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Module d’Electronique 
Electronique analogique 
ÓFabrice Sincère ; version 3.0.5 
http://pagesperso-orange.fr/fabrice.sincere
2 
Sommaire du Chapitre 1 - Les semi-conducteurs 
1- La diode 
1-1- Symbole 
1-2- Constitution 
1-3- Sens direct et sens inverse 
1-4- Caractéristique courant- tension 
1-5- Caractéristique idéalisée 
1-6- Modèle équivalent simplifié 
2- La LED (Light Emitting Diode : diode électroluminescente) 
2-1- Symbole 
2-2- Tension de seuil 
2-3- Protection 
3- La diode Zener 
3-1- Symboles 
3-2- Caractéristique courant- tension 
3-3- Tension Zener 
3-4- Caractéristique idéalisée
3 
4- Le transistor bipolaire 
4-1- Transistor bipolaire NPN et PNP 
4-2- Caractéristiques électriques du transistor NPN 
4-2-1- Montage émetteur - commun 
4-2-2- Tensions et courants 
4-2-3- Jonction Base - Emetteur 
4-2-4- Transistor bloqué 
4-2-5- Transistor passant 
a- Fonctionnement en régime linéaire 
b- Fonctionnement en régime de saturation 
4-3- Caractéristiques électriques du transistor PNP 
4-4- Applications 
4-4-1- Fonctionnement en commutation 
4-4-2- Fonctionnement en régime linéaire
Chapitre 1 Les semi-conducteurs 
Ce sont des composants fabriqués avec des matériaux semi-conducteurs 
4 
(silicium, germanium …).
5 
1- La diode 
1-1- Symbole 
1-2- Constitution 
Il s’agit d’une jonction PN : 
P désigne un semi-conducteur dopé positivement 
N « « négativement.
6 
1-3- Sens direct et sens inverse 
1-4- Caractéristique courant- tension 
u 
i 
Fig. 2a
7 
1-5- Caractéristique idéalisée 
On peut simplifier la caractéristique de la diode de la manière 
suivante : 
1-6- Modèle équivalent simplifié 
• diode « passante » (zone de conduction) : 
0,6 V 
A C 
i>0 
• diode « bloquée » (zone de blocage) :
2- La LED (Light Emitting Diode : diode électroluminescente) 
8 
C’est une diode qui a la propriété d’émettre de 
la lumière quand elle est parcourue par un 
courant (phénomène d’électroluminescence). 
2-1- Symbole 
2-2- Tension de seuil 
Couleur tension de seuil 
Verte, jaune, rouge environ 1,6 V 
Infrarouge 1,15 V
9 
= - - 1 k 
10 10 
= W 
12 1,6 
R 3 
× 
2-3- Protection 
Une LED supporte un faible courant (quelques dizaines de mA). 
• Exemple : on alimente une LED à partir d’une source de tension 
continue de 12 V. 
Calculons la valeur de la résistance de protection pour limiter le 
courant à 10 mA :
10 
3- La diode Zener 
La diode Zener est une diode qui a la particularité de pouvoir 
conduire dans le sens inverse. 
3-1- Symboles 
3-2- Caractéristique courant- tension 
u 
i 
Fig. 4a
11 
3-3- Tension Zener (Ez) 
C’est la tension inverse nécessaire à la conduction en sens inverse. 
u=Ez 
i>0 
La gamme de tension Zener va de quelques volts à plusieurs 
centaines de volts. 
3-4- Caractéristique idéalisée
12 
4- Le transistor « bipolaire » 
Le transistor a été inventé en 1947.
13 
4-1- Transistor bipolaire NPN et PNP 
Un transistor bipolaire possède trois bornes : 
• la base (B) 
• le collecteur (C) 
• l’émetteur (E) 
E 
B 
C 
Il existe deux types de transistor bipolaire : 
• NPN 
• PNP
14 
4-2- Caractéristiques électriques du transistor NPN 
4-2-1- Montage « émetteur - commun » 
Ce montage nécessite deux sources de tension :
15 
4-2-2- Tensions et courants 
Le transistor possédant trois bornes, il faut définir trois courants et 
trois tensions : 
En fonctionnement normal, le courant entre dans le transistor NPN 
par la base et le collecteur et sort par l’émetteur. 
Avec la convention de signe choisie ci-dessus, les courants sont donc 
positifs. 
La tension vCE est normalement positive.
16 
Relation entre courants 
• loi des noeuds : iE = iB + iC
17 
4-2-3- Jonction Base- Emetteur 
Le transistor est conçu pour être commandé par la jonction B-E : 
• si le courant de base est nul, la jonction B-E est bloquée et on dit 
que le transistor est bloqué. 
• s’il y a un courant de base (dans le sens direct : iB > 0), le transistor 
est dit passant. 
Le courant de base est donc un courant de commande.
18 
4-2-4- Transistor bloqué 
La jonction B-E est bloquée : 
iB= 0 et vBE < 0,6 V 
Le transistor est bloqué et tous les courants sont nuls : 
iB = iC = iE = 0
19 
4-2-5- Transistor passant 
La jonction B-E est passante dans le sens direct : 
iB > 0 et vBE= 0,6 V 
Le transistor est passant et il y a un courant de collecteur et un 
courant d’émetteur : iC > 0 et iE > 0. 
Il existe alors deux régimes de fonctionnement.
20 
a- Fonctionnement en régime linéaire 
Le courant de collecteur est proportionnel au courant de base : 
iC = b iB 
b est le coefficient d’amplification en courant (de quelques dizaines 
à quelques centaines). 
b >>1 donc iC >> iB 
D’autre part : 
iE = iB + iC 
iE » iC
21 
b- Fonctionnement en régime de saturation 
Reprenons la figure 6 : 
Au dessus d’une certaine valeur du courant de base (iBsat), le 
courant de collecteur « sature » : 
iB > iB sat : iC = iC sat 
= i sat 
i sat C 
B 
b
22 
La tension vCE est alors très proche de zéro : 
vCE sat » 0,2 V.
23 
4-3- Caractéristiques électriques du transistor PNP 
Par rapport au transistor NPN, le sens des courants et le signe des 
tensions sont inversés :
24 
4-4- Applications 
4-4-1- Fonctionnement en commutation 
En commutation, le transistor est soit saturé, soit bloqué. 
• Exemple : 
b=100. 
La tension d’entrée peut prendre deux valeurs : 0 V ou 5 V.
25 
- circuit de commande : 
- le circuit de puissance alimente une ampoule qui consomme 1 A 
sous 6 V : 
charge 
iC 
6 V 
circuit de 
puissance 
Fig. 10c
26 
Analyse du fonctionnement 
• uE = 0 V 
⇒ iB = 0 
⇒ transistor bloqué 
⇒ iC = 0 
⇒ ampoule éteinte 
Vu des bornes C et E, le transistor se comporte comme un 
interrupteur ouvert :
27 
• uE = 5 V 
Un courant de base circule : 
iB = (5 - 0,6) /120 =37 mA 
Ce courant est suffisant pour saturer le transistor car : 
iB > iBsat = 1 A /100 = 10 mA. 
⇒ vCE = vCE sat » 0,2 V 
⇒ Vu des bornes C et E, le transistor se comporte pratiquement 
comme un interrupteur fermé : 
⇒ ampoule allumée
28 
On retiendra qu’un transistor est un interrupteur commandable : 
C 6 V 
E 
iB=0 
Fig. 11a
29 
4-4-2- Fonctionnement en régime linéaire 
• Exemple : principe d’un amplificateur de tension 
b = 130 ; vCE sat = 0,2 V
30 
Caractéristique de transfert uS(uE) 
- loi des branches : 
uE = RB iB + vBE (1) 
E = RC iC + uS (2) 
- en régime linéaire : 
vBE = 0,6 V (3) 
iC = b iB (4) 
⇒ uS = E - bRC (uE - 0,6)/RB 
A.N. uS(V) = 15 - 13×(uE - 0,6)
31 
Régime linéaire 
Appliquons en entrée un signal évoluant dans la zone de linéarité : 
• amplification en tension : -12,97/1,031 » -13
32 
Régime non linéaire 
La sortie est déformée à cause de la saturation (uS = 0,2 V) et du 
blocage (uS = 15 V) du transistor : 
il y a écrêtage (⇒ distorsion)

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Electronique analogique

  • 1. 1 Module d’Electronique Electronique analogique ÓFabrice Sincère ; version 3.0.5 http://pagesperso-orange.fr/fabrice.sincere
  • 2. 2 Sommaire du Chapitre 1 - Les semi-conducteurs 1- La diode 1-1- Symbole 1-2- Constitution 1-3- Sens direct et sens inverse 1-4- Caractéristique courant- tension 1-5- Caractéristique idéalisée 1-6- Modèle équivalent simplifié 2- La LED (Light Emitting Diode : diode électroluminescente) 2-1- Symbole 2-2- Tension de seuil 2-3- Protection 3- La diode Zener 3-1- Symboles 3-2- Caractéristique courant- tension 3-3- Tension Zener 3-4- Caractéristique idéalisée
  • 3. 3 4- Le transistor bipolaire 4-1- Transistor bipolaire NPN et PNP 4-2- Caractéristiques électriques du transistor NPN 4-2-1- Montage émetteur - commun 4-2-2- Tensions et courants 4-2-3- Jonction Base - Emetteur 4-2-4- Transistor bloqué 4-2-5- Transistor passant a- Fonctionnement en régime linéaire b- Fonctionnement en régime de saturation 4-3- Caractéristiques électriques du transistor PNP 4-4- Applications 4-4-1- Fonctionnement en commutation 4-4-2- Fonctionnement en régime linéaire
  • 4. Chapitre 1 Les semi-conducteurs Ce sont des composants fabriqués avec des matériaux semi-conducteurs 4 (silicium, germanium …).
  • 5. 5 1- La diode 1-1- Symbole 1-2- Constitution Il s’agit d’une jonction PN : P désigne un semi-conducteur dopé positivement N « « négativement.
  • 6. 6 1-3- Sens direct et sens inverse 1-4- Caractéristique courant- tension u i Fig. 2a
  • 7. 7 1-5- Caractéristique idéalisée On peut simplifier la caractéristique de la diode de la manière suivante : 1-6- Modèle équivalent simplifié • diode « passante » (zone de conduction) : 0,6 V A C i>0 • diode « bloquée » (zone de blocage) :
  • 8. 2- La LED (Light Emitting Diode : diode électroluminescente) 8 C’est une diode qui a la propriété d’émettre de la lumière quand elle est parcourue par un courant (phénomène d’électroluminescence). 2-1- Symbole 2-2- Tension de seuil Couleur tension de seuil Verte, jaune, rouge environ 1,6 V Infrarouge 1,15 V
  • 9. 9 = - - 1 k 10 10 = W 12 1,6 R 3 × 2-3- Protection Une LED supporte un faible courant (quelques dizaines de mA). • Exemple : on alimente une LED à partir d’une source de tension continue de 12 V. Calculons la valeur de la résistance de protection pour limiter le courant à 10 mA :
  • 10. 10 3- La diode Zener La diode Zener est une diode qui a la particularité de pouvoir conduire dans le sens inverse. 3-1- Symboles 3-2- Caractéristique courant- tension u i Fig. 4a
  • 11. 11 3-3- Tension Zener (Ez) C’est la tension inverse nécessaire à la conduction en sens inverse. u=Ez i>0 La gamme de tension Zener va de quelques volts à plusieurs centaines de volts. 3-4- Caractéristique idéalisée
  • 12. 12 4- Le transistor « bipolaire » Le transistor a été inventé en 1947.
  • 13. 13 4-1- Transistor bipolaire NPN et PNP Un transistor bipolaire possède trois bornes : • la base (B) • le collecteur (C) • l’émetteur (E) E B C Il existe deux types de transistor bipolaire : • NPN • PNP
  • 14. 14 4-2- Caractéristiques électriques du transistor NPN 4-2-1- Montage « émetteur - commun » Ce montage nécessite deux sources de tension :
  • 15. 15 4-2-2- Tensions et courants Le transistor possédant trois bornes, il faut définir trois courants et trois tensions : En fonctionnement normal, le courant entre dans le transistor NPN par la base et le collecteur et sort par l’émetteur. Avec la convention de signe choisie ci-dessus, les courants sont donc positifs. La tension vCE est normalement positive.
  • 16. 16 Relation entre courants • loi des noeuds : iE = iB + iC
  • 17. 17 4-2-3- Jonction Base- Emetteur Le transistor est conçu pour être commandé par la jonction B-E : • si le courant de base est nul, la jonction B-E est bloquée et on dit que le transistor est bloqué. • s’il y a un courant de base (dans le sens direct : iB > 0), le transistor est dit passant. Le courant de base est donc un courant de commande.
  • 18. 18 4-2-4- Transistor bloqué La jonction B-E est bloquée : iB= 0 et vBE < 0,6 V Le transistor est bloqué et tous les courants sont nuls : iB = iC = iE = 0
  • 19. 19 4-2-5- Transistor passant La jonction B-E est passante dans le sens direct : iB > 0 et vBE= 0,6 V Le transistor est passant et il y a un courant de collecteur et un courant d’émetteur : iC > 0 et iE > 0. Il existe alors deux régimes de fonctionnement.
  • 20. 20 a- Fonctionnement en régime linéaire Le courant de collecteur est proportionnel au courant de base : iC = b iB b est le coefficient d’amplification en courant (de quelques dizaines à quelques centaines). b >>1 donc iC >> iB D’autre part : iE = iB + iC iE » iC
  • 21. 21 b- Fonctionnement en régime de saturation Reprenons la figure 6 : Au dessus d’une certaine valeur du courant de base (iBsat), le courant de collecteur « sature » : iB > iB sat : iC = iC sat = i sat i sat C B b
  • 22. 22 La tension vCE est alors très proche de zéro : vCE sat » 0,2 V.
  • 23. 23 4-3- Caractéristiques électriques du transistor PNP Par rapport au transistor NPN, le sens des courants et le signe des tensions sont inversés :
  • 24. 24 4-4- Applications 4-4-1- Fonctionnement en commutation En commutation, le transistor est soit saturé, soit bloqué. • Exemple : b=100. La tension d’entrée peut prendre deux valeurs : 0 V ou 5 V.
  • 25. 25 - circuit de commande : - le circuit de puissance alimente une ampoule qui consomme 1 A sous 6 V : charge iC 6 V circuit de puissance Fig. 10c
  • 26. 26 Analyse du fonctionnement • uE = 0 V ⇒ iB = 0 ⇒ transistor bloqué ⇒ iC = 0 ⇒ ampoule éteinte Vu des bornes C et E, le transistor se comporte comme un interrupteur ouvert :
  • 27. 27 • uE = 5 V Un courant de base circule : iB = (5 - 0,6) /120 =37 mA Ce courant est suffisant pour saturer le transistor car : iB > iBsat = 1 A /100 = 10 mA. ⇒ vCE = vCE sat » 0,2 V ⇒ Vu des bornes C et E, le transistor se comporte pratiquement comme un interrupteur fermé : ⇒ ampoule allumée
  • 28. 28 On retiendra qu’un transistor est un interrupteur commandable : C 6 V E iB=0 Fig. 11a
  • 29. 29 4-4-2- Fonctionnement en régime linéaire • Exemple : principe d’un amplificateur de tension b = 130 ; vCE sat = 0,2 V
  • 30. 30 Caractéristique de transfert uS(uE) - loi des branches : uE = RB iB + vBE (1) E = RC iC + uS (2) - en régime linéaire : vBE = 0,6 V (3) iC = b iB (4) ⇒ uS = E - bRC (uE - 0,6)/RB A.N. uS(V) = 15 - 13×(uE - 0,6)
  • 31. 31 Régime linéaire Appliquons en entrée un signal évoluant dans la zone de linéarité : • amplification en tension : -12,97/1,031 » -13
  • 32. 32 Régime non linéaire La sortie est déformée à cause de la saturation (uS = 0,2 V) et du blocage (uS = 15 V) du transistor : il y a écrêtage (⇒ distorsion)