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A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 1
Électronique
Électronique
Fondamentale
Fondamentale
A. OUMNAD
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 2
SOMMAIRE
SOMMAIRE
z Notions générales d’Électricité et
d’Électronique
z Conducteurs et Semi-Conducteur
z La diode et ses applications
z Le transistor et ses applications
z L’Amplificateur opérationnel et ses
applications
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 3
Loi d’Ohm
Loi d’Ohm
I
R
U
+
-
U = R I
zU en Volt (V)
zR en Ohm (Ω)
zI en Ampère (A)
Opposition
Cause
Effet
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 4
CONVENSION
CONVENSION
z flèches de la tension et du courant en sens inverse
z Tension ≡ différence de potentiel
z La flèche de la tension pointe vers le point de
potentiel élevé " + chaud " , "qui pousse"
R
A B
U = Va - Vb
I
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 5
La masse
La masse
A
C
B
VA VB
VC
U
La borne (
La borne (-
-) de l'alimentation est prise comme point
) de l'alimentation est prise comme point
de référence (V=0) par rapport auquel sont mesurés
de référence (V=0) par rapport auquel sont mesurés
les tensions de tous les points du montage
les tensions de tous les points du montage
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 6
Résistances
Résistances
chiffres significatifs
nombre de zéros tolérance Noir
Maron
Rouge
Orange
jaune
Vert
Bleu
Violet
Gris
Blanc
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
5600 Ω = 5.6 k Ω ± 5%
chiffres significatifs
nombre de zéros tolérance
47500 Ω = 47.5 k Ω ± 2%
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 7
Exemples
Exemples
…….. Ω = …….. k Ω ± %
…….. Ω = …….. k Ω ± %
…….. Ω = …….. k Ω ± %
Noir
Maron
Rouge
Orange
jaune
Vert
Bleu
Violet
Gris
Blanc
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 8
Association des résistances
Association des résistances
R1 R2
R = R1+R2
R1
R2
R =
R1+R2
R1R2
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 9
Exemple
Exemple
1 kΩ 20 kΩ
10 kΩ
40 kΩ
R = …………. kΩ
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 10
Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs
Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs
V2
V1
U
V3
R1
R2
R3 R4
I1
I2
I3
V1=R1 I1
V2=R2 I1
V3=R3 I2= R4 I3
U = V1+V2+V3
U = R1 I1 + R2 I1 + R3 I2
Ou
U = R1 I1 + R2 I1 + R4 I3
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 11
Puissance
Puissance
P = U I
Un composant ayant une tension U à ses bornes et
Un composant ayant une tension U à ses bornes et
qui est traversé par un courant I dissipe une
qui est traversé par un courant I dissipe une
puissance P
puissance P
zU en Volt (V)
zI en Ampère (A)
zP en Watt (W)
R
U
RI
UI
P
2
2
=
=
=
Pour une résistance :
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 12
Diviseur de potentiel 1
Diviseur de potentiel 1
U
R1
R2
V =
R1+R2
R2
U
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 13
Diviseur de potentiel 2
Diviseur de potentiel 2
U1
R1 R2
U2
U
R
R
R
U
R
R
R
V 2
1
2
1
1
2
1
2
+
+
+
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 14
Diviseur de potentiel 3
Diviseur de potentiel 3
U1
R1 R2
U2
U3
3
2
1
3
2
2
1
1
R
1
R
1
R
1
U
R
1
U
R
1
U
R
1
V
+
+
+
+
=
3
R3
Theoreme de Milmene
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 15
Condensateur
Condensateur
Condensateur Réservoir
Le condensateur est un composant passif qui trouve de
Le condensateur est un composant passif qui trouve de
multiples Applications en électronique. Pour simplifier
multiples Applications en électronique. Pour simplifier
on peut le considérer comme un réservoir dont la
on peut le considérer comme un réservoir dont la
capacité C s'exprime en Farad (F)
capacité C s'exprime en Farad (F)
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 16
Charge et décharge d'un condensateur à travers une résistance
Charge et décharge d'un condensateur à travers une résistance
R
C
K1
K2
Vc
E
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 17
Charge : K1 fermé K2 ouvert
Charge : K1 fermé K2 ouvert
t
Vc
I
E
R
C Vc
E
I
zAu début
‰ Courant important
‰ Charge rapide
zVers la fin
‰ Courant tend vers 0
‰ Vc tend vers E
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
= RC
t
-
C e
-
1
E
V
R
E
Cte des
temps
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 18
Déharge
Déharge : K2 fermé K1 ouvert
: K2 fermé K1 ouvert
t
Vc
I
E
R
C Vc
I
zAu début
‰ Courant important
‰ Décharge rapide
zVers la fin
‰ Vc tend vers 0
‰ Le courant tend vers 0
RC
t
-
C e
E
V =
R
E
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 19
En général
En général
( ) RC
t
-
0 e
V
-
V
-
V
V(t) ∞
∞
=
t
Vc
V3
V1
V2
V4
( ) ( ) RC
t
-
2
4
4 e
V
V
-
V
t
V −
= ( ) ( ) RC
t
-
3
1
1 e
V
V
-
V
t
V −
=
On place l'origine des temps au début de la courbe qui nous
intéresse et on utilise la relation :
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 20
Exemple : calculer la période T
Exemple : calculer la période T
t
E
2
E
2
E
−
-E
2
T
T
( ) ( ) ⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛ −
=
−
−
−
−
= 1
e
2
3
E
e
2
E
E
E
t
V RC
t
-
RC
t
-
2
E
)
2
T
(
V −
=
2
E
1
e
2
3
E 2RC
T
-
−
=
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛ −
)
3
(
Log
RC
2
T =
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 21
Association de condensateurs
Association de condensateurs
Parallèle
Série
C1
C1
C=C1+C2
C2
C=
C1C2
C1+C2
C2
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 22
Conducteur et semi conducteurs
Conducteur et semi conducteurs
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 23
Dans un solide on trouve trois catégories d'électrons :
zLes électrons des couches inférieures
¾ fortement liés à leurs noyaux
¾ Pas beaucoup d'intérêt pour l'électronique
zLes électrons de valence
¾ Gravitent autour de deux noyaux
¾ Énergie dans la bande de valence
zLes électrons libre
¾ Se déplace librement dans le cristal
¾ Énergie dans la bande de conduction
Niveaux d'énergie des électrons
Niveaux d'énergie des électrons
Énergie
Bande de conduction
Bande de valence
Bande interdite = gap
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 24
Conducteur
Conducteur
z Les Bandes de conduction et de valence se
chevauchent, il n'y a pas de gap
z L'agitation thermique suffit largement pour
libérer les électrons (amener leur énergie
dans la bande de conduction)
z Chaque atome libère au moins un électron
z Nombre très important d'électrons libres
z Le branchement d'un générateur de tension
produit un champs électrique qui attire les
électrons produisant un courant important
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 25
Les isolants
Les isolants
z Les Bandes de conduction et de valence
sont séparée par un gap très important
z L'agitation thermique même à température
élevée ne parvient pas à libérer les
électrons.
z Aucun électron libre
z Le branchement d'un générateur ne produit
aucun courant
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 26
Les semi
Les semi-
-conducteurs (intrinsèques)
conducteurs (intrinsèques)
z Constitués de matériaux tétravalent purs comme le
silicium ou le germanium (4 électrons de valence)
z Le gap a une largeur relativement faible (1 eV)
z A très basse température (0°K), les SC intrinsèques
sont parfaitement isolants.
z L'agitation thermique à la température ambiante suffit
pour libérer un nombre d'électrons relativement
important
z La conductivité d'un SC dépend donc fortement de la
température.
z Un atome qui perd un électron devient un ion positif.
Le manque d'électron est désigné par trou.
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 27
Les Deux types de conduction
Les Deux types de conduction
I
1
2
3
4
5
6
Conduction = déplacement d'une charge électrique
zConduction par électrons libre (charge négative)
zConduction par trou : un trou (charge positive)
peut se déplacer provoquant un courant
zLa conduction par trou est plus lente que la
conduction par électrons libres
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 28
SC Extrinsèque de type N
SC Extrinsèque de type N
z On introduit un matériau
pentavalent (donneur) avec 5
électrons sur la couche de valence
comme antimoine, phosphore ou
arsenic
z Chaque atome introduit un électron
libre sans laisser de trou
z Le nombre d'électrons est bien plus
important que celui des trous. Ce
sont les porteur majoritaires
z La conduction est essentiellement
une conduction d'électrons
électron
libre
Si Si
Si
Si
P
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 29
SC extrinsèque de type P
SC extrinsèque de type P
z On introduit un matériau (accepteur)
avec 3 électrons sur la couche de
valence comme le bore, l'aluminium,
le gallium ou l'indium
z Chaque atome introduit un trou sans
libérer d'électron
z Le nombre de trou est bien plus
important que celui des électrons. Ce
sont les porteur majoritaires
z La conduction est essentiellement une
conduction de trou
Trou
Si Si
Si
Si
In
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 30
La diode
La diode
La diode est un composant qui ne laisse
La diode est un composant qui ne laisse
passer le courant électrique que dans un
passer le courant électrique que dans un
seul sens
seul sens
Elle est réalisée à l'aide d'une
Elle est réalisée à l'aide d'une jonction PN
jonction PN
obtenue en collant un SC (N) à un SC (P) d'où
obtenue en collant un SC (N) à un SC (P) d'où
l'appellation
l'appellation diode à Jonction
diode à Jonction
P N
anode cathode
A
A K
K
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 31
Polarisation de la diode
Polarisation de la diode
Une diode est polarisée en
Une diode est polarisée en
directe
directe si on applique une
si on applique une
alimentation avec (+ sur A) et (
alimentation avec (+ sur A) et (-
-
sur K), la diode est alors
sur K), la diode est alors
passante
passante ou
ou conductrice
conductrice
A
A
-
-
+
+
K
K
Une diode est polarisée en
Une diode est polarisée en
inverse
inverse si on applique une
si on applique une
alimentation avec (+ sur K) et (
alimentation avec (+ sur K) et (-
-
sur A), la diode est alors
sur A), la diode est alors
bloquée,
bloquée, aucun courant ne la
aucun courant ne la
traverse
traverse
-
-
+
+
A
A
K
K
I
I
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 32
Caractéristique de la diode
Caractéristique de la diode
A
A
-
-
+
+
I
I
V
V
0.2 0.4 0.6 0.8
10
20
30
40
50
60
70
80
V
D
ID (mA)
(V)
La diode a un
La diode a un seuil
seuil de conduction.
de conduction.
Elle commence à conduire
Elle commence à conduire
doucement vers V
doucement vers VD
D de l'ordre de
de l'ordre de
0.3V . Elle est franchement
0.3V . Elle est franchement
conductrice quand Vd est de l'ordre
conductrice quand Vd est de l'ordre
de 0.7V
de 0.7V
Pour faciliter, on adopte une
Pour faciliter, on adopte une
caractéristique idéalisée :
caractéristique idéalisée :
z
z V
VD
D < 0.7 V
< 0.7 V ⇒
⇒ diode
diode Bloqu
Bloqué
ée
e
z
z V
VD
D = 0.7 V
= 0.7 V ⇒
⇒ diode
diode conductrice
conductrice
z
z Le courant doit être limit
Le courant doit être limité
é avec
avec
une r
une ré
ésistance externe
sistance externe
0.2 0.4 0.6 0.8
10
20
30
40
50
60
70
80
V
D
ID (mA)
(V)
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 33
Comment calculer ?
Comment calculer ?
Diode conductrice = tension de 0.7V
Diode conductrice = tension de 0.7V
Diode bloquée = interrupteur ouvert
Diode bloquée = interrupteur ouvert
I
I
U
U
R
R
U = 15 V
U = 15 V
R = 1 k
R = 1 kΩ
Ω
Calculer I et le tension aux
Calculer I et le tension aux
borne de R
borne de R
V
14.3
0.7
-
15
V
-
U
V
V
V
U
ou
V
14.3
mA
14.3
1000
RI
V
mA
3
.
14
1000
7
.
0
15
R
V
U
I
V
RI
U
D
R
D
R
R
D
D
=
=
=
⇒
+
=
=
×
Ω
=
=
=
−
=
−
=
+
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 34
Redressement mono alternance
Redressement mono alternance
L'objectif est de partir de la tension alternative
L'objectif est de partir de la tension alternative
issue du secteur pour obtenir une tension continue
issue du secteur pour obtenir une tension continue
Permettant d'alimenter les circuit électroniques
Permettant d'alimenter les circuit électroniques
Ve > 0
Ve > 0 ⇒
⇒ diode conductrice
diode conductrice
⇒
⇒ interrupteur fermé
interrupteur fermé
⇒
⇒ V
VL
L =
= Ve
Ve
Ve
Ve > 0
> 0 ⇒
⇒ diode bloqu
diode bloqué
ée
e
⇒
⇒ interrupteur ouvert
interrupteur ouvert
⇒
⇒ V
VL
L = 0
= 0
IL
VL
RL
Secteur Ve
Ve
VL
[ ] π
θ
π
θ
θ
π
π
π
E
)
cos(
2
E
d
)
sin(
E
2
1
V
0
0
L
=
−
=
= ∫
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 35
double alternance
double alternance –
– transfo 3 fils
transfo 3 fils
IL
Secteur
RL
D1
D2
V1
V2 VL
IL
Secteur
RL
D1
V1
V2 VL
IL
Secteur
RL
D2
V1
V2 VL
V1
V2
VL
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 36
double alternance
double alternance –
– transfo 2 fils
transfo 2 fils
[ ] π
θ
π
θ
θ
π
π
π
E
2
)
cos(
E
d
)
sin(
E
1
V
0
0
L
=
−
=
= ∫
IL
R
Secteur
L
L
V
Ve
D1
D2 D3
D4
IL
R
Secteur
L
L
V
Ve
D1
D2
IL
R
Secteur
L
L
V
Ve
D3
D4
VL
V1
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 37
Filtrage par condensateur en tête
Filtrage par condensateur en tête
IL
RL
VL
Secteur Ve
C
Cf
2
I
Cf
R
2
E
V L
L
≈
=
Δ
VL
2ΔV
Ondulation
Secteur
D1
D2
C
IL
RL
VL
2ΔV
Cf
4
I
Cf
R
4
E
V L
L
≈
=
Δ
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 38
Position du problème
Position du problème
On désire réaliser une alimentation
On désire réaliser une alimentation 6V, 100 mA,
6V, 100 mA,
Δ
ΔV=0.2V
V=0.2V. Il faut choisir le transfo et le condensateur
. Il faut choisir le transfo et le condensateur
Avec un double alternance on obtient C=1250
Avec un double alternance on obtient C=1250 µ
µF
F
On prend
On prend C= 2200
C= 2200 µ
µF
F, cela compensera un peu les
, cela compensera un peu les
effets non pris en compte.
effets non pris en compte.
Avec un transfo
Avec un transfo à
à point milieu on a :
point milieu on a :
Vmax
Vmax = tension d
= tension dé
ésir
siré
ée +
e + Δ
ΔV + V
V + VD
D = 6+0.2+0.7
= 6+0.2+0.7 ≈
≈ 7V
7V
Avec un pont :
Avec un pont : Vmax
Vmax = 6+0.2+0.7+0.7
= 6+0.2+0.7+0.7 ≈
≈ 7.6V
7.6V
Veff
Veff = 7 /
= 7 / √
√2 =
2 = 5V
5V ou 7.6 /
ou 7.6 / √
√2 =
2 = 5.37V
5.37V
L'exp
L'expé
érience montre que les transfo du commerce ne
rience montre que les transfo du commerce ne
sont pas de tr
sont pas de trè
ès grande qualit
s grande qualité
é,
, "
"d
dè
ès qu'on les charge
s qu'on les charge
il se casse la gueule"
il se casse la gueule"
On prendra donc un transfo
On prendra donc un transfo 2
2×
×6V , (200 mA ou +)
6V , (200 mA ou +)
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 39
Le transistor à jonction
Le transistor à jonction
Le transistor est constitué de 3 couches de semi
Le transistor est constitué de 3 couches de semi-
-conducteurs. On
conducteurs. On
distingue les transistor NPN et les transistor PNP
distingue les transistor NPN et les transistor PNP
N
P
N
B
C
E
E
C
B
P
N
P
B
C
E
E
C
B
Il a trois bornes:
Il a trois bornes:
z
z La
La base
base traversée par le courant
traversée par le courant I
IB
B, est le plus souvent utilisée
, est le plus souvent utilisée
comme l'entrée de commande
comme l'entrée de commande
z
z Le
Le collecteur
collecteur, traversé par le courant
, traversé par le courant I
IC
C, est le plus souvent utilisé
, est le plus souvent utilisé
comme de sortie
comme de sortie
z
z L'émetteur
L'émetteur traversé par le courant
traversé par le courant I
IE
E, est le plus souvent utilisé
, est le plus souvent utilisé
comme
comme réference
réference
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 40
Caractéristique du transistor
Caractéristique du transistor
Le transistor est un
Le transistor est un amplificateur de courant
amplificateur de courant, il
, il
est caractérisé par la relation fondamentale :
est caractérisé par la relation fondamentale :
I
IC
C =
=β
β I
IB
B
Ic (mA)
Vce
=20µA
80µA
60µA
40µA
100µA
120µA
140µA
2
4
6
8
10
12
14
16
IB
160µA
On constate aussi :
On constate aussi :
z
z I
IE
E = I
= IC
C + I
+ IB
B
z
z La jonction (
La jonction (diode
diode) base
) base-
-émetteur
émetteur
détermine l'état du transistor, quand
détermine l'état du transistor, quand
elle conduit il conduit, et on a
elle conduit il conduit, et on a
V
VBE
BE=0.7V
=0.7V
z
z La tension V
La tension VCE
CE est imposée par le
est imposée par le
circuit extérieur
circuit extérieur
z
z La jonction base
La jonction base-
-collecteur
collecteur
fonctionne en inverse à cause de
fonctionne en inverse à cause de
l'effet transistor,
l'effet transistor, "il vaut mieux
"il vaut mieux
l'oublier"
l'oublier"
E
C
B
IC
IE
IB
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 41
z
z On détermine le courant IB en écrivant la
On détermine le courant IB en écrivant la
loi d'ohm dans la maille d'entrée
loi d'ohm dans la maille d'entrée
Vcc = R
Vcc = RB
B I
IB
B + 0.7 + R
+ 0.7 + RE
E I
IE
E
β
β est en g
est en gé
én
né
éral > 100 ,
ral > 100 , I
IC
C ≈
≈ I
IE
E
z
z I
IC
C en découle puisque
en découle puisque I
IC
C =
= β
β I
IB
B
z
z La tension V
La tension VCE
CE est d
est dé
étermin
terminé
ée en
e en é
écrivant
crivant
la loi d'ohm dans la maille de sortie
la loi d'ohm dans la maille de sortie
Vcc = R
Vcc = RC
C I
IC
C + V
+ VCE
CE + R
+ RE
E I
IE
E (I
(IC
C ≈
≈ I
IE
E)
)
V
VCE
CE = V
= Vcc
cc-
- (
(R
RC
C + R
+ RE
E) I
) IC
C
Polarisation du transistor
Polarisation du transistor
Polariser le transistor c'est le faire conduire à l'aide d'une
Polariser le transistor c'est le faire conduire à l'aide d'une
alimentation continue
alimentation continue et un circuit de polarisation pour le mettre
et un circuit de polarisation pour le mettre
dans un état donné par (I
dans un état donné par (IB
B, I
, IC
C, V
, VCE
CE)
)
Vcc
Rc
Rb Ic
Ib
E
B
C
RE
Polarisation par une résistance de base
Polarisation par une résistance de base
E
B
cc
B
R
R
7
.
0
V
I
β
+
−
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 42
Polarisation par une résistance de base : Exemple 1
Polarisation par une résistance de base : Exemple 1
Calculer I
Calculer IB
B, I
, IC
C, V
, VCE
CE, V
, VE
E, V
, VB
B
Vcc
Rc
Rb
Ic
Ib
E
B
C
RE
1k
1k
750K
750K
4K
4K
100
100 12V
12V
µA
13.3
K
850
11.3V
1K
100
750K
0.7V
-
12V
IB =
=
×
+
=
mA
1.33
µA
13.3
100
I
I B
C =
×
=
β
=
V
5.35
mA
1.33
1K)
(4K
-
12V
VCE =
×
+
=
1.33V
mA
1.33
1K
I
R
V C
E
E =
×
=
=
2V
0.7V
1.33V
V
0.7
V
V E
B ≈
+
=
+
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 43
Polarisation par résistance de base : exemple 2
Polarisation par résistance de base : exemple 2
Calculer les résistances pour avoir V
Calculer les résistances pour avoir VE
E=2V, I
=2V, IC
C=1mA, V
=1mA, VCE
CE=5V
=5V
Vcc
Rc
Rb
Ic
Ib
E
B
C
RE
100
100 12V
12V
K
2
mA
1
2V
R
I
R
V E
C
E
E =
=
⇒
=
K
5
mA
1
V
5
R
5V
2
-
5
-
12
I
R
V
V
I
R
V
C
C
C
E
CE
C
C
CC
=
=
⇒
=
=
⇒
+
+
=
K
930
mA
0.01
2.7
-
12
R
I
R
V
-
V
B
B
B
B
CC
=
=
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 44
Polarisation par pont
Polarisation par pont
Vcc
Rc
RB1 Ic
IB
E
B
C
RE
RB2
I1
I2
Pour faciliter le calcul, R
Pour faciliter le calcul, RB1
B1 et R
et RB2
B2 sont choisies de sorte que I
sont choisies de sorte que I1
1
soit au moins 10 fois > à I
soit au moins 10 fois > à IB
B ce qui permet de négliger I
ce qui permet de négliger IB
B et
et
d'écrire I
d'écrire I1
1 = I
= I2
2 = I
= IP
P et de considérer que V
et de considérer que VB
B ne dépend que de
ne dépend que de
R
RB1
B1 et R
et RB2
B2
)I
R
R
(
-
V
V
I
R
V
I
R
V
I
et
I
I
R
V
0.7V
-
V
V
V
R
R
R
V
C
E
C
CC
CE
C
E
CE
C
C
cc
B
C
C
E
E
B
E
CC
2
B
1
B
2
B
B
+
≈
+
+
≈
⇒
≈
≈
+
≈
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 45
Polarisation par pont : exemple 1
Polarisation par pont : exemple 1
Vcc
Rc
RB1
Ic
IB
E
B
C
RE
RB2
I1
I2
56K
56K
10K
10K
2K
2K
10K
10K
12V
12V
100
100
Calculer V
Calculer VB
B, V
, VE
E, I
, IC
C, I
, IB
B, V
, VCE
CE, V
, VC
C
V
82
.
1
V
12
k
66
k
10
V
R
R
R
V cc
2
B
1
B
2
B
B =
×
=
+
≈
V
5.3
0.56mA
12K
-
V
12
)I
R
R
(
-
V
V C
E
C
CC
CE ≈
×
=
+
≈
1.12V
0.7
-
1.82
0.7V
-
V
V B
E =
=
=
mA
0.56
K
2
V
12
.
1
R
V
I
I
E
E
E
C =
=
=
≈
µA
5.6
100
560µA
I
I C
B =
=
β
=
6.4V
5.28V
1.12V
V
V
V CE
E
C =
+
=
+
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 46
Polarisation par pont : Exemple 2
Polarisation par pont : Exemple 2
Calculer les résistances pour avoir :
Calculer les résistances pour avoir :
V
VE
E=2V, I
=2V, IC
C=1mA, V
=1mA, VCE
CE=5V, I
=5V, IP
P = 20 x I
= 20 x IB
B
mA
0.2
100
1mA
20
IP =
×
=
K
60
mA
2
.
0
V
12
I
V
R
R
P
CC
2
B
1
B =
=
=
+
K
13.5
mA
0.2
2.7V
I
V
R
P
B
2
B =
=
=
46.5K
13.5K
-
K
60
R
-
60K
R 2
B
1
B =
=
=
Vcc
Rc
RB1
Ic
IB
E
B
C
RE
RB2
IP
12V
12V
100
100
IP
K
2
1mA
2V
I
V
R
C
E
E =
=
=
K
5
1mA
2V
-
5V
-
12V
I
V
-
V
-
V
R
C
E
CE
cc
C =
=
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 47
Transistor bipolaire en amplification
Transistor bipolaire en amplification
to
ΔI
B
t
I
B0
to
ΔI
C
= β ΔI
B
t
I
C0
I
C
I
B
to
t
V
CE0
V
CE
Le transistor étant polarisé, que se
Le transistor étant polarisé, que se
passe
passe-
-t
t-
-il si on fait varier légèrement I
il si on fait varier légèrement IB
B
autour de sa position de repos I
autour de sa position de repos IB0
B0 ?
?
z
zSi I
Si IB
B Ê
Ê alors I
alors IC
C Ê
Ê β
β fois + vite
fois + vite
z
zSi I
Si IB
B Ì
Ì alors I
alors IC
C Ì
Ì β
β fois + vite
fois + vite
z
zV
VCE
CE = V
= Vcc
cc-
- (
(R
RC
C + R
+ RE
E) I
) IC
C
donc si I
donc si IC
C varie alors V
varie alors VCE
CE varie
varie
(R
(RC
C+R
+RE
E) fois plus vite mais en
) fois plus vite mais en
opposition de phase
opposition de phase
L'effet d'amplification apparaît
L'effet d'amplification apparaît
donc clairement. Les variation
donc clairement. Les variation
obéissent à deux lois :
obéissent à deux lois :
z
z La caractéristique du transistor :
La caractéristique du transistor :
I
IC
C=
=β
βI
IB
B
z
z La loi d'Ohm dans le circuit de
La loi d'Ohm dans le circuit de
sortie (
sortie (droite de charge
droite de charge)
)
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 48
Illustration graphique de l’amplification
Illustration graphique de l’amplification
Illustration graphique de l'amplification du transistor bipolair
Illustration graphique de l'amplification du transistor bipolaire
e
z
z La droite I
La droite IC
C=
=β
βI
IB
B donne la variation de I
donne la variation de IC
C en fonction de I
en fonction de IB
B
z
z La droite de charge
La droite de charge V
VCE
CE = V
= Vcc
cc-
- (
(R
RC
C + R
+ RE
E) I
) IC
C donne les
donne les
variation de V
variation de VCE
CE en fonction de I
en fonction de IC
C
2 4 6 8 10 12
Vce
I c
IB
2
1
10
20
(mA)
(V)
(µA)
V
V
CE
CE = V
= V
cc
cc -
- (
(R
R
C
C + R
+ R
E
E ) I
) IC
C
I
IC
C =
= β
β I
IB
B
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 49
Capacité de liaison
Capacité de liaison
Pour appliquer le signal d'entrée à amplifier et prélever le
Pour appliquer le signal d'entrée à amplifier et prélever le
signal de sortie amplifié
signal de sortie amplifié (signaux alternatifs)
(signaux alternatifs) sans
sans
perturber le point de fonctionnement statique du montage,
perturber le point de fonctionnement statique du montage,
on fait appel à des capacités de liaison qui laissent passer
on fait appel à des capacités de liaison qui laissent passer
l'alternatif mais pas le continu
l'alternatif mais pas le continu
Vcc
E
B
C
ve
vs
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 50
Schéma équivalent du transistor vis
Schéma équivalent du transistor vis-
-à
à-
-vis des variations
vis des variations
Autour d'un point de polarisation, les relations entre les
Autour d'un point de polarisation, les relations entre les
faibles variations sont décrite d'une façon
faibles variations sont décrite d'une façon simplifiée
simplifiée par :
par :
⎩
⎨
⎧
β
=
=
B
C
B
11
BE
i
i
i
h
v
Le terme h
Le terme h11
11 donne la relation entre une tension et un
donne la relation entre une tension et un
courant, il est donc homogène à une résistance.
courant, il est donc homogène à une résistance.
On obtient donc le schéma équivalent ci
On obtient donc le schéma équivalent ci-
-dessous.
dessous.
B C
E
h11 βib
E
ib ic
vbe vce
Chaque transistor a sa propre
Chaque transistor a sa propre
valeur de h
valeur de h11
11, une valeur
, une valeur
approximative est donnée par :
approximative est donnée par :
( )mA
E
11
I
26
h
β
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 51
Montage émetteur commun
Montage émetteur commun
Gain en tension
Gain en tension
Ce montage tire son nom du fait que
Ce montage tire son nom du fait que
l'émetteur est relié à la masse.
l'émetteur est relié à la masse.
Dans le schéma équivalent pour les
Dans le schéma équivalent pour les
variation :
variation :
z
z les condensateur sont des court
les condensateur sont des court-
-
circuits
circuits
z
z L'alimentation est une masse car
L'alimentation est une masse car
sa valeur ne peut varier
sa valeur ne peut varier
z
z R
RB
B = R
= RB1
B1 // R
// RB2
B2
Vcc
E
B
C
ve
vs
ve vS
Rc
iC
RB
h11
B C
βiB
iB
iC
E
RB1
RB2
v h i
e b
= 11
v R i R i
s c c c b
= − = − β
A
v
v
R
h
v
s
e
c
= = −
β
11
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 52
Emetteur commun avec résistance d’émetteur
Emetteur commun avec résistance d’émetteur
Le montage décrit ci
Le montage décrit ci-
-dessus présente l'inconvénient
dessus présente l'inconvénient d'instabilité
d'instabilité
thermique
thermique. On y remédie en introduisant une résistance d'émetteur.
. On y remédie en introduisant une résistance d'émetteur.
Vcc
E
B
C
ve
vs
B C
E
h11 β iB
iB
iC
ve vS
Rc
RB
iC
RE
( )
v h i R i h R i
e b E b E b
= + + = + +
11 11
1 1
( ) ( )
β β
v R i R i
s c c c b
= − = − β
A
v
v
R
h R
R
R
v
s
e
c
E
C
E
= = −
+ +
≈ −
β
β
11 1
( )
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 53
Application numérique 1
Application numérique 1
Cet amplificateur a un
Cet amplificateur a un
gain de 230 qui est une
gain de 230 qui est une
valeur tout
valeur tout à
à fait
fait
respectable pour ce
respectable pour ce
genre d'amplificateur
genre d'amplificateur
Polarisation
Polarisation :
:
calculer les résistances pour avoir
calculer les résistances pour avoir
V
VCE
CE = 6V, I
= 6V, IC
C = 1mA
= 1mA
Étude dynamique :
Étude dynamique :
Calculer h
Calculer h11
11 et le gain en tension Av
et le gain en tension Av
230
-
2.6k
6k
100
-
h
R
-
A
11
c
v ≈
×
=
β
=
( ) Ω
=
β
= 2600
I
26
h
mA
E
11
Vcc
E
B
C
ve
vs
12V
12V
100
100
RC
RB
K
6
1mA
6V
I
V
-
V
R
C
CE
CC
C =
=
=
M
1.13
0.01mA
11.3V
I
V
-
V
R
B
BE
CC
B Ω
=
=
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 54
Application numérique 2
Application numérique 2
La r
La ré
ésistance R
sistance RE
E a un rôle de
a un rôle de
stabilisation thermique mais
stabilisation thermique mais
elle a une influence
elle a une influence n
né
éfaste
faste
sur du gain
sur du gain en tension. Il va
en tension. Il va
falloir trouver une
falloir trouver une parade
parade.
.
Polarisation
Polarisation :
:
calculer les résistances pour avoir :
calculer les résistances pour avoir :
V
VCE
CE = 5V, V
= 5V, VE
E = 1V, I
= 1V, IC
C = 1mA
= 1mA
Étude dynamique :
Étude dynamique :
Calculer h
Calculer h11
11 et le gain en tension
et le gain en tension
( ) Ω
=
β
= 2600
I
26
h
mA
E
11
Vcc
E
B
C
ve
vs
12V
12V
100
100
RC
RB
RE
K
1
1mA
1V
I
V
R
E
E
E =
=
=
K
6
1mA
6V
I
V
-
V
-
V
R
C
E
CE
CC
C =
=
=
6
-
K
1
K
6
-
R
R
-
A
E
C
v =
=
=
M
1
0.01mA
10.3V
I
V
-
V
R
B
B
CC
B Ω
≈
=
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 55
La parade
La parade
La résistasse R
La résistasse RE
E est découplée
est découplée
par un condensateur qui :
par un condensateur qui :
z
z N'intervient pas en statique,
N'intervient pas en statique,
et R
et RE
E peut jouer son rôle de
peut jouer son rôle de
stabilisation thermique
stabilisation thermique
z
z Se comporte comme un
Se comporte comme un
court
court-
-circuit en dynamique, R
circuit en dynamique, RE
E
n'apparaît pas dans le schéma
n'apparaît pas dans le schéma
équivalent et l'expression du
équivalent et l'expression du
gain est :
gain est :
Vcc
E
B
C
ve
vs
12V
12V
100
100
RC
RB
RE
11
c
v
h
R
A
β
−
=
R
RE
E est présente pour
est présente pour
les courants continus
les courants continus
et absente pour pour
et absente pour pour
les courants alternatifs
les courants alternatifs
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 56
Montage collecteur commun
Montage collecteur commun
On peut se demander à
On peut se demander à
quoi sert ce montage
quoi sert ce montage
puisqu'il a un gain de 1.
puisqu'il a un gain de 1.
C'est ce qu'on va voir !
C'est ce qu'on va voir !
Vcc
E
B
C
ve
vs
RB1
RE
RB2
B C
E
h11
v
e
vs
v h R
v R
e 11 E
s E
= + +
= +
i i
i
b b
b
( )
( )
β
β
1
1
A =
v
v
=
R
h R
v
s
e
E
11 E
( )
( )
β
β
+
+ +
≅
1
1
1
B E
v
e
h11
ib
βib
ie
v
s
RE
ii
i
p
RB
ie
ib
RB
RE
ie
βib
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 57
Impédance d’entrée et de sortie
Impédance d’entrée et de sortie
Le gain en tension seul ne suffit pas à caractériser un
Le gain en tension seul ne suffit pas à caractériser un
amplificateur.
amplificateur.
z
z Vu de l'entrée, l'amplificateur se comporte comme une
Vu de l'entrée, l'amplificateur se comporte comme une
résistance
résistance qu'on appelle
qu'on appelle impédance d'entrée
impédance d'entrée.
.
z
z Vu de la sortie, il se comporte comme un
Vu de la sortie, il se comporte comme un générateur
générateur de
de
tension interne
tension interne Vi = Av
Vi = Av Ve
Ve en série avec une
en série avec une résistance
résistance
qu'on appelle
qu'on appelle l'impédance de sortie
l'impédance de sortie
A
v
ve
Zs
Ze
Ve Vs
i
e i
s
Z
v
i
e
e
e
= Z
v
i
s
s co
s cc
=
)
)
z
z Un
Un bon
bon amplificateur
amplificateur
est caractérisé par :
est caractérisé par :
z
z Ze
Ze très
très relevée
relevée
z
z Zs
Zs très
très faible
faible
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 58
Compromis Gain
Compromis Gain -
- Impédances
Impédances
Émetteur commun
Émetteur commun Collecteur commun
Collecteur commun
11
B
e h
R
Z //
=
Z = R
S C
)
R
(h
//
R
Z E
11
B
e β
+
=
β
= 11
S
h
Z
Reprenons l'exemple
Reprenons l'exemple
précédent
précédent
Av = 230
Av = 230
Z
Ze
e = 1M // 2.6K
= 1M // 2.6K ≈
≈ 2.6 k
2.6 k
Zc
Zc =
= Rc
Rc = 6K
= 6K
Si on prend un C.C. avec
Si on prend un C.C. avec
V
VE
E=6V et I
=6V et IE
E = 1 mA
= 1 mA
R
RE
E=6k, R
=6k, RB
B=530k, h
=530k, h11
11=2.6k
=2.6k
Av = 1
Av = 1
Z
Ze
e ≈
≈ 280 K
280 K
Zc
Zc = 26
= 26 Ω
Ω
On constate que l'E.C. a un bon gain mais des impédance médiocre
On constate que l'E.C. a un bon gain mais des impédance médiocre
alors que le C.C. a un gain médiocre et des impédances très corr
alors que le C.C. a un gain médiocre et des impédances très correctes
ectes
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 59
Application Comparative
Application Comparative
Vcc
E
B
C
vs
RB1
RE
RB2
Vcc
E
B
C
12V
12V
100
100
RC
RB
RE
VE=6V et IE = 1
VE=6V et IE = 1 mA
mA
V
VE
E=5.5
=5.5
V
VCE
CE = 5.5V
= 5.5V
I
IE
E = 1
= 1 mA
mA
5.5k
1k
1030k
AV=-210
Ze=2.6k
Zs=5.5K
AV=1
Ze=282k
Zs=26Ω
Voici 2
Voici 2
montages,
montages,
un EC et un
un EC et un
CC
CC
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 60
Emetteur commun seul
Emetteur commun seul
A
v
ve
Zs
Ze
Ve
Vs=?
i
e
3k
20mV
EC
200Ω
9.3mV
9.3mV
1962mV
1962mV
69mV
69mV
AV=-210
Ze=2.6k
Zs=5.5K
On injecte 20
On injecte 20 mv
mv,
,
on récupère 69 mV
on récupère 69 mV
et pourtant, on a un
et pourtant, on a un
gain de 210
gain de 210
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 61
Emetteur commun suivi du Collecteur commun
Emetteur commun suivi du Collecteur commun
A
v ve
Zs
Ze
Ve
Vs=?
i
e
3k
20mV
EC
A
vve
Zs
Ze
CC
200Ω
9.3mV
9.3mV
1962mV
1962mV
1703 mV
1703 mV
1924.5 mV
1924.5 mV 1924.5mV
1924.5mV
AV=-210
Ze=2.6k
Zs=5.5K
AV=1
Ze=282k
Zs=26Ω
on récupère
on récupère
1703 mV
1703 mV
C’est mieux
C’est mieux
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 62
Amplificateur Opérationnel
Amplificateur Opérationnel
z Amplificateur Différentiel á très grand gain :
Vs = A Ve avec A > 106
z Très grande Impédance d’entrée ∼ ∞
Ö Courants d’entrée nuls
z Très faible impédance de sortie
+
-
Ve Vs
A
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 63
Mode de fonctionnement linéaire
Mode de fonctionnement linéaire
z Ampli Op alimenté entre Vcc et Vee
Vcc < Vs < Vee soit Vs = qq Volts
z Comme A est très grand
(V+ - V-) ≈ 0
+
-
Ve Vs
A
Vcc
Vee
V
V+
+ = V
= V-
-
V
VS
S = A (V
= A (V+
+ -
- V
V-
-)
)
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 64
Amplificateur inverseur
Amplificateur inverseur
virtuelle
masse
0
V
0
V →
=
⇒
= −
+
+
-
Ve
Vs
R2
R1
i
i
e
s v
R
R
v
1
2
−
=
i
R
-
v
i
R
v
2
s
1
e
=
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 65
Amplificateur Non Inverseur
Amplificateur Non Inverseur
e
e v
V
v
V =
⇒
= −
+
i
R
v
-
v
i
R
v
2
e
s
1
e
=
=
e
1
2
e
1
2
e
s v
R
R
1
v
R
R
v
v ⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+
=
+
=
e
1
2
s v
R
R
1
v ⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+
=
+
-
vs
R2
R1
i
i
ve
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 66
Montage suiveur
Montage suiveur
e
s v
v =
∞
=
Ze 0
Zs =
+
-
vs
ve
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 67
Sommateur
Sommateur inverseur
inverseur
+
-
vs
RB
R1
i
v1
v2
R2
i1
i2
)
v
v
(
R
R
V 2
1
A
B
s +
−
=
2
1
2
2
2
1
1
1
i
i
i
i
R
v
i
R
v
+
=
=
=
i
R
-
v B
s =
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+
−
=
2
2
1
1
B
s
R
V
R
V
R
V
A
2
1 R
R
R
avec =
=
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 68
Sommateur
Sommateur Non Inverseur
Non Inverseur
+
-
vs
R B
R A
R 1
ve1
ve2
R 2
v
R v R v
R R
+
=
+
+
2 1 1 2
1 2
v
R
R R
v
A
A B
s
−
=
+
R v R v
R R
R
R R
v
A
A B
s
2 1 1 2
1 2
+
+
=
+ ( )
( )
v
R R
R R R
R v R v
s
A B
A
=
+
+
+
1 2
2 1 1 2
( )
v
R R
R
v v
s
A B
A
=
+
+
2 1 2
v v v
s = +
1 2
Si R
Si R1
1 = R
= R2
2
Si en plus R
Si en plus RA
A = R
= RB
B
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 69
Amplificateur différentiel
Amplificateur différentiel
v
R
R R
v
+
=
+
2
1 2
2
v
R v R v
R R
B A S
A B
−
=
+
+
1
R
R R
v
R v
R R
R v
R R
B
A B
A S
A B
2
1 2
2
1
+
=
+
+
+
v
R R
R
R
R R
v
R
R R
v
s
A B
A
B
A B
=
+
+
−
+
⎛
⎝
⎜
⎞
⎠
⎟
2
1 2
2 1
v v v
s = −
2 1
Si
Si R
R1
1 = R
= R2
2 et
et R
RA
A = R
= RB
B
+
-
vs
R B
RA
R 1
v1
v2
R 2
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 70
Montage
Montage integrateur
integrateur
v Ri
e =
i
v
R
e
=
Q CVC
=
dt
dv
C
dt
dQ
i C
=
=
S
C
1
c v
dt
)
t
(
i
v −
=
= ∫
v v t dt
s CR e
= − ∫
1
( )
s
c v
-
v =
+
-
vs
C
i
ve
masse virtuelle
vC
i
R
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 71
Montage dérivateur
Montage dérivateur
i C
dV
dt
C
dv
dt
C e
= =
v Ri
s = −
v RC
dv
dt
s
e
= −
e
c v
v =
+
-
vs
C
i
ve
masse virtuelle
vC
i
R

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  • 1. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 1 Électronique Électronique Fondamentale Fondamentale A. OUMNAD
  • 2. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 2 SOMMAIRE SOMMAIRE z Notions générales d’Électricité et d’Électronique z Conducteurs et Semi-Conducteur z La diode et ses applications z Le transistor et ses applications z L’Amplificateur opérationnel et ses applications
  • 3. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 3 Loi d’Ohm Loi d’Ohm I R U + - U = R I zU en Volt (V) zR en Ohm (Ω) zI en Ampère (A) Opposition Cause Effet
  • 4. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 4 CONVENSION CONVENSION z flèches de la tension et du courant en sens inverse z Tension ≡ différence de potentiel z La flèche de la tension pointe vers le point de potentiel élevé " + chaud " , "qui pousse" R A B U = Va - Vb I
  • 5. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 5 La masse La masse A C B VA VB VC U La borne ( La borne (- -) de l'alimentation est prise comme point ) de l'alimentation est prise comme point de référence (V=0) par rapport auquel sont mesurés de référence (V=0) par rapport auquel sont mesurés les tensions de tous les points du montage les tensions de tous les points du montage
  • 6. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 6 Résistances Résistances chiffres significatifs nombre de zéros tolérance Noir Maron Rouge Orange jaune Vert Bleu Violet Gris Blanc 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 5600 Ω = 5.6 k Ω ± 5% chiffres significatifs nombre de zéros tolérance 47500 Ω = 47.5 k Ω ± 2%
  • 7. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 7 Exemples Exemples …….. Ω = …….. k Ω ± % …….. Ω = …….. k Ω ± % …….. Ω = …….. k Ω ± % Noir Maron Rouge Orange jaune Vert Bleu Violet Gris Blanc 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
  • 8. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 8 Association des résistances Association des résistances R1 R2 R = R1+R2 R1 R2 R = R1+R2 R1R2
  • 9. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 9 Exemple Exemple 1 kΩ 20 kΩ 10 kΩ 40 kΩ R = …………. kΩ
  • 10. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 10 Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs V2 V1 U V3 R1 R2 R3 R4 I1 I2 I3 V1=R1 I1 V2=R2 I1 V3=R3 I2= R4 I3 U = V1+V2+V3 U = R1 I1 + R2 I1 + R3 I2 Ou U = R1 I1 + R2 I1 + R4 I3
  • 11. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 11 Puissance Puissance P = U I Un composant ayant une tension U à ses bornes et Un composant ayant une tension U à ses bornes et qui est traversé par un courant I dissipe une qui est traversé par un courant I dissipe une puissance P puissance P zU en Volt (V) zI en Ampère (A) zP en Watt (W) R U RI UI P 2 2 = = = Pour une résistance :
  • 12. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 12 Diviseur de potentiel 1 Diviseur de potentiel 1 U R1 R2 V = R1+R2 R2 U
  • 13. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 13 Diviseur de potentiel 2 Diviseur de potentiel 2 U1 R1 R2 U2 U R R R U R R R V 2 1 2 1 1 2 1 2 + + + =
  • 14. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 14 Diviseur de potentiel 3 Diviseur de potentiel 3 U1 R1 R2 U2 U3 3 2 1 3 2 2 1 1 R 1 R 1 R 1 U R 1 U R 1 U R 1 V + + + + = 3 R3 Theoreme de Milmene
  • 15. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 15 Condensateur Condensateur Condensateur Réservoir Le condensateur est un composant passif qui trouve de Le condensateur est un composant passif qui trouve de multiples Applications en électronique. Pour simplifier multiples Applications en électronique. Pour simplifier on peut le considérer comme un réservoir dont la on peut le considérer comme un réservoir dont la capacité C s'exprime en Farad (F) capacité C s'exprime en Farad (F)
  • 16. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 16 Charge et décharge d'un condensateur à travers une résistance Charge et décharge d'un condensateur à travers une résistance R C K1 K2 Vc E
  • 17. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 17 Charge : K1 fermé K2 ouvert Charge : K1 fermé K2 ouvert t Vc I E R C Vc E I zAu début ‰ Courant important ‰ Charge rapide zVers la fin ‰ Courant tend vers 0 ‰ Vc tend vers E ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ = RC t - C e - 1 E V R E Cte des temps
  • 18. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 18 Déharge Déharge : K2 fermé K1 ouvert : K2 fermé K1 ouvert t Vc I E R C Vc I zAu début ‰ Courant important ‰ Décharge rapide zVers la fin ‰ Vc tend vers 0 ‰ Le courant tend vers 0 RC t - C e E V = R E
  • 19. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 19 En général En général ( ) RC t - 0 e V - V - V V(t) ∞ ∞ = t Vc V3 V1 V2 V4 ( ) ( ) RC t - 2 4 4 e V V - V t V − = ( ) ( ) RC t - 3 1 1 e V V - V t V − = On place l'origine des temps au début de la courbe qui nous intéresse et on utilise la relation :
  • 20. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 20 Exemple : calculer la période T Exemple : calculer la période T t E 2 E 2 E − -E 2 T T ( ) ( ) ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − = − − − − = 1 e 2 3 E e 2 E E E t V RC t - RC t - 2 E ) 2 T ( V − = 2 E 1 e 2 3 E 2RC T - − = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ) 3 ( Log RC 2 T =
  • 21. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 21 Association de condensateurs Association de condensateurs Parallèle Série C1 C1 C=C1+C2 C2 C= C1C2 C1+C2 C2
  • 22. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 22 Conducteur et semi conducteurs Conducteur et semi conducteurs
  • 23. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 23 Dans un solide on trouve trois catégories d'électrons : zLes électrons des couches inférieures ¾ fortement liés à leurs noyaux ¾ Pas beaucoup d'intérêt pour l'électronique zLes électrons de valence ¾ Gravitent autour de deux noyaux ¾ Énergie dans la bande de valence zLes électrons libre ¾ Se déplace librement dans le cristal ¾ Énergie dans la bande de conduction Niveaux d'énergie des électrons Niveaux d'énergie des électrons Énergie Bande de conduction Bande de valence Bande interdite = gap
  • 24. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 24 Conducteur Conducteur z Les Bandes de conduction et de valence se chevauchent, il n'y a pas de gap z L'agitation thermique suffit largement pour libérer les électrons (amener leur énergie dans la bande de conduction) z Chaque atome libère au moins un électron z Nombre très important d'électrons libres z Le branchement d'un générateur de tension produit un champs électrique qui attire les électrons produisant un courant important
  • 25. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 25 Les isolants Les isolants z Les Bandes de conduction et de valence sont séparée par un gap très important z L'agitation thermique même à température élevée ne parvient pas à libérer les électrons. z Aucun électron libre z Le branchement d'un générateur ne produit aucun courant
  • 26. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 26 Les semi Les semi- -conducteurs (intrinsèques) conducteurs (intrinsèques) z Constitués de matériaux tétravalent purs comme le silicium ou le germanium (4 électrons de valence) z Le gap a une largeur relativement faible (1 eV) z A très basse température (0°K), les SC intrinsèques sont parfaitement isolants. z L'agitation thermique à la température ambiante suffit pour libérer un nombre d'électrons relativement important z La conductivité d'un SC dépend donc fortement de la température. z Un atome qui perd un électron devient un ion positif. Le manque d'électron est désigné par trou.
  • 27. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 27 Les Deux types de conduction Les Deux types de conduction I 1 2 3 4 5 6 Conduction = déplacement d'une charge électrique zConduction par électrons libre (charge négative) zConduction par trou : un trou (charge positive) peut se déplacer provoquant un courant zLa conduction par trou est plus lente que la conduction par électrons libres
  • 28. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 28 SC Extrinsèque de type N SC Extrinsèque de type N z On introduit un matériau pentavalent (donneur) avec 5 électrons sur la couche de valence comme antimoine, phosphore ou arsenic z Chaque atome introduit un électron libre sans laisser de trou z Le nombre d'électrons est bien plus important que celui des trous. Ce sont les porteur majoritaires z La conduction est essentiellement une conduction d'électrons électron libre Si Si Si Si P
  • 29. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 29 SC extrinsèque de type P SC extrinsèque de type P z On introduit un matériau (accepteur) avec 3 électrons sur la couche de valence comme le bore, l'aluminium, le gallium ou l'indium z Chaque atome introduit un trou sans libérer d'électron z Le nombre de trou est bien plus important que celui des électrons. Ce sont les porteur majoritaires z La conduction est essentiellement une conduction de trou Trou Si Si Si Si In
  • 30. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 30 La diode La diode La diode est un composant qui ne laisse La diode est un composant qui ne laisse passer le courant électrique que dans un passer le courant électrique que dans un seul sens seul sens Elle est réalisée à l'aide d'une Elle est réalisée à l'aide d'une jonction PN jonction PN obtenue en collant un SC (N) à un SC (P) d'où obtenue en collant un SC (N) à un SC (P) d'où l'appellation l'appellation diode à Jonction diode à Jonction P N anode cathode A A K K
  • 31. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 31 Polarisation de la diode Polarisation de la diode Une diode est polarisée en Une diode est polarisée en directe directe si on applique une si on applique une alimentation avec (+ sur A) et ( alimentation avec (+ sur A) et (- - sur K), la diode est alors sur K), la diode est alors passante passante ou ou conductrice conductrice A A - - + + K K Une diode est polarisée en Une diode est polarisée en inverse inverse si on applique une si on applique une alimentation avec (+ sur K) et ( alimentation avec (+ sur K) et (- - sur A), la diode est alors sur A), la diode est alors bloquée, bloquée, aucun courant ne la aucun courant ne la traverse traverse - - + + A A K K I I
  • 32. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 32 Caractéristique de la diode Caractéristique de la diode A A - - + + I I V V 0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 40 50 60 70 80 V D ID (mA) (V) La diode a un La diode a un seuil seuil de conduction. de conduction. Elle commence à conduire Elle commence à conduire doucement vers V doucement vers VD D de l'ordre de de l'ordre de 0.3V . Elle est franchement 0.3V . Elle est franchement conductrice quand Vd est de l'ordre conductrice quand Vd est de l'ordre de 0.7V de 0.7V Pour faciliter, on adopte une Pour faciliter, on adopte une caractéristique idéalisée : caractéristique idéalisée : z z V VD D < 0.7 V < 0.7 V ⇒ ⇒ diode diode Bloqu Bloqué ée e z z V VD D = 0.7 V = 0.7 V ⇒ ⇒ diode diode conductrice conductrice z z Le courant doit être limit Le courant doit être limité é avec avec une r une ré ésistance externe sistance externe 0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 40 50 60 70 80 V D ID (mA) (V)
  • 33. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 33 Comment calculer ? Comment calculer ? Diode conductrice = tension de 0.7V Diode conductrice = tension de 0.7V Diode bloquée = interrupteur ouvert Diode bloquée = interrupteur ouvert I I U U R R U = 15 V U = 15 V R = 1 k R = 1 kΩ Ω Calculer I et le tension aux Calculer I et le tension aux borne de R borne de R V 14.3 0.7 - 15 V - U V V V U ou V 14.3 mA 14.3 1000 RI V mA 3 . 14 1000 7 . 0 15 R V U I V RI U D R D R R D D = = = ⇒ + = = × Ω = = = − = − = + =
  • 34. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 34 Redressement mono alternance Redressement mono alternance L'objectif est de partir de la tension alternative L'objectif est de partir de la tension alternative issue du secteur pour obtenir une tension continue issue du secteur pour obtenir une tension continue Permettant d'alimenter les circuit électroniques Permettant d'alimenter les circuit électroniques Ve > 0 Ve > 0 ⇒ ⇒ diode conductrice diode conductrice ⇒ ⇒ interrupteur fermé interrupteur fermé ⇒ ⇒ V VL L = = Ve Ve Ve Ve > 0 > 0 ⇒ ⇒ diode bloqu diode bloqué ée e ⇒ ⇒ interrupteur ouvert interrupteur ouvert ⇒ ⇒ V VL L = 0 = 0 IL VL RL Secteur Ve Ve VL [ ] π θ π θ θ π π π E ) cos( 2 E d ) sin( E 2 1 V 0 0 L = − = = ∫
  • 35. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 35 double alternance double alternance – – transfo 3 fils transfo 3 fils IL Secteur RL D1 D2 V1 V2 VL IL Secteur RL D1 V1 V2 VL IL Secteur RL D2 V1 V2 VL V1 V2 VL
  • 36. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 36 double alternance double alternance – – transfo 2 fils transfo 2 fils [ ] π θ π θ θ π π π E 2 ) cos( E d ) sin( E 1 V 0 0 L = − = = ∫ IL R Secteur L L V Ve D1 D2 D3 D4 IL R Secteur L L V Ve D1 D2 IL R Secteur L L V Ve D3 D4 VL V1
  • 37. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 37 Filtrage par condensateur en tête Filtrage par condensateur en tête IL RL VL Secteur Ve C Cf 2 I Cf R 2 E V L L ≈ = Δ VL 2ΔV Ondulation Secteur D1 D2 C IL RL VL 2ΔV Cf 4 I Cf R 4 E V L L ≈ = Δ
  • 38. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 38 Position du problème Position du problème On désire réaliser une alimentation On désire réaliser une alimentation 6V, 100 mA, 6V, 100 mA, Δ ΔV=0.2V V=0.2V. Il faut choisir le transfo et le condensateur . Il faut choisir le transfo et le condensateur Avec un double alternance on obtient C=1250 Avec un double alternance on obtient C=1250 µ µF F On prend On prend C= 2200 C= 2200 µ µF F, cela compensera un peu les , cela compensera un peu les effets non pris en compte. effets non pris en compte. Avec un transfo Avec un transfo à à point milieu on a : point milieu on a : Vmax Vmax = tension d = tension dé ésir siré ée + e + Δ ΔV + V V + VD D = 6+0.2+0.7 = 6+0.2+0.7 ≈ ≈ 7V 7V Avec un pont : Avec un pont : Vmax Vmax = 6+0.2+0.7+0.7 = 6+0.2+0.7+0.7 ≈ ≈ 7.6V 7.6V Veff Veff = 7 / = 7 / √ √2 = 2 = 5V 5V ou 7.6 / ou 7.6 / √ √2 = 2 = 5.37V 5.37V L'exp L'expé érience montre que les transfo du commerce ne rience montre que les transfo du commerce ne sont pas de tr sont pas de trè ès grande qualit s grande qualité é, , " "d dè ès qu'on les charge s qu'on les charge il se casse la gueule" il se casse la gueule" On prendra donc un transfo On prendra donc un transfo 2 2× ×6V , (200 mA ou +) 6V , (200 mA ou +)
  • 39. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 39 Le transistor à jonction Le transistor à jonction Le transistor est constitué de 3 couches de semi Le transistor est constitué de 3 couches de semi- -conducteurs. On conducteurs. On distingue les transistor NPN et les transistor PNP distingue les transistor NPN et les transistor PNP N P N B C E E C B P N P B C E E C B Il a trois bornes: Il a trois bornes: z z La La base base traversée par le courant traversée par le courant I IB B, est le plus souvent utilisée , est le plus souvent utilisée comme l'entrée de commande comme l'entrée de commande z z Le Le collecteur collecteur, traversé par le courant , traversé par le courant I IC C, est le plus souvent utilisé , est le plus souvent utilisé comme de sortie comme de sortie z z L'émetteur L'émetteur traversé par le courant traversé par le courant I IE E, est le plus souvent utilisé , est le plus souvent utilisé comme comme réference réference
  • 40. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 40 Caractéristique du transistor Caractéristique du transistor Le transistor est un Le transistor est un amplificateur de courant amplificateur de courant, il , il est caractérisé par la relation fondamentale : est caractérisé par la relation fondamentale : I IC C = =β β I IB B Ic (mA) Vce =20µA 80µA 60µA 40µA 100µA 120µA 140µA 2 4 6 8 10 12 14 16 IB 160µA On constate aussi : On constate aussi : z z I IE E = I = IC C + I + IB B z z La jonction ( La jonction (diode diode) base ) base- -émetteur émetteur détermine l'état du transistor, quand détermine l'état du transistor, quand elle conduit il conduit, et on a elle conduit il conduit, et on a V VBE BE=0.7V =0.7V z z La tension V La tension VCE CE est imposée par le est imposée par le circuit extérieur circuit extérieur z z La jonction base La jonction base- -collecteur collecteur fonctionne en inverse à cause de fonctionne en inverse à cause de l'effet transistor, l'effet transistor, "il vaut mieux "il vaut mieux l'oublier" l'oublier" E C B IC IE IB
  • 41. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 41 z z On détermine le courant IB en écrivant la On détermine le courant IB en écrivant la loi d'ohm dans la maille d'entrée loi d'ohm dans la maille d'entrée Vcc = R Vcc = RB B I IB B + 0.7 + R + 0.7 + RE E I IE E β β est en g est en gé én né éral > 100 , ral > 100 , I IC C ≈ ≈ I IE E z z I IC C en découle puisque en découle puisque I IC C = = β β I IB B z z La tension V La tension VCE CE est d est dé étermin terminé ée en e en é écrivant crivant la loi d'ohm dans la maille de sortie la loi d'ohm dans la maille de sortie Vcc = R Vcc = RC C I IC C + V + VCE CE + R + RE E I IE E (I (IC C ≈ ≈ I IE E) ) V VCE CE = V = Vcc cc- - ( (R RC C + R + RE E) I ) IC C Polarisation du transistor Polarisation du transistor Polariser le transistor c'est le faire conduire à l'aide d'une Polariser le transistor c'est le faire conduire à l'aide d'une alimentation continue alimentation continue et un circuit de polarisation pour le mettre et un circuit de polarisation pour le mettre dans un état donné par (I dans un état donné par (IB B, I , IC C, V , VCE CE) ) Vcc Rc Rb Ic Ib E B C RE Polarisation par une résistance de base Polarisation par une résistance de base E B cc B R R 7 . 0 V I β + − =
  • 42. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 42 Polarisation par une résistance de base : Exemple 1 Polarisation par une résistance de base : Exemple 1 Calculer I Calculer IB B, I , IC C, V , VCE CE, V , VE E, V , VB B Vcc Rc Rb Ic Ib E B C RE 1k 1k 750K 750K 4K 4K 100 100 12V 12V µA 13.3 K 850 11.3V 1K 100 750K 0.7V - 12V IB = = × + = mA 1.33 µA 13.3 100 I I B C = × = β = V 5.35 mA 1.33 1K) (4K - 12V VCE = × + = 1.33V mA 1.33 1K I R V C E E = × = = 2V 0.7V 1.33V V 0.7 V V E B ≈ + = + =
  • 43. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 43 Polarisation par résistance de base : exemple 2 Polarisation par résistance de base : exemple 2 Calculer les résistances pour avoir V Calculer les résistances pour avoir VE E=2V, I =2V, IC C=1mA, V =1mA, VCE CE=5V =5V Vcc Rc Rb Ic Ib E B C RE 100 100 12V 12V K 2 mA 1 2V R I R V E C E E = = ⇒ = K 5 mA 1 V 5 R 5V 2 - 5 - 12 I R V V I R V C C C E CE C C CC = = ⇒ = = ⇒ + + = K 930 mA 0.01 2.7 - 12 R I R V - V B B B B CC = = =
  • 44. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 44 Polarisation par pont Polarisation par pont Vcc Rc RB1 Ic IB E B C RE RB2 I1 I2 Pour faciliter le calcul, R Pour faciliter le calcul, RB1 B1 et R et RB2 B2 sont choisies de sorte que I sont choisies de sorte que I1 1 soit au moins 10 fois > à I soit au moins 10 fois > à IB B ce qui permet de négliger I ce qui permet de négliger IB B et et d'écrire I d'écrire I1 1 = I = I2 2 = I = IP P et de considérer que V et de considérer que VB B ne dépend que de ne dépend que de R RB1 B1 et R et RB2 B2 )I R R ( - V V I R V I R V I et I I R V 0.7V - V V V R R R V C E C CC CE C E CE C C cc B C C E E B E CC 2 B 1 B 2 B B + ≈ + + ≈ ⇒ ≈ ≈ + ≈
  • 45. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 45 Polarisation par pont : exemple 1 Polarisation par pont : exemple 1 Vcc Rc RB1 Ic IB E B C RE RB2 I1 I2 56K 56K 10K 10K 2K 2K 10K 10K 12V 12V 100 100 Calculer V Calculer VB B, V , VE E, I , IC C, I , IB B, V , VCE CE, V , VC C V 82 . 1 V 12 k 66 k 10 V R R R V cc 2 B 1 B 2 B B = × = + ≈ V 5.3 0.56mA 12K - V 12 )I R R ( - V V C E C CC CE ≈ × = + ≈ 1.12V 0.7 - 1.82 0.7V - V V B E = = = mA 0.56 K 2 V 12 . 1 R V I I E E E C = = = ≈ µA 5.6 100 560µA I I C B = = β = 6.4V 5.28V 1.12V V V V CE E C = + = + =
  • 46. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 46 Polarisation par pont : Exemple 2 Polarisation par pont : Exemple 2 Calculer les résistances pour avoir : Calculer les résistances pour avoir : V VE E=2V, I =2V, IC C=1mA, V =1mA, VCE CE=5V, I =5V, IP P = 20 x I = 20 x IB B mA 0.2 100 1mA 20 IP = × = K 60 mA 2 . 0 V 12 I V R R P CC 2 B 1 B = = = + K 13.5 mA 0.2 2.7V I V R P B 2 B = = = 46.5K 13.5K - K 60 R - 60K R 2 B 1 B = = = Vcc Rc RB1 Ic IB E B C RE RB2 IP 12V 12V 100 100 IP K 2 1mA 2V I V R C E E = = = K 5 1mA 2V - 5V - 12V I V - V - V R C E CE cc C = = =
  • 47. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 47 Transistor bipolaire en amplification Transistor bipolaire en amplification to ΔI B t I B0 to ΔI C = β ΔI B t I C0 I C I B to t V CE0 V CE Le transistor étant polarisé, que se Le transistor étant polarisé, que se passe passe- -t t- -il si on fait varier légèrement I il si on fait varier légèrement IB B autour de sa position de repos I autour de sa position de repos IB0 B0 ? ? z zSi I Si IB B Ê Ê alors I alors IC C Ê Ê β β fois + vite fois + vite z zSi I Si IB B Ì Ì alors I alors IC C Ì Ì β β fois + vite fois + vite z zV VCE CE = V = Vcc cc- - ( (R RC C + R + RE E) I ) IC C donc si I donc si IC C varie alors V varie alors VCE CE varie varie (R (RC C+R +RE E) fois plus vite mais en ) fois plus vite mais en opposition de phase opposition de phase L'effet d'amplification apparaît L'effet d'amplification apparaît donc clairement. Les variation donc clairement. Les variation obéissent à deux lois : obéissent à deux lois : z z La caractéristique du transistor : La caractéristique du transistor : I IC C= =β βI IB B z z La loi d'Ohm dans le circuit de La loi d'Ohm dans le circuit de sortie ( sortie (droite de charge droite de charge) )
  • 48. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 48 Illustration graphique de l’amplification Illustration graphique de l’amplification Illustration graphique de l'amplification du transistor bipolair Illustration graphique de l'amplification du transistor bipolaire e z z La droite I La droite IC C= =β βI IB B donne la variation de I donne la variation de IC C en fonction de I en fonction de IB B z z La droite de charge La droite de charge V VCE CE = V = Vcc cc- - ( (R RC C + R + RE E) I ) IC C donne les donne les variation de V variation de VCE CE en fonction de I en fonction de IC C 2 4 6 8 10 12 Vce I c IB 2 1 10 20 (mA) (V) (µA) V V CE CE = V = V cc cc - - ( (R R C C + R + R E E ) I ) IC C I IC C = = β β I IB B
  • 49. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 49 Capacité de liaison Capacité de liaison Pour appliquer le signal d'entrée à amplifier et prélever le Pour appliquer le signal d'entrée à amplifier et prélever le signal de sortie amplifié signal de sortie amplifié (signaux alternatifs) (signaux alternatifs) sans sans perturber le point de fonctionnement statique du montage, perturber le point de fonctionnement statique du montage, on fait appel à des capacités de liaison qui laissent passer on fait appel à des capacités de liaison qui laissent passer l'alternatif mais pas le continu l'alternatif mais pas le continu Vcc E B C ve vs
  • 50. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 50 Schéma équivalent du transistor vis Schéma équivalent du transistor vis- -à à- -vis des variations vis des variations Autour d'un point de polarisation, les relations entre les Autour d'un point de polarisation, les relations entre les faibles variations sont décrite d'une façon faibles variations sont décrite d'une façon simplifiée simplifiée par : par : ⎩ ⎨ ⎧ β = = B C B 11 BE i i i h v Le terme h Le terme h11 11 donne la relation entre une tension et un donne la relation entre une tension et un courant, il est donc homogène à une résistance. courant, il est donc homogène à une résistance. On obtient donc le schéma équivalent ci On obtient donc le schéma équivalent ci- -dessous. dessous. B C E h11 βib E ib ic vbe vce Chaque transistor a sa propre Chaque transistor a sa propre valeur de h valeur de h11 11, une valeur , une valeur approximative est donnée par : approximative est donnée par : ( )mA E 11 I 26 h β =
  • 51. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 51 Montage émetteur commun Montage émetteur commun Gain en tension Gain en tension Ce montage tire son nom du fait que Ce montage tire son nom du fait que l'émetteur est relié à la masse. l'émetteur est relié à la masse. Dans le schéma équivalent pour les Dans le schéma équivalent pour les variation : variation : z z les condensateur sont des court les condensateur sont des court- - circuits circuits z z L'alimentation est une masse car L'alimentation est une masse car sa valeur ne peut varier sa valeur ne peut varier z z R RB B = R = RB1 B1 // R // RB2 B2 Vcc E B C ve vs ve vS Rc iC RB h11 B C βiB iB iC E RB1 RB2 v h i e b = 11 v R i R i s c c c b = − = − β A v v R h v s e c = = − β 11
  • 52. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 52 Emetteur commun avec résistance d’émetteur Emetteur commun avec résistance d’émetteur Le montage décrit ci Le montage décrit ci- -dessus présente l'inconvénient dessus présente l'inconvénient d'instabilité d'instabilité thermique thermique. On y remédie en introduisant une résistance d'émetteur. . On y remédie en introduisant une résistance d'émetteur. Vcc E B C ve vs B C E h11 β iB iB iC ve vS Rc RB iC RE ( ) v h i R i h R i e b E b E b = + + = + + 11 11 1 1 ( ) ( ) β β v R i R i s c c c b = − = − β A v v R h R R R v s e c E C E = = − + + ≈ − β β 11 1 ( )
  • 53. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 53 Application numérique 1 Application numérique 1 Cet amplificateur a un Cet amplificateur a un gain de 230 qui est une gain de 230 qui est une valeur tout valeur tout à à fait fait respectable pour ce respectable pour ce genre d'amplificateur genre d'amplificateur Polarisation Polarisation : : calculer les résistances pour avoir calculer les résistances pour avoir V VCE CE = 6V, I = 6V, IC C = 1mA = 1mA Étude dynamique : Étude dynamique : Calculer h Calculer h11 11 et le gain en tension Av et le gain en tension Av 230 - 2.6k 6k 100 - h R - A 11 c v ≈ × = β = ( ) Ω = β = 2600 I 26 h mA E 11 Vcc E B C ve vs 12V 12V 100 100 RC RB K 6 1mA 6V I V - V R C CE CC C = = = M 1.13 0.01mA 11.3V I V - V R B BE CC B Ω = = =
  • 54. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 54 Application numérique 2 Application numérique 2 La r La ré ésistance R sistance RE E a un rôle de a un rôle de stabilisation thermique mais stabilisation thermique mais elle a une influence elle a une influence n né éfaste faste sur du gain sur du gain en tension. Il va en tension. Il va falloir trouver une falloir trouver une parade parade. . Polarisation Polarisation : : calculer les résistances pour avoir : calculer les résistances pour avoir : V VCE CE = 5V, V = 5V, VE E = 1V, I = 1V, IC C = 1mA = 1mA Étude dynamique : Étude dynamique : Calculer h Calculer h11 11 et le gain en tension et le gain en tension ( ) Ω = β = 2600 I 26 h mA E 11 Vcc E B C ve vs 12V 12V 100 100 RC RB RE K 1 1mA 1V I V R E E E = = = K 6 1mA 6V I V - V - V R C E CE CC C = = = 6 - K 1 K 6 - R R - A E C v = = = M 1 0.01mA 10.3V I V - V R B B CC B Ω ≈ = =
  • 55. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 55 La parade La parade La résistasse R La résistasse RE E est découplée est découplée par un condensateur qui : par un condensateur qui : z z N'intervient pas en statique, N'intervient pas en statique, et R et RE E peut jouer son rôle de peut jouer son rôle de stabilisation thermique stabilisation thermique z z Se comporte comme un Se comporte comme un court court- -circuit en dynamique, R circuit en dynamique, RE E n'apparaît pas dans le schéma n'apparaît pas dans le schéma équivalent et l'expression du équivalent et l'expression du gain est : gain est : Vcc E B C ve vs 12V 12V 100 100 RC RB RE 11 c v h R A β − = R RE E est présente pour est présente pour les courants continus les courants continus et absente pour pour et absente pour pour les courants alternatifs les courants alternatifs
  • 56. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 56 Montage collecteur commun Montage collecteur commun On peut se demander à On peut se demander à quoi sert ce montage quoi sert ce montage puisqu'il a un gain de 1. puisqu'il a un gain de 1. C'est ce qu'on va voir ! C'est ce qu'on va voir ! Vcc E B C ve vs RB1 RE RB2 B C E h11 v e vs v h R v R e 11 E s E = + + = + i i i b b b ( ) ( ) β β 1 1 A = v v = R h R v s e E 11 E ( ) ( ) β β + + + ≅ 1 1 1 B E v e h11 ib βib ie v s RE ii i p RB ie ib RB RE ie βib
  • 57. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 57 Impédance d’entrée et de sortie Impédance d’entrée et de sortie Le gain en tension seul ne suffit pas à caractériser un Le gain en tension seul ne suffit pas à caractériser un amplificateur. amplificateur. z z Vu de l'entrée, l'amplificateur se comporte comme une Vu de l'entrée, l'amplificateur se comporte comme une résistance résistance qu'on appelle qu'on appelle impédance d'entrée impédance d'entrée. . z z Vu de la sortie, il se comporte comme un Vu de la sortie, il se comporte comme un générateur générateur de de tension interne tension interne Vi = Av Vi = Av Ve Ve en série avec une en série avec une résistance résistance qu'on appelle qu'on appelle l'impédance de sortie l'impédance de sortie A v ve Zs Ze Ve Vs i e i s Z v i e e e = Z v i s s co s cc = ) ) z z Un Un bon bon amplificateur amplificateur est caractérisé par : est caractérisé par : z z Ze Ze très très relevée relevée z z Zs Zs très très faible faible
  • 58. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 58 Compromis Gain Compromis Gain - - Impédances Impédances Émetteur commun Émetteur commun Collecteur commun Collecteur commun 11 B e h R Z // = Z = R S C ) R (h // R Z E 11 B e β + = β = 11 S h Z Reprenons l'exemple Reprenons l'exemple précédent précédent Av = 230 Av = 230 Z Ze e = 1M // 2.6K = 1M // 2.6K ≈ ≈ 2.6 k 2.6 k Zc Zc = = Rc Rc = 6K = 6K Si on prend un C.C. avec Si on prend un C.C. avec V VE E=6V et I =6V et IE E = 1 mA = 1 mA R RE E=6k, R =6k, RB B=530k, h =530k, h11 11=2.6k =2.6k Av = 1 Av = 1 Z Ze e ≈ ≈ 280 K 280 K Zc Zc = 26 = 26 Ω Ω On constate que l'E.C. a un bon gain mais des impédance médiocre On constate que l'E.C. a un bon gain mais des impédance médiocre alors que le C.C. a un gain médiocre et des impédances très corr alors que le C.C. a un gain médiocre et des impédances très correctes ectes
  • 59. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 59 Application Comparative Application Comparative Vcc E B C vs RB1 RE RB2 Vcc E B C 12V 12V 100 100 RC RB RE VE=6V et IE = 1 VE=6V et IE = 1 mA mA V VE E=5.5 =5.5 V VCE CE = 5.5V = 5.5V I IE E = 1 = 1 mA mA 5.5k 1k 1030k AV=-210 Ze=2.6k Zs=5.5K AV=1 Ze=282k Zs=26Ω Voici 2 Voici 2 montages, montages, un EC et un un EC et un CC CC
  • 60. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 60 Emetteur commun seul Emetteur commun seul A v ve Zs Ze Ve Vs=? i e 3k 20mV EC 200Ω 9.3mV 9.3mV 1962mV 1962mV 69mV 69mV AV=-210 Ze=2.6k Zs=5.5K On injecte 20 On injecte 20 mv mv, , on récupère 69 mV on récupère 69 mV et pourtant, on a un et pourtant, on a un gain de 210 gain de 210
  • 61. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 61 Emetteur commun suivi du Collecteur commun Emetteur commun suivi du Collecteur commun A v ve Zs Ze Ve Vs=? i e 3k 20mV EC A vve Zs Ze CC 200Ω 9.3mV 9.3mV 1962mV 1962mV 1703 mV 1703 mV 1924.5 mV 1924.5 mV 1924.5mV 1924.5mV AV=-210 Ze=2.6k Zs=5.5K AV=1 Ze=282k Zs=26Ω on récupère on récupère 1703 mV 1703 mV C’est mieux C’est mieux
  • 62. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 62 Amplificateur Opérationnel Amplificateur Opérationnel z Amplificateur Différentiel á très grand gain : Vs = A Ve avec A > 106 z Très grande Impédance d’entrée ∼ ∞ Ö Courants d’entrée nuls z Très faible impédance de sortie + - Ve Vs A
  • 63. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 63 Mode de fonctionnement linéaire Mode de fonctionnement linéaire z Ampli Op alimenté entre Vcc et Vee Vcc < Vs < Vee soit Vs = qq Volts z Comme A est très grand (V+ - V-) ≈ 0 + - Ve Vs A Vcc Vee V V+ + = V = V- - V VS S = A (V = A (V+ + - - V V- -) )
  • 64. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 64 Amplificateur inverseur Amplificateur inverseur virtuelle masse 0 V 0 V → = ⇒ = − + + - Ve Vs R2 R1 i i e s v R R v 1 2 − = i R - v i R v 2 s 1 e = =
  • 65. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 65 Amplificateur Non Inverseur Amplificateur Non Inverseur e e v V v V = ⇒ = − + i R v - v i R v 2 e s 1 e = = e 1 2 e 1 2 e s v R R 1 v R R v v ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + = + = e 1 2 s v R R 1 v ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + = + - vs R2 R1 i i ve
  • 66. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 66 Montage suiveur Montage suiveur e s v v = ∞ = Ze 0 Zs = + - vs ve
  • 67. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 67 Sommateur Sommateur inverseur inverseur + - vs RB R1 i v1 v2 R2 i1 i2 ) v v ( R R V 2 1 A B s + − = 2 1 2 2 2 1 1 1 i i i i R v i R v + = = = i R - v B s = ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + − = 2 2 1 1 B s R V R V R V A 2 1 R R R avec = =
  • 68. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 68 Sommateur Sommateur Non Inverseur Non Inverseur + - vs R B R A R 1 ve1 ve2 R 2 v R v R v R R + = + + 2 1 1 2 1 2 v R R R v A A B s − = + R v R v R R R R R v A A B s 2 1 1 2 1 2 + + = + ( ) ( ) v R R R R R R v R v s A B A = + + + 1 2 2 1 1 2 ( ) v R R R v v s A B A = + + 2 1 2 v v v s = + 1 2 Si R Si R1 1 = R = R2 2 Si en plus R Si en plus RA A = R = RB B
  • 69. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 69 Amplificateur différentiel Amplificateur différentiel v R R R v + = + 2 1 2 2 v R v R v R R B A S A B − = + + 1 R R R v R v R R R v R R B A B A S A B 2 1 2 2 1 + = + + + v R R R R R R v R R R v s A B A B A B = + + − + ⎛ ⎝ ⎜ ⎞ ⎠ ⎟ 2 1 2 2 1 v v v s = − 2 1 Si Si R R1 1 = R = R2 2 et et R RA A = R = RB B + - vs R B RA R 1 v1 v2 R 2
  • 70. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 70 Montage Montage integrateur integrateur v Ri e = i v R e = Q CVC = dt dv C dt dQ i C = = S C 1 c v dt ) t ( i v − = = ∫ v v t dt s CR e = − ∫ 1 ( ) s c v - v = + - vs C i ve masse virtuelle vC i R
  • 71. A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 71 Montage dérivateur Montage dérivateur i C dV dt C dv dt C e = = v Ri s = − v RC dv dt s e = − e c v v = + - vs C i ve masse virtuelle vC i R