1. Les MOSFETs
« Ce n’est pas l’invention qui crée la
richesse; c’est l’amélioration »
Henry Ford
2. • 1925 Julius Edgar Lilienfeld dépose un brevet pour un
transistor.
• 1959 Le premier MOSFET est construit dans les
laboratoires Bell.
• 2012 5.000.000.000 transistors se trouvent sur une
puce.
3. • Un transistor à effet de champ à grille isolée est
composé du silicium dopé de type N ou P, dans le cas
présent, il s’agit d’un silicium dopé de type P.
• il existe des électrons représentés en blanc, et des
trous représentés en vert.
• L’implantation ionique est réalisée pour aboutir à 2
zones dopées N, cela signifie que d’autres électrons
libres (mobiles) représentés en rouge existe en plus des
électrons de silicium.
4. • Après, une couche d’isolation est nécessaire, elle est
souvent un dioxyde de silicium. Sur cette couche, une
couche d’aluminium est appliquée, puis une autre
couche de dioxyde de silicium qui contient déjà des
trous gravés pour le contact est appliquée.
• Le transistor est maintenant fini, nous avons donc un
substrat de type P, 2 zones fortement dopées N, et des
broches appelées : Source, Grille (Gate), Drain et
Substrat (bulk)qui alimente le transistor avec
l’électricité et le courant nécessaire.
5. • Source et Substrat sont généralement liés et ont donc la
même source d’électricité. Le but est de reguler le
courant électrique entre la Source et le Drain, ce que
l’on obtient par la Grille.
• S’il n’est y a pas de courant à la grille rien ne passe à
cause de l’absence de porteurs de charges libres entre
les 2 zones de types N indiquées en rouge.
6. • Si la grille est mise sous tension positive, un champ
électrique positif se crée et attire les électrons de la
couche de type P, mais repousse les trous. Les électrons
attirés forment un canal de type N capable de faire
circuler de l’électricité de la Source vers le Drain.
• Il faut noter que l’intensité de courant de la grille peut-
être renforcée en augmentant sa tension, ce qui genere
un champ électrique plus puissant et un canal N plus
important.
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8. • Ce type de transistors est appelé : à enrichissement, car
sans tension à la grille aucun courant ne circule entre la
Source et le Dain.
