y tensiones elevadas.

25. Funciona cuando el voltaje Drain-Source es mayor a 0.

26. Trabaja en la zona de corte y en la zona óhmica.

29. Soporta tensiones elevadas (1200-2000v).

30. Trabaja en rangos de frecuencias medias.

31. Mayor caída de tensión que en el MOSFET