1. Cours exposé
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques
email : nasser_baghdad @ yahoo.fr
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
Pr . A. BAGHDAD 1
2. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 2
Contenu du programme
Chapitre I : Généralités
Chapitre II : Régime continu
Chapitre III : Régime alternatif sinusoïdal
Chapitre IV : Les quadripôles
Chapitre V : Les filtres passifs
Chapitre VI : Les diodes
Chapitre VII : Le transistor bipolaire
Chapitre VIII : L’amplificateur opérationnel
Partie A
Circuits électriques
Partie B
Circuits électroniques
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
3. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 3
Chapitre VIII
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
4. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 4
I. Généralités sur l’amplificateur opérationnel
II. Montages à régime linéaire indépendants de la fréquence
III. Montages à régime linéaire dépendants de la fréquence
IV. Montages à régime non linéaire
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
Sommaire
5. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 5
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
6. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 6
1°) Définition
2°) Symbole et notation
3°) Brochage
4°) Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte
5°) Schéma équivalent électrique de l ’amplificateur opérationnel
6°) Propriétés de de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte
7°) Fonction de transfert de l’amplificateur opérationnel en boucle
ouverte
8°) Fonctionnement linéaire et non linéaire de l’amplificateur
opérationnel
9°) Différents modes de fonctionnement
10°) Hypothèses simplificatrices pour un fonctionnement en linéaire
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
7. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 7
► Un amplificateur opérationnel (A.O.) est un macro-composant qui contient une
vingtaine de transistors (TB ou/et TEC) intégrés sur une même puce semi-conductrice
de dimension de l’ordre du mm2.
► La polarisation des transistors internes au composant AO est réalisée à l’aide de
deux alimentations continues symétriques V+ = 15V et V– = - 15V.
► L’AO est aussi appelé circuit intégré linéaire (C.I.L.).
► L'amplificateur opérationnel peut être utilisé dans un grand nombre de montages
pour, comme son nom l'indique, réaliser de l’amplification ou/et effectuer des
opérations (mathématiques).
1°) Définition
Circuit Intégré (C.I.L)
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
9. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 9
V+ = + 15 V : tension positive d’alimentation.
V- = - 15 V : tension négative d’alimentation.
e+ : borne d’entrée non inverseuse.
e- : borne d’entrée inverseuse.
I+ : courant d’entrée non inverseuse
I- : courant d’entrée inverseuse
ε = e+ - e- : tension différentielle d’entrée
s : borne de sortie.
2°) Symbole et notation
Européen
Masse externe
s
V+
V-
ε
I-
I+
e-
e+
Américain
e-
e+
s
V+
V-
ε
Masse externe
I-
I+
s = G0 . ε
G0 ≈ 105
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
10. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 10
■ Le triangle « ►» est le symbole de l’amplification et rappelle qu’il s’agit d’un
composant unidirectionnel
■ Le symbole « ∞ » qui se trouve à l’intérieur du schéma du composant signifie que
l’on peut idéaliser la caractéristique de transfert de l’AIL.
Remarque :
Européen
Masse externe
s
V+
V-
ε
I-
I+
e-
e+
Américain
e-
e+
s
V+
V-
ε
Masse externe
I-
I+
G0
■ G0 : amplification en tension statique en boucle ouverte (ou gain continu) (ou gain
en tension différentielle statique).
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
11. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 11
► Dans le symbole simplifié de l’amplificateur opérationnel (l’alimentation n’est pas
toujours représentée car elle n’intervient pas dans le calcul, mais elle est
indispensable en pratique).
► L’AO ne possède pas de masse propre à lui, la masse externe sera donc ôtée du
symbole.
► L’AO sera considéré tout le temps idéal, donc I+ = I- = 0, les courants des entrées
seront retirés du symbole.
► On s’intéressera à l’utilisation de l’AO en fonctionnement linéaire, donc ε = 0
et e+ = e-, la tension différentielle sera donc retirée du symbole.
Symbole simplifié
e-
e+
e-
e+
s s
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
12. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 12
■ La masse des alimentations symétriques est la référence de tous les potentiels
■ Il possède 8 bornes (ou 8 broches) mais 5 bornes sont généralement utilisées :
3°) Brochage
+ - + -
7 4
Masse externe
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
13. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 13
■ Impédance d’entrée différentielle très élevée : ZE = RE ≥ 1 MΩ
■ Impédance de sortie très faible : ZS = RS ≤ 50 Ω
■ Gain en tension différentielle statique (ou gain continu) très élevé : G0 ≈ 105
Amplificateur réel en BO
Amplificateur idéal en BO
■ Impédance d’entrée différentielle : ZE = RE ≈ ∞ ===> I- = I+ = 0
■ Impédance de sortie : ZS = RS ≈ 0 Ω
■ Gain différentielle statique : G0 ≈ ∞
4°) Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
14. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 14
5°) Schéma équivalent électrique de l ’amplificateur opérationnel
Amplificateur réel (AOR) en BO
Amplificateur idéal (AOI) en BO
AOI ===> I+ = I- = 0 car ZE = RE ~ ∞
ε = e+ - e- s ≈ ∞~
e-
e+
ε ∞
0
G0 (e+ - e-)
s
G0 ≈ ∞
ε = e+ - e- s = G0 ε~
e-
e+
ε ZE
ZS
G0 (e+ - e-)
s
G0 ≈ 105
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
15. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 15
dBsoitGGf
TBFdispositifHzqcqf
sradqcqcoupuredepulsation
f
f
j
G
j
Gs
G c
c
cc
100100
100
/10
11 5
0
00
■ La bande passante BP ou la bande d’utilisation de l’AOR va de 0 à fc.
■ Comme fc = à qcq 100 Hz alors l’AO est un dispositif TBF (de 0 à 30 kHz)
■ L’AOR en BO se comporte comme un filtre passe-bas actif du 1er ordre
AO en BO est un dispositif TBF
■ L’amplification en tension (ou gain en boucle ouverte) dépend de la fréquence.
6°) Propriétés de de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte
Amplificateur réel en BO
)(dBG
G0 (dB) = 100 dB
- 20 dB/décade
F.P.B.
20 dB
40 dB
60 dB
80 dB
0 dB
1 10 102 103
décade
20 dB
Réponse idéale
(asymptotique)
flog
G
f
G0
Réponse réelle
Réponse idéale
(asymptotique)
fc0
G0/√2
F.P.B
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
16. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 16
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
ess
e
e
vGvvs
vee
ve
e
0
0
► La fonction de transfert s = f(ε) est fournie en fonctionnement de l’AO en BO
7°) Fonction de transfert de l’AO en boucle Ouverte : s = f (ε )
Amplificateur réel en BO : G0 ≈ 105
+
-
ve
vs
~
e-
e+
AOR en BO
ε
s
-Vsat
+Vsat
ε = e+ - e-
Zone 3
Zone 2
Zone 1
∆ε
εm de qcq mV
mm
Régime saturé
Régime saturé
Régime linéaire
+εm
-εm
m
m
m
m
s
t
+ Vsat ≈ V+ – (1 à 2 V)
- Vsat ≈ V- + (1 à 2 V)
+ Vsat
- Vsat
VVsat 5,13
17. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 17
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
On distingue trois zones de fonctionnement :
• Zone 1 : s = G0 ε
• Zone 2 : s = + Vsat
• Zone 3 : s = - Vsat
► Dans le domaine linéaire :
5
500 10
10.13
5,13
.2
.2
V
VVss
GavecGs
m
sat
VmVm
5
10.1313,0
VVsoitVàVV satsat 5,1321
s
-Vsat
+Vsat
ε = e+ - e-
Zone 3
Zone 2
Zone 1
∆ε
εm de qcq mV
mm
Régime saturé
Régime saturé
Régime linéaire
+εm
-εm
m
m
18. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 18
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
• Zone 1 se réduit à : ε = 0 e+ = e- et -Vsat < s < +Vsat FL
• Zones 2 et 3 : si ε > 0 e+ > e- alors s = + Vsat FNL
si ε < 0 e+ < e- alors s = - Vsat
► On constate que la tension différentielle ε est très faible aux autres tensions du
circuit (de l’ordre du 1/10 du mvolt, le plus souvent) ; on pourra ainsi considérer, dans
la zone linéaire, que ε = 0 (ce qui revient à un gain infini) :
linéairedomaineledans
VVsmaisG
ss
eesoit
sat
5,13
0
0
0
Si ε = 0 <====> e+ = e- alors FL
Amplificateur idéal en BO : G0 → ∞
temps
-Vsat
+Vsat
s
ε
G0 ~ ∞
s
ε = e+ - e-
-Vsat
+Vsat
Zone 3
Zone 2
19. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 19
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
Fonctionnement non linéaire
FNLε s
Signal de sortie s n’a pas la même
forme que celui de l’entée e
ou complètement déformé
Fonctionnement linéaire
FLε s
Signal de sortie s a la même
forme que celui de l’entée e
En fonctionnement linéaire, la tension à amplifier ne pourra pas être appliquée directement entre
les bornes inverseuse ou/et non inverseuse : nécessité au préalable d’une boucle de rétroaction
8°) Fonctionnement linéaire et non linéaire de l’AO
20. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 20
+
-
ve
vs
e-
e+
~
AOI en BO
ve
+ Vsat
- Vsat
0 T
vs
temps
ess
e
e
vGvvs
vee
ve
e
0
0
phasedeoppositionenvetv es
Exemple n°1 de FNL :
satVstatiquemmen
sentThéoriquem
petitmoindreLe
GAOI
Gs
:Pr
:
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
21. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 21
vs
satVstatiquemmen
sentThéoriquem
petitmoindreLe
GAOI
Gs
:Pr
:
0
0
ess
e
e
vGvvs
vee
ve
e
0
0
phaseenvetv es
Exemple n°2 de FNL :
ve
+ Vsat
- Vsat
0 T
temps
+
-
ve
vs
~
e-
e+
AOI en BO
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
22. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 22
00
0
BBetGGAutrement
VsVréactioncontreenAOI satsat
es
e
s
vv
ee
ve
ve
0
Exemple de FL :
es vv
- Vsat
0 T
vs = ve
temps
+ Vsat
+
-
ve
vs
~
e-
e+
AOI en CR
1
e
s
v
v
G
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
23. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 23
► Il existe 4 façons de faire fonctionner l’ AO :
AO en boucle ouverte
AO en réaction négative
(ou en rétroaction) ( ou en contre réaction)
AO en réaction positive (ou en réaction) AO en réaction positive et négative
discussion
ε = 0
ε = 0
ou
ε ≠ 0ε ≠ 0
ε ≠ 0 FNL
FNL
FL
FL
ou
FNL
CR (ou RN) ====> ε = 0 <====> e+ = e- alors FL
9°) Différents modes de fonctionnement
+
-
+
-
+
-
+
-
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
24. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 24
Boucle ouverte ou Réaction positive :
Fonctionnement en régime saturé
(ou non linéaire)
Réaction négative (ou contre réaction) :
Fonctionnement en régime linéaire
ε = 0 e+ = e- et -Vsat < s < +Vsat
si e+ > e- alors s = + Vsat
si e+ < e- alors s = - Vsat
La contre réaction : diminue le gain en tension et augmente la bande passante
+
-
+
-
+
-
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
25. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 25
Résistance d’entrée infinie (AOI) ====> I+ = I- = 0
Contre réaction ====> ε = 0 <====> e+ = e-
Circuit de contre réaction peut être un fil, un dipôle ou un quadripôle
10°) Hypothèses simplificatrices pour un fonctionnement en linéaire
+
-
D
+
-
Q
+
-
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
26. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 26
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
28. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 28
Montage suiveur
1°) Montages fondamentaux
1
e
s
es
v
v
Gvv
+
-
ve
vs
~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
29. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 29
Montage amplificateur inverseur
1
2
1
2
R
R
v
v
Gv
R
R
v
e
s
es
+
-
R2
ve
R1
vs~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
30. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 30
+
-
R0
ve
R0
vs~
e-
e+
Montage inverseur
1
0
0
e
s
ees
v
v
Gvv
R
R
v
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
31. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 31
Montage amplificateur non inverseur
1
2
1
2
11
R
R
v
v
Gv
R
R
v
e
s
es
+
-
R2
ve
R1
vs
~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
32. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 32
Montage sommateur
21 vvvs
+
-
R3
v1
R1
vs~
v2
R2
~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
2
2
3
1
1
3
v
R
R
v
R
R
vs
0321 RRRRSi
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
33. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 33
Montage sommateur non inverseur
+
-
R4
R2
R3
R1
vs
e-
e+
v2 ~
v1 ~
21 VVVs
2
1
3
1
1
4
43
21
v
R
R
v
R
R
RR
RR
vs
04321 RRRRRSi
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
34. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 34
Montage soustracteur
+
-
R3
R4
R2
R1
vs
e-
e+
v2 ~
v1 ~
12
1
2
vv
R
R
vs
04321 RRRRRSi 4231 RRetRRSi
12 vvvs
1
1
2
2
43
21
1
4
v
R
R
v
RR
RR
R
R
vs
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
35. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 35
Montage intégrateur
dttv
RC
tv es
1
+
-
C
ve
R
vs~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
36. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 36
Montage dérivateur
dt
dV
RCV e
s
+
-
R
ve
C
vs~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
37. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 37
Montage logarithmique
+
-
ve
R
vs
V
i
diode
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
0
ln
RI
v
uv e
Ts
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
38. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 38
Vd
Id
diodeRappel :
→ La tension uT est correspond à la tension thermodynamique, d'une valeur de 25 mV environ à
l’ambiance.
→ Is correspond au courant de saturation de la diode D ou courant inverse, de qcq nA.
1T
d
u
V
satd eII
→ Le courant à traversant la diode est donné par la relation :
s
d
Td
u
V
sd
I
I
uValorseIIsidirectEn T
d
ln:
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
39. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 39
Montage anti-logarithmique (ou exponentiel)
diode
+
-
ve
R
vs
V
i
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
T
e
ss
u
v
IRv exp
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
40. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 40
+
-
R
R
vs
v2
C
v1
C
e+
e-
Montage intégrateur différentiel
dttvtv
RC
tvs 12
1
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
2°) Montages particuliers
41. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 41
gs iRv
Source de tension simple
~ vs
-
+R
v
iiRv
eeete
s
ggs
00
vs
R
ig
+
-
e-
~ e+
eeCR
IIAOI
0
0
f.e.m
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
42. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 42
Source de tension amélioré
vs’
R1
ig
+
-
vs
R3
+
-R2
eeCR
IIAOI
0
0
eeCR
IIAOI
0
0
gs i
R
RR
v
2
31
~ vs
+
-
f.e.m
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
43. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 43
+
-R1
R2
R4R3
vs
eg r
i
Source de courant
→ Fournit un courant i indépendant du circuit de charge (d'impédance r ici)
→ Montage nommé source de Howland
eeCR
IIAOI
0
0
3
3241
R
e
iRRRRSi
g
~
i
c.e.m
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
44. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 44
vs
v1
R2
RG
+
-
+
-
R1
v2
+
-
R0R0
R0R0
S1
S2
Amplificateur d'instrumentation
eeCR
IIAOI
0
0
21
12
1 vv
R
RR
v
G
s
213 vvvs
021 RRRRSi G
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
45. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 45
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
46. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 46
1°) Filtre actif passe bas de 1er ordre
2°) Filtre actif passe haut de 1er ordre
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
47. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 47
CRjR
R
H
21
2
1
1
→ Gain d’un amplificateur inverseur :
→ Fréquence de coupure :
1
2
0
R
R
AH
CR
fC
22
1
C
j
H
H
1
0
Configuration n°1
1°) Filtre actif passe bas de 1er ordre
Filtre à contre
réaction simple
ve vs
+
-
R1
C
R2
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
48. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 48
CRjR
R
H
1
1
1
1
2
→ Gain d’un amplificateur non inverseur :
→ Fréquence de coupure :
1
2
0 1
R
R
AH
CR
fC
2
1
C
j
H
H
1
0
Configuration n°2
ve vs
+
-
C
R2
R1
R
Filtre à contre
réaction simple
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
49. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 49
CRj
CRj
R
R
H
1
1
1
2
1
→ Gain d’un amplificateur inverseur :
→ Fréquence de coupure si :
1
2
0
R
R
H
CR
fC
12
1
C
C
j
j
HH
1
0
Configuration n°1
2°) Filtre actif passe haut de 1er ordre
ve vs
+
-
C
R2
R1
Filtre à contre
réaction simple
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
50. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 50
CRj
CRj
R
R
H
1
1
1
2
→ Gain d’un amplificateur non inverseur :
→ Fréquence de coupure :
1
2
0 1
R
R
HA
CR
fC
2
1
C
C
j
j
HH
1
0
Configuration n°2
ve vs
+
-C
R2
R1
R
Filtre à contre
réaction simple
eeCR
IIAOI
0
0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
51. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 51
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
52. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 52
1°) Comparateurs simples de valeur relative
2°) Comparateurs simples de valeur absolue
3°) Comparateurs à seuils ou à hystéresis (ou triggers de Scmitt)
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
53. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 53
► On distingue deux types de montages comparateurs selon les positions respectives
de Ve(t) et VREF = E0 sur les entrées du comparateur.
Montages comparateurs simples de valeur relative
E0
Ve
Vs
+
_
+
_~ Vs
+
_
+
_~
Comparateur
non inverseur
Comparateur
inverseur
AOI en BO AOI en BO
En permutant Ve(t) et V0, on obtient
E0 = 0 E0 > 0 E0 < 0
E0
Ve
1°) Comparateurs simples de valeur relative
Sortie
binaire
Sortie
binaire
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
54. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 54
Montage comparateur simple non inverseur de valeur relative :
Montage n°1
Montage n°2
+
Montage n°3
+
Ve
Vs
+
_
~
VREF = E0 = 0
E0
Ve
Vs
+
_
+
_~
E0 > 0
E0
Ve
Vs
_
+
_
~
E0 < 0
+
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
55. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 55
t
Vs
+ Vemax
Ve
t
E0
- Vemax
+ Vsat
VVsVee
VVsVee
sate
sate
00
00
seuil
Montage n°1
tbasculemendeseuil
Ve
:0
00
Chronogrammes
- Vsat
Si Ve = E0 = 0 basculement
+
e-
Ve
Vs
+
_e+
~ VREF = E0 = 0E0
Ve > 0
Ve < 0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
56. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 56
t
Vs
+ Vemax
Ve
t
E0
- Vemax
Ve > E0
Ve < E0
Si Ve = E0 basculement
VVsVVee
VVsVVee
sate
sate
0
0
0
0
seuil
tbasculemendeseuilV
VVe
:
0
0
0
Montage n°2
Chronogrammes
E0
Ve
Vs
+
_
+
_~
E0 > 0
+ Vsat
- Vsat
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
57. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 57
Fonctions de transfert des comparateurs simples non inverseurs
Vs
-Vsat
+Vsat
0
Ve
satse
satse
eREFe
VVEV
VVEV
EVVVee
0
0
0
0
0
Vs
-Vsat
+Vsat
0
Ve
00 EVREF
0 0
0 0
00 EVREF
+
e-
Ve
Vs
+
_e+
~ VREF = E0 = 0E0 E0
Ve
Vs
+
_
+
_~
E0 > 0
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
58. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 58
► On distingue deux types de montages comparateurs selon les positions respectives
de Ve(t) et VREF = E0 sur les entrées du comparateur.
Montages comparateurs simples de valeur absolue
E0 = 0 E0 > 0 E0 < 0
E0
Ve
Vs
+
_+
_~
R1
R2
e-
e+
Comparateur
non inverseurAOI en BO
Sortie
binaire
E0
Ve
Vs
+
_
+
_~
R1
R2
e-
e+
Comparateur
inverseur
AOI en BO
Sortie
binaire
2°) Comparateurs simples de valeur absolue
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
59. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 59
Montage n°1
VREF = V0 = 0E0
Ve
Vs
+
_
~
R1
R2
e-
e+
Montage n°2
V0 > 0VE0
Ve
Vs
+
_+
_~
R1
R2
e-
e+
V0 < 0
Montage n°3
E0
Ve
Vs
+
_
+
_
~
R1
R2
e-
e+
Montage comparateur simple non inverseur de valeur absolue :
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
61. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 61
Montage n°2
E0 > 0E0
Ve
Vs
+
_+
_~
R1
R2
e-
e+
0
2
1
0
2
1
21
2
21
1
0
21
2
21
1
0
:0
0:0
E
R
R
VSeuilE
R
R
V
RR
R
V
RR
R
E
eesitBasculemen
RR
R
V
RR
R
Eeete
seuilee
e
seuileesatS
seuileesatS
VE
R
R
V
RR
R
V
RR
R
EeesiVV
VE
R
R
V
RR
R
V
RR
R
EeesiVV
0
2
1
21
2
21
1
0
0
2
1
21
2
21
1
0
0
0
0
2
1
E
R
R
VsitBasculemen e
0seuilV
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
62. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 62
+ Vemax
Ve
t
- Vemax
Ve >Vseuil
Ve < Vseuil
Si Ve = Vseuil basculement
Vseuil
t
Vs
0
2
1
V
R
R
VVsitBasculemen seuile
seuilesatS
seuilesatS
VV
R
R
VsiVV
VV
R
R
VsiVV
0
2
1
0
2
1
Chronogrammes
+ Vsat
- Vsat
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
63. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 63
seuilesatS
seuilesatS
VE
R
R
VsiVV
VE
R
R
VsiVV
0
2
1
0
2
1
Vs
-Vsat
+Vsat
0seuilV
Ve > Vseuil
Ve < Vseuil
Ve
Fonction de transfert
0
2
1
E
R
R
VVsitBasculemen seuile
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
64. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 64
3°) Comparateurs à seuils ou à hystérésis (Trigger de Schmitt)
e2
e1
Vs
+
_
+
_
R2
R1
~
e1
e2
Vs
+
_+
_
R2
R1
~
► Dans le cas général, les entrées e1 et e2 du montage reçoivent d’une part le signal à
comparer ve(t) et d’autre part une tension de référence VREF = E0
Trigger
inverseur
Trigger non
inverseur
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
65. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 65
Montage comparateur à hystérésis non inverseur (Trigger non inverseur) :
E0
Vs
+
_
R2
R1
~
E0
Vs
+
_
+
_
R2
R1
~ E0
Vs
+
_
+
_
R2
R1
~
Montage n°1
VREF = E0 = 0
Montage n°2
E0 > 0
Montage n°3
E0 < 0
Ve
Ve
Ve
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
66. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 66
Montage n°1
VREF = E0 = 0E0
Ve
Vs
+
_
R2
R1
~
SatSSatBH
SeeS
es
VVcarV
R
R
VVseuilsLes
V
R
R
V
RR
R
V
RR
R
V
eesitBasculemenEeet
RR
R
V
RR
R
Ve
2
1
/2/1
2
1
21
2
21
1
0
21
2
21
1
:
0
0
VH et VB (seuils de commutation de la sortie) sont les valeurs de la tension Ve qui
font changer la valeur de la sortie Vs
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
67. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 67
SatBSatH
SeeS
es
V
R
R
VetV
R
R
VseuilsLes
V
R
R
V
RR
R
V
RR
R
V
eesitBasculemeneet
RR
R
V
RR
R
Ve
2
1
2
1
2
1
21
2
21
1
21
2
21
1
:2
0
00
HeesatsatS
BeesatsatS
VV
R
R
V
RR
R
V
RR
R
VeealorsVVLorsque
VV
R
R
V
RR
R
V
RR
R
VeealorsVVLorsque
0
2
1
21
2
21
1
0
2
1
21
2
21
1
0
0
satSHe
satSBe
VVVVSi
VVVVSi
satSHe
satSBe
VVVVSi
VVVVSi
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
69. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 69
VH
VB
Ve
t
t
Vs
+Vsat
-Vsat
BeHesatS
HeBesatS
VVetVVsiVV
VVetVVsiVV
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
70. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 70
Montage n°2
E0 > 0
E0
Ve
Vs
+
_
+
_
R2
R1
~
SatBH
SeeS
es
V
R
R
E
R
RR
VVseuilsLes
V
R
R
E
R
RR
V
RR
R
V
RR
R
VE
eesitBasculemenEeet
RR
R
V
RR
R
Ve
2
1
0
1
21
/2/1
2
1
0
1
21
21
2
21
1
0
0
21
2
21
1
:
VH et VB (seuils de commutation de la sortie) sont les valeurs de la tension Ve qui
font changer la valeur de la sortie Vs
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
71. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 71
SatBSatH
SeeS
es
V
R
R
V
R
RR
VetV
R
R
V
R
RR
VseuilsLes
V
R
R
V
R
RR
V
RR
R
V
RR
R
VV
eesitBasculemenVeet
RR
R
V
RR
R
Ve
2
1
0
2
21
2
1
0
2
21
2
1
0
2
21
21
2
21
1
0
0
21
2
21
1
:
HsateesatsatS
BsateesatsatS
VV
R
R
V
R
RR
VV
RR
R
V
RR
R
VeealorsVVLorsque
VV
R
R
V
R
RR
VV
RR
R
V
RR
R
VeealorsVVLorsque
2
1
0
2
21
0
21
2
21
1
2
1
0
2
21
0
21
2
21
1
satSHe
satSBe
VVVVSi
VVVVSi
0 < V0 < Vsat
0HV 0BV
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
73. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 73
Fin du chapitre VIII
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE
74. FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 74
Fin de l’exposé de cours
Module : E141
UNIVERSITEHASSANIICASABLANCA–FACULTEDESSCIENCESETTECHNIQUESMOHAMMEDIA
DEUST-MIP–MODULE:E141–CIRCUITSÉLECTRIQUESETÉLECTRONIQUES
PR.A.BAGHDAD-DEPARTEMENTGENIEELECTRIQUE