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Circuits
Analogiques
Institut de Formation aux Métiers de
l’Industrie Automobile
Département Systèmes Automatisés
PLAN
2
1. Semi-conducteurs
2. Rappels
3. Diodes
4. Transistor bipolaire
3
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
4
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
5
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.1 Définition
Les semi-conducteurs doivent leur nom au fait que leur conductivité (résistivité) est
intermédiaire entre celle des conducteurs comme les métaux et celle des isolants. En
fait, la différence la plus caractéristique réside dans le sens de la variation de la
conductivité avec la température. Alors que la résistance d'un fil métallique augmente
avec la température, celle d'un semi-conducteur diminue.
6
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.1 Définition
Les semi-conducteurs les plus utilisés sont le silicium et le germanium qui sont des
éléments tétravalents qui appartiennent à la quatrième colonne de la classification
périodique des éléments. Leurs atomes comportent quatre électrons (de valence) sur
la couche périphérique (couche de valence).
7
1 – Semi-conducteurs
Couche de valence: 4 e-
Circuits Analogiques
8
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.1 Définition
Niveaux d’énergie des électrons
9
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.1 Définition
Niveaux d’énergie des électrons
10
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
11
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
12
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
13
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.2 Les semi-conducteurs intrinsèques
Atome de silicium : le noyau comporte 14 protons – nuage comportant 14 e-
14
1 – Semi-conducteurs
Couche de valence: 4 e-
Circuits Analogiques
1.2 Les semi-conducteurs intrinsèques
❖ Constitués de matériaux tétravalent purs comme le silicium ou le germanium (4
électrons de valence).
❖ Le gap a une largeur relativement faible (1 eV = 1,602177.10-16 J).
❖ A très basse température (0°K), les SC intrinsèques sont parfaitement isolants.
❖ L'agitation thermique à la température ambiante suffit pour libérer un nombre
d'électrons relativement important.
❖ La conductivité d'un Semi-conducteur dépend donc fortement de la température.
❖ Un atome qui perd un électron devient un ion positif. Le manque d'électron est
désigné par trou.
15
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.3 SC extrinsèque type N
16
1 – Semi-conducteurs
Dopage d’un SC type N
Circuits Analogiques
1.4 SC extrinsèque type P
17
1 – Semi-conducteurs
Dopage d’un SC type P
Circuits Analogiques
18
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.5 La jonction PN
Si on place deux semi-conducteurs, un de type P et
l'autre de type N, au voisinage de la jonction ainsi
effectuée, le électrons majoritaires du coté N vont
diffuser vers le coté P et les trous majoritaires du côté
P vont diffuser vers le côté N.
Les électrons passés du côté P vont se recombiner
avec les trous abondants de ce côté, et les trous
passés du côté N vont se recombiner avec les
électrons abondants de ce coté. Il se crée alors une
région sans porteurs où il n'y a plus que des ions
positifs du coté N et des ions négatifs du coté P.
19
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.5 La jonction PN
Cette région dite, zone de déplétion ou zone dépeuplée n'est plus neutre
électriquement. De part et d'autre de la jonction, il existe une double répartition des
charges assez semblable à celle que l'on trouve sur les armatures d'un condensateur, les
charges positifs d'un côté, les négatifs de l'autre. Il se crée alors un champ électrique
interne Ei orienté de N vers P qui va s'opposer à la diffusion des porteurs de part et
d'autre de la jonction.
En effet, si un électron arrive dans la zone de déplétion , il sera rappelé par le champ
vers la zone d'où il vient. De la même façon, les trous qui arrivent dans cette zone sont
renvoyés par le champ dans la zone P d'où ils sont venus. Si on reprend le phénomène
depuis le début, au fur et à mesure que les porteurs diffusent de part et d'autre de la
jonction, les charges d'espace (+) et (-) augmentent et le champ augmente avec elles.
20
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.5 La jonction PN
Plus le champ augmente, plus la diffusion des porteurs est freinée, on dit qu'il y a
création d'une barrière de potentiel qui empêche les porteurs de traverser la jonction. Il
arrive un moment où il s'établit un équilibre statistique, tout se passe comme si aucun
électron n'arrive à diffuser du coté P et aucun trou n'arrive à diffuser du coté N, les
charges (+) et (-) de chaque côté de la jonction cessent d'augmenter et le champ aussi.
21
1 – Semi-conducteurs
Zone de
déplétion
Circuits Analogiques
1.6 La jonction PN : Polarisation inverse
La jonction est polarisée en sens inverse lorsque le potentiel de son extrémité N est
supérieur à celui de son extrémité P. L'action du champ Eext créés par le générateur
externe d'ajoute à celle de champ interne Ei , les porteurs majoritaires sont repoussés
encore un peu plus loin de la jonction ce qui augmente la largeur de la zone de
déplétion. Aucun courant important ne circule dans la jonction, on dit qu'elle est
bloquée.
22
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.7 La jonction PN : Polarisation directe
La jonction PN est polarisée en directe lorsqu'on relie l'extrémité P au pôle (+) et
l'extrémité N au pôle (-) d'un générateur de tension. Le champs externe Eext crée par
ce générateur au sein de la jonction s'oppose au champ interne Ei. Tant que la tension
U du générateur reste inférieure à un certain seuil, Eext reste inférieur à Ei, et les
porteurs ne peuvent toujours pas traverser la jonction, il n'y a donc pas de courant.
23
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.7 La jonction PN : Polarisation directe
Si la tension du générateur devient supérieure au seuil, Eext devient supérieur à Ei, le
champ résultant dans la jonction est maintenant orienté de P cers N et va donc
favoriser la diffusion des électron de N vers P et des trous de P vers N. Il se crée alors
un courant électrique important de P vers N au sein de la jonction (de N vers P dans le
circuit extérieur).
24
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
1.7 La jonction PN : Polarisation directe
Le seuil de tension à partir auquel la jonction devient passante est d'environ 0.26V
pour le germanium et 0.65V pour le silicium.
25
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
26
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
27
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
28
1 – Semi-conducteurs
Circuits Analogiques
29
2 – Rappels
Les résistances sont les éléments les plus utilisés en
électronique. Leur fonction est de s'opposer au
passage du courant, la loi d'ohm donne la relation
entre la tension, la résistance du circuit et le courant.
L'unité de mesure des résistances est l'Ohm. Les
résistances vendues dans le commerce sont marquées
avec un code de couleur qui permet de reconnaître
leurs valeurs. Les systèmes les plus utilisés sont le
système à 4 anneaux et le système à 5 annaux.
Circuits Analogiques
30
2 – Rappels
La lecture se fait de gauche à droite à partir de l'extrémité ou sont groupés les
anneaux. Les deux premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le
troisième anneau indique le nombre de zéros. Le quatrième anneau indique la
tolérance :
➢ Code de couleur à 4 bandes
Argent = 10% , Or = 5% , Rouge 2% , Marron 1%
Circuits Analogiques
31
2 – Rappels
Les trois premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le quatrième
anneau indique le nombre de zéros. Le cinquième anneau indique la tolérance :
➢ Code de couleur à 5 bandes
Circuits Analogiques
Argent = 10% , Or = 5% , Rouge 2% , Marron 1%
32
2 – Rappels
Circuits Analogiques
33
2 – Rappels
Circuits Analogiques
Convention :
34
2 – Rappels
Circuits Analogiques
35
2 – Rappels
TD : Calculer la résistance équivalente
Circuits Analogiques
36
2 – Rappels
TD : Donner l’expression de U
Circuits Analogiques
37
2 – Rappels
TD: Calculer la tension au point B, en fonction de U1, U2,R1 et R2
Circuits Analogiques
38
2 – Rappels
TD: Calculer la tension au point C
Circuits Analogiques
39
2 – Rappels
Circuits Analogiques
40
3 – Les diodes
Circuits Analogiques
41
3 – Les diodes
▪ Définition
Circuits Analogiques
42
3 – Les diodes
▪ Définition
Circuits Analogiques
43
3 – Les diodes
Circuits Analogiques
▪ Polarisation directe de la diode
44
3 – Les diodes
Circuits Analogiques
▪ Polarisation inverse de la diode
45
3 – Les diodes
▪ Sens direct & inverse
Circuits Analogiques
46
3 – Les diodes
▪ Caractéristique courant- tension
Circuits Analogiques
47
3 – Les diodes
▪ Caractéristique courant- tension
Diode réelle Diode idéale
Circuits Analogiques
48
3 – Les diodes
▪ Vérification d’une diode à l’aide du multimètre
Mode « Diode »
Circuits Analogiques
49
3 – Les diodes
▪ Caractéristique d'une diode
Circuits Analogiques
Définition : c'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode en
fonction de la tension à ses bornes.
Zone 0A : la diode est polarisée dans le sens directe,
mais la tension est trop faible pour débloquer la
jonction : zone de blocage directe.
Zone AB : la tension V commence à débloquer la
diode, c'est la zone du coude.
Zone BC : la diode est passante, c'est une zone
linéaire.
Zone OE : la diode est polarisée en inverse, c'est la
zone de blocage inverse.
Zone EF : l'intensité croit brusquement, c'est la zone
de claquage.
50
3 – Les diodes
▪ Paramètres essentiels des diodes
Circuits Analogiques
En fonction de l'application considérée, on s'intéressera à certains paramètres des diodes plutôt
qu'à d'autres. Certains paramètres ne sont pas spécifiés pour tous les types de diodes, sauf les
suivants qui sont incontournables :
VF : tension de coude de la diode spécifiée à un courant direct donné.
IF : courant direct permanent admissible par la diode à la température maxi de fonctionnement.
VR : c'est la tension inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche).
IR : c'est le courant inverse de la diode. Il est spécifié à une tension inverse donnée, et pour
plusieurs températures (généralement 25°C et Tmax).
51
3 – Les diodes
TD:
Calculer le courant I, pour les schémas suivants :
Circuits Analogiques
52
3 – Les diodes
TD:
Pour le montage suivant :
Calculer UR2 (VD = 0,6V) dans les cas suivants :
1. E = +5V
2. E = -5V
Circuits Analogiques
53
3 – Les diodes
▪ Redressement simple alternance
Circuits Analogiques
54
3 – Les diodes
▪ Redressement simple alternance
Circuits Analogiques
55
3 – Les diodes
▪ Filtrage simple alternance
Circuits Analogiques
56
3 – Les diodes
▪ Filtrage simple alternance
Circuits Analogiques
Ondulation :
57
3 – Les diodes
▪ Redressement double alternance, montage avec transformateur à point milieu
Circuits Analogiques
58
3 – Les diodes
▪ Redressement double alternance, montage avec transformateur à point milieu
Circuits Analogiques
59
3 – Les diodes
▪ Redressement double alternance, montage avec transformateur à point milieu
Circuits Analogiques
60
3 – Les diodes
▪ Redressement double alternance, montage avec transformateur à point milieu
Circuits Analogiques
61
3 – Les diodes
▪ Redressement double alternance, montage à pont de Graëtz
Circuits Analogiques
62
3 – Les diodes
▪ Redressement double alternance, montage à pont de Graëtz
Ve
Circuits Analogiques
63
3 – Les diodes
▪ Redressement double alternance, montage à pont de Graëtz
Circuits Analogiques
64
3 – Les diodes
▪ Filtrage, double alternance
Ondulation :
Circuits Analogiques
65
3 – Les diodes
▪ Redressement double alternance, montage à pont de Graëtz
Circuits Analogiques
66
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
Circuits Analogiques
67
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
Fonctionnement :
Circuits Analogiques
68
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
Caractéristique et modèle :
Circuits Analogiques
69
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
Symbole :
Circuits Analogiques
70
3 – Les diodes
Circuits Analogiques
▪ Diode Zener
71
3 – Les diodes
Circuits Analogiques
▪ Diode Zener
72
3 – Les diodes
Circuits Analogiques
▪ Diode Zener
73
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
TD :
Circuits Analogiques
74
3 – Les diodes
Circuits Analogiques
75
3 – Les diodes
Circuits Analogiques
76
3 – Les diodes
Circuits Analogiques
77
3 – Les diodes
Circuits Analogiques
78
4 – Le Transistor Bipolaire
Circuits Analogiques
79
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ Définition
Le transistor est constitué de 3 couches de semi-conducteurs. On distingue le
transistor NPN et le transistor PNP, dont les symboles sont comme suit:
Circuits Analogiques
80
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ Définition
PNP
NPN
Circuits Analogiques
81
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ Différence entre les transistors NPN et PNP
Dans la suite de ce cours, on ne va traiter que le Transistor NPN.
Circuits Analogiques
82
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ Caractéristique du transistor
Circuits Analogiques
83
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ Caractéristique du transistor
Circuits Analogiques
84
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ Polarisation du transistor
Circuits Analogiques
85
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ Polarisation du transistor : Polarisation par une résistance de base
Circuits Analogiques
86
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ TD1. Polarisation du transistor: Polarisation par une
résistance de base.
Circuits Analogiques
87
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ TD2. Polarisation du transistor: Polarisation par une
résistance de base.
Calculer les résistances RE ,RC et RB pour avoir:
Circuits Analogiques
88
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ Polarisation du transistor: Polarisation par pont de résistances
Circuits Analogiques
89
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ Polarisation du transistor: Polarisation par pont de résistances
Circuits Analogiques
90
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ TD3. Polarisation du transistor: Polarisation par pont de
résistances
Circuits Analogiques
91
4 – Le Transistor Bipolaire
▪ TD4. Polarisation du transistor: Polarisation par pont de
résistances
Calculer le courant IP , la tension VB ,ainsi que les
quatre résistances pour avoir:
Circuits Analogiques
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  • 1. Circuits Analogiques Institut de Formation aux Métiers de l’Industrie Automobile Département Systèmes Automatisés
  • 2. PLAN 2 1. Semi-conducteurs 2. Rappels 3. Diodes 4. Transistor bipolaire
  • 6. 1.1 Définition Les semi-conducteurs doivent leur nom au fait que leur conductivité (résistivité) est intermédiaire entre celle des conducteurs comme les métaux et celle des isolants. En fait, la différence la plus caractéristique réside dans le sens de la variation de la conductivité avec la température. Alors que la résistance d'un fil métallique augmente avec la température, celle d'un semi-conducteur diminue. 6 1 – Semi-conducteurs Circuits Analogiques
  • 7. 1.1 Définition Les semi-conducteurs les plus utilisés sont le silicium et le germanium qui sont des éléments tétravalents qui appartiennent à la quatrième colonne de la classification périodique des éléments. Leurs atomes comportent quatre électrons (de valence) sur la couche périphérique (couche de valence). 7 1 – Semi-conducteurs Couche de valence: 4 e- Circuits Analogiques
  • 9. 1.1 Définition Niveaux d’énergie des électrons 9 1 – Semi-conducteurs Circuits Analogiques
  • 10. 1.1 Définition Niveaux d’énergie des électrons 10 1 – Semi-conducteurs Circuits Analogiques
  • 14. 1.2 Les semi-conducteurs intrinsèques Atome de silicium : le noyau comporte 14 protons – nuage comportant 14 e- 14 1 – Semi-conducteurs Couche de valence: 4 e- Circuits Analogiques
  • 15. 1.2 Les semi-conducteurs intrinsèques ❖ Constitués de matériaux tétravalent purs comme le silicium ou le germanium (4 électrons de valence). ❖ Le gap a une largeur relativement faible (1 eV = 1,602177.10-16 J). ❖ A très basse température (0°K), les SC intrinsèques sont parfaitement isolants. ❖ L'agitation thermique à la température ambiante suffit pour libérer un nombre d'électrons relativement important. ❖ La conductivité d'un Semi-conducteur dépend donc fortement de la température. ❖ Un atome qui perd un électron devient un ion positif. Le manque d'électron est désigné par trou. 15 1 – Semi-conducteurs Circuits Analogiques
  • 16. 1.3 SC extrinsèque type N 16 1 – Semi-conducteurs Dopage d’un SC type N Circuits Analogiques
  • 17. 1.4 SC extrinsèque type P 17 1 – Semi-conducteurs Dopage d’un SC type P Circuits Analogiques
  • 19. 1.5 La jonction PN Si on place deux semi-conducteurs, un de type P et l'autre de type N, au voisinage de la jonction ainsi effectuée, le électrons majoritaires du coté N vont diffuser vers le coté P et les trous majoritaires du côté P vont diffuser vers le côté N. Les électrons passés du côté P vont se recombiner avec les trous abondants de ce côté, et les trous passés du côté N vont se recombiner avec les électrons abondants de ce coté. Il se crée alors une région sans porteurs où il n'y a plus que des ions positifs du coté N et des ions négatifs du coté P. 19 1 – Semi-conducteurs Circuits Analogiques
  • 20. 1.5 La jonction PN Cette région dite, zone de déplétion ou zone dépeuplée n'est plus neutre électriquement. De part et d'autre de la jonction, il existe une double répartition des charges assez semblable à celle que l'on trouve sur les armatures d'un condensateur, les charges positifs d'un côté, les négatifs de l'autre. Il se crée alors un champ électrique interne Ei orienté de N vers P qui va s'opposer à la diffusion des porteurs de part et d'autre de la jonction. En effet, si un électron arrive dans la zone de déplétion , il sera rappelé par le champ vers la zone d'où il vient. De la même façon, les trous qui arrivent dans cette zone sont renvoyés par le champ dans la zone P d'où ils sont venus. Si on reprend le phénomène depuis le début, au fur et à mesure que les porteurs diffusent de part et d'autre de la jonction, les charges d'espace (+) et (-) augmentent et le champ augmente avec elles. 20 1 – Semi-conducteurs Circuits Analogiques
  • 21. 1.5 La jonction PN Plus le champ augmente, plus la diffusion des porteurs est freinée, on dit qu'il y a création d'une barrière de potentiel qui empêche les porteurs de traverser la jonction. Il arrive un moment où il s'établit un équilibre statistique, tout se passe comme si aucun électron n'arrive à diffuser du coté P et aucun trou n'arrive à diffuser du coté N, les charges (+) et (-) de chaque côté de la jonction cessent d'augmenter et le champ aussi. 21 1 – Semi-conducteurs Zone de déplétion Circuits Analogiques
  • 22. 1.6 La jonction PN : Polarisation inverse La jonction est polarisée en sens inverse lorsque le potentiel de son extrémité N est supérieur à celui de son extrémité P. L'action du champ Eext créés par le générateur externe d'ajoute à celle de champ interne Ei , les porteurs majoritaires sont repoussés encore un peu plus loin de la jonction ce qui augmente la largeur de la zone de déplétion. Aucun courant important ne circule dans la jonction, on dit qu'elle est bloquée. 22 1 – Semi-conducteurs Circuits Analogiques
  • 23. 1.7 La jonction PN : Polarisation directe La jonction PN est polarisée en directe lorsqu'on relie l'extrémité P au pôle (+) et l'extrémité N au pôle (-) d'un générateur de tension. Le champs externe Eext crée par ce générateur au sein de la jonction s'oppose au champ interne Ei. Tant que la tension U du générateur reste inférieure à un certain seuil, Eext reste inférieur à Ei, et les porteurs ne peuvent toujours pas traverser la jonction, il n'y a donc pas de courant. 23 1 – Semi-conducteurs Circuits Analogiques
  • 24. 1.7 La jonction PN : Polarisation directe Si la tension du générateur devient supérieure au seuil, Eext devient supérieur à Ei, le champ résultant dans la jonction est maintenant orienté de P cers N et va donc favoriser la diffusion des électron de N vers P et des trous de P vers N. Il se crée alors un courant électrique important de P vers N au sein de la jonction (de N vers P dans le circuit extérieur). 24 1 – Semi-conducteurs Circuits Analogiques
  • 25. 1.7 La jonction PN : Polarisation directe Le seuil de tension à partir auquel la jonction devient passante est d'environ 0.26V pour le germanium et 0.65V pour le silicium. 25 1 – Semi-conducteurs Circuits Analogiques
  • 29. 29 2 – Rappels Les résistances sont les éléments les plus utilisés en électronique. Leur fonction est de s'opposer au passage du courant, la loi d'ohm donne la relation entre la tension, la résistance du circuit et le courant. L'unité de mesure des résistances est l'Ohm. Les résistances vendues dans le commerce sont marquées avec un code de couleur qui permet de reconnaître leurs valeurs. Les systèmes les plus utilisés sont le système à 4 anneaux et le système à 5 annaux. Circuits Analogiques
  • 30. 30 2 – Rappels La lecture se fait de gauche à droite à partir de l'extrémité ou sont groupés les anneaux. Les deux premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le troisième anneau indique le nombre de zéros. Le quatrième anneau indique la tolérance : ➢ Code de couleur à 4 bandes Argent = 10% , Or = 5% , Rouge 2% , Marron 1% Circuits Analogiques
  • 31. 31 2 – Rappels Les trois premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le quatrième anneau indique le nombre de zéros. Le cinquième anneau indique la tolérance : ➢ Code de couleur à 5 bandes Circuits Analogiques Argent = 10% , Or = 5% , Rouge 2% , Marron 1%
  • 33. 33 2 – Rappels Circuits Analogiques Convention :
  • 35. 35 2 – Rappels TD : Calculer la résistance équivalente Circuits Analogiques
  • 36. 36 2 – Rappels TD : Donner l’expression de U Circuits Analogiques
  • 37. 37 2 – Rappels TD: Calculer la tension au point B, en fonction de U1, U2,R1 et R2 Circuits Analogiques
  • 38. 38 2 – Rappels TD: Calculer la tension au point C Circuits Analogiques
  • 40. 40 3 – Les diodes Circuits Analogiques
  • 41. 41 3 – Les diodes ▪ Définition Circuits Analogiques
  • 42. 42 3 – Les diodes ▪ Définition Circuits Analogiques
  • 43. 43 3 – Les diodes Circuits Analogiques ▪ Polarisation directe de la diode
  • 44. 44 3 – Les diodes Circuits Analogiques ▪ Polarisation inverse de la diode
  • 45. 45 3 – Les diodes ▪ Sens direct & inverse Circuits Analogiques
  • 46. 46 3 – Les diodes ▪ Caractéristique courant- tension Circuits Analogiques
  • 47. 47 3 – Les diodes ▪ Caractéristique courant- tension Diode réelle Diode idéale Circuits Analogiques
  • 48. 48 3 – Les diodes ▪ Vérification d’une diode à l’aide du multimètre Mode « Diode » Circuits Analogiques
  • 49. 49 3 – Les diodes ▪ Caractéristique d'une diode Circuits Analogiques Définition : c'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode en fonction de la tension à ses bornes. Zone 0A : la diode est polarisée dans le sens directe, mais la tension est trop faible pour débloquer la jonction : zone de blocage directe. Zone AB : la tension V commence à débloquer la diode, c'est la zone du coude. Zone BC : la diode est passante, c'est une zone linéaire. Zone OE : la diode est polarisée en inverse, c'est la zone de blocage inverse. Zone EF : l'intensité croit brusquement, c'est la zone de claquage.
  • 50. 50 3 – Les diodes ▪ Paramètres essentiels des diodes Circuits Analogiques En fonction de l'application considérée, on s'intéressera à certains paramètres des diodes plutôt qu'à d'autres. Certains paramètres ne sont pas spécifiés pour tous les types de diodes, sauf les suivants qui sont incontournables : VF : tension de coude de la diode spécifiée à un courant direct donné. IF : courant direct permanent admissible par la diode à la température maxi de fonctionnement. VR : c'est la tension inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche). IR : c'est le courant inverse de la diode. Il est spécifié à une tension inverse donnée, et pour plusieurs températures (généralement 25°C et Tmax).
  • 51. 51 3 – Les diodes TD: Calculer le courant I, pour les schémas suivants : Circuits Analogiques
  • 52. 52 3 – Les diodes TD: Pour le montage suivant : Calculer UR2 (VD = 0,6V) dans les cas suivants : 1. E = +5V 2. E = -5V Circuits Analogiques
  • 53. 53 3 – Les diodes ▪ Redressement simple alternance Circuits Analogiques
  • 54. 54 3 – Les diodes ▪ Redressement simple alternance Circuits Analogiques
  • 55. 55 3 – Les diodes ▪ Filtrage simple alternance Circuits Analogiques
  • 56. 56 3 – Les diodes ▪ Filtrage simple alternance Circuits Analogiques Ondulation :
  • 57. 57 3 – Les diodes ▪ Redressement double alternance, montage avec transformateur à point milieu Circuits Analogiques
  • 58. 58 3 – Les diodes ▪ Redressement double alternance, montage avec transformateur à point milieu Circuits Analogiques
  • 59. 59 3 – Les diodes ▪ Redressement double alternance, montage avec transformateur à point milieu Circuits Analogiques
  • 60. 60 3 – Les diodes ▪ Redressement double alternance, montage avec transformateur à point milieu Circuits Analogiques
  • 61. 61 3 – Les diodes ▪ Redressement double alternance, montage à pont de Graëtz Circuits Analogiques
  • 62. 62 3 – Les diodes ▪ Redressement double alternance, montage à pont de Graëtz Ve Circuits Analogiques
  • 63. 63 3 – Les diodes ▪ Redressement double alternance, montage à pont de Graëtz Circuits Analogiques
  • 64. 64 3 – Les diodes ▪ Filtrage, double alternance Ondulation : Circuits Analogiques
  • 65. 65 3 – Les diodes ▪ Redressement double alternance, montage à pont de Graëtz Circuits Analogiques
  • 66. 66 3 – Les diodes ▪ Diode Zener Circuits Analogiques
  • 67. 67 3 – Les diodes ▪ Diode Zener Fonctionnement : Circuits Analogiques
  • 68. 68 3 – Les diodes ▪ Diode Zener Caractéristique et modèle : Circuits Analogiques
  • 69. 69 3 – Les diodes ▪ Diode Zener Symbole : Circuits Analogiques
  • 70. 70 3 – Les diodes Circuits Analogiques ▪ Diode Zener
  • 71. 71 3 – Les diodes Circuits Analogiques ▪ Diode Zener
  • 72. 72 3 – Les diodes Circuits Analogiques ▪ Diode Zener
  • 73. 73 3 – Les diodes ▪ Diode Zener TD : Circuits Analogiques
  • 74. 74 3 – Les diodes Circuits Analogiques
  • 75. 75 3 – Les diodes Circuits Analogiques
  • 76. 76 3 – Les diodes Circuits Analogiques
  • 77. 77 3 – Les diodes Circuits Analogiques
  • 78. 78 4 – Le Transistor Bipolaire Circuits Analogiques
  • 79. 79 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ Définition Le transistor est constitué de 3 couches de semi-conducteurs. On distingue le transistor NPN et le transistor PNP, dont les symboles sont comme suit: Circuits Analogiques
  • 80. 80 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ Définition PNP NPN Circuits Analogiques
  • 81. 81 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ Différence entre les transistors NPN et PNP Dans la suite de ce cours, on ne va traiter que le Transistor NPN. Circuits Analogiques
  • 82. 82 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ Caractéristique du transistor Circuits Analogiques
  • 83. 83 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ Caractéristique du transistor Circuits Analogiques
  • 84. 84 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ Polarisation du transistor Circuits Analogiques
  • 85. 85 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ Polarisation du transistor : Polarisation par une résistance de base Circuits Analogiques
  • 86. 86 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ TD1. Polarisation du transistor: Polarisation par une résistance de base. Circuits Analogiques
  • 87. 87 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ TD2. Polarisation du transistor: Polarisation par une résistance de base. Calculer les résistances RE ,RC et RB pour avoir: Circuits Analogiques
  • 88. 88 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ Polarisation du transistor: Polarisation par pont de résistances Circuits Analogiques
  • 89. 89 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ Polarisation du transistor: Polarisation par pont de résistances Circuits Analogiques
  • 90. 90 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ TD3. Polarisation du transistor: Polarisation par pont de résistances Circuits Analogiques
  • 91. 91 4 – Le Transistor Bipolaire ▪ TD4. Polarisation du transistor: Polarisation par pont de résistances Calculer le courant IP , la tension VB ,ainsi que les quatre résistances pour avoir: Circuits Analogiques