Transistores

1. REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIÓN
E.T.I. SIMÓN RODRÍGUEZ
III DE ELECTRÓNICA
TRANSISTORES
ESTUDIANTE:
MARIÑO SERGIO

2. MENÚ PRINCIPAL
1.- Tipos de Transistores
• Transistor de unión por crecimiento
• Transistor de unión difusa
• Transistores de efecto de campo
2.- Principio de Funcionamiento
3.- Amplificadores con
transistores
4.- Cortes y Saturación
6.- Transistores FET
5. Transistores como
Interruptor
7.- Transistores
MOSFET

3. TIPOS DE TRANSISTORES
• Transistores de punta de contacto: El transistor original fue de esta clase y
consistía en electrodos de emisor y colector que tocaban un pequeño bloque de
germanio llamado base. El material de la base podía ser de tipo N y del tipo P y
era un cuadrado de 0.05 pulgada de lado aproximadamente. A causa de la
dificultad de controlar las características de este frágil dispositivo, ahora se le
considera obsoleto.
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• Transistor de unión por crecimiento
• Transistor de unión difusa
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transistores
Cortes y Saturación
Transistores como Interruptor Transistores FET MOSFET

4. • Transistor de unión por crecimiento: Los cristales de esta clase se obtienen por un proceso
de "crecimiento" partiendo de germanio y de silicio fundidos de manera que presenten
uniones muy poco separadas embebidas en la pastilla. El material de impureza se cambia
durante el crecimiento del cristal para producir lingotes PNP o NPN, que luego son cortados
para obtener pastillas individuales. Los transistores de unión se pueden subdividir en tipos
de unión de crecimiento, unión de alineación y de campo interno. El transistor del último
tipo es un dispositivo de unión de alineación en que la concentración de impurezas que está
contenida dentro de una cierta región de la base a fin de mejorar el comportamiento en alta
frecuencia del transistor.
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• Transistor de unión difusa
• Transistores de efecto de
campo
Principio de FuncionamientoAmplificadores con transistores
Cortes y Saturación Transistores como Interruptor Transistores FET MOSFET

5. • Transistor de unión difusa: Esta clase de semiconductor se puede utilizar en un margen
más amplio de frecuencias y el proceso de fabricación ha facilitado el uso de silicio en
vez de germanio, lo cual favorece la capacidad de potencia de la unidad. Los transistores
de unión difusa se pueden subdividir en tipos de difusión única (hometaxial), doble
difusión, doble difusión plana y triple difusión plana.
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• Transistor de unión por crecimiento
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Amplificadores con
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Cortes y Saturación Transistores como Interruptor Transistores FET MOSFET

6. • Transistores de efecto de campo: El transistor de efecto de campo de unión (JFET), o transistor
unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta 1958 no se construyó el primer transistor
práctico de efecto de campo. Se puede considerar a este dispositivo como si fuese una barra, o
canal, de material semiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P. En cada extremo
de la barra se establece un contacto óhmico, que representa un transistor de efecto de campo
tipo N en su forma más sencilla. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N
(desde los extremos opuestos del canal N) y se conectan externamente entre sí, se produce
una puerta o graduador. Un contacto se llama surtidor y el otro drenador. Si se aplica una
tensión positiva entre el drenador y el surtidor y se conecta la puerta al surtidor, se establece
una corriente. Esta corriente es la más importante en un dispositivo de efecto de campo y se le
denomina corriente de drenador con polarización cero (IDSS).Finalmente, con un potencial
negativo de puerta denominado tensión de estrangulamiento (pinch-off) cesa la conducción en
el canal.
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Cortes y Saturación Transistores como Interruptor Transistores FET MOSFET

7. PRICIPIO DE FUNCIONAMIENTO
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se
los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas,
lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de
cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de
rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
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• Transistor de unión por crecimiento
• Transistor de unión difusa
• Transistores de efecto de campo
Amplificadores con
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8. AMPLIFICADORES CON TRANSISITOR
El amplificador es un circuito que recibe una señal eléctrica y
entrega una señal de mayor amplitud, pueden ser amplificadores
de voltaje o de corriente. La estructura es la siguiente:
Los circuitos de acoplamiento son:
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• Transistor de unión difusa
• Transistores de efecto de campo
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9. TRANSISTOR EN CORTE O EN
SATURACIÓN
El funcionamiento del transistor depende de la cantidad de corriente que pase por su base.
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales; se dice entonces que el transistor está en
corte, es como si se tratara de un interruptor abierto. El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en
ese caso se permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor
cerrado.
El transistor trabaja en conmutación cuando puede pasar de corte a saturación según la cantidad de corriente que reciba por su
base.
En la animación, el ventilador (representado por una M) sólo funcionará cuando la temperatura sea alta. La ventaja de utilizar el
transistor y no un interruptor convencional es que el transistor corta o reanuda la corriente de forma mucho más rápida
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10. TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR
Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc) si se
hace pasar rápidamente de corte a saturación y viceversa. En corte es un interruptor
abierto y en saturación es un interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de
transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a encender y la corriente
que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al voltaje nominal del circuito, y
la corriente corresponde a la corriente Icsat. Se calcula la corriente de saturación mínima,
luego la resistencia de base mínima:
IBSAT min = Icsat / b
RBMax = Von/IBsat min
Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito debe
usar una RB por lo menos 4 veces menor que RBmax.
Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado Voff que haga que el
circuito entre en corte
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11. TRANSISTORES FET Y MOSFET
FET: Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source).
La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El
transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador
y fuente.
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Cortes y Saturación Transistores como Interruptor MOSFET

12. MOSFET: El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S),
drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está
conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
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