4. Il y a environ 2 paires électron-
trou pour 10 milliards d’atome à
température ordinaire (20°C)
5. Il y a environ dix mille milliards
de milliards d’atome (1022) dans
un gramme de silicium, donc
deux mille milliards (2x1012)
d’électrons libres par gramme
de silicium
108. iDS mA VGS= 0 V
8
VGS= -2 V
6
VGS= -4 V
4
VGS= -5,5 V
2
10 20 30 40 VGS= -6,7 V
vDS
-2
-4
109. iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
vDS
-2
-4
110. iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
vDS
-2
-4
111. iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
vDS
-2
-4
112. iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
-6 V -4 V -2 V vDS
-2
-4
113. iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
-6 V -4 V -2 V vDS
-2
-4
114. iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
-6 V -4 V -2 V vDS
-2
-4
115. iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
-6 V -4 V -2 V vDS
-2
vGSoff
-4
116. Caractéristique de transfert pour VDS = 15 V
iDS mA VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGSoff vGS 10 20VGS= -6,7 V
-6 V -4 V -2 V vDS
-2
-4